3d nand 文章 進入3d nand技術(shù)社區(qū)
3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)
- 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展,因為它能推動存儲器技術(shù)的突破,而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

- 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化,現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
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傳鎧俠/西數(shù)合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星?

- 近日,據(jù)日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進入最終收尾調(diào)整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關(guān)人士消息稱,鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導體生產(chǎn)及營銷的方案等,未來雙方將進行經(jīng)營合并,擬由鎧俠掌握主導權(quán),關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱,由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業(yè)績低迷,鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
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需求持續(xù)下修,第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應(yīng)商持續(xù)透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元,環(huán)比減少16.1%。SK集團(SK hynix & Solidigm)及西部數(shù)據(jù)(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現(xiàn),環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環(huán)比減少24.8%
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NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財報出爐
- 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道,全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技(SIMO)公布2023年第1季財報,營收1億2407萬美元,季減38%,年減49%,第1季毛利率42.3%,稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示,包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶,目前一致認為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱,上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫存,包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設(shè)備供應(yīng)商,因此影響相關(guān)控制芯片的營收。茍嘉章認為,見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善,再加
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3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側(cè)向
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復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

- 4月27日,上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝,具備低功耗、
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3d nand介紹
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