3d nand 文章 進入3d nand技術社區(qū)
3D ToF相機于物流倉儲自動化的應用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機能藉助飛時測距(Time of Flight;ToF)技術,在物流倉儲現(xiàn)場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料,確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢,加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā),隔離政策改變人們的消費模式與型態(tài),導致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長;于此同時,人員移動的管制,也間接造成人力不足產生缺工問題,加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程,進而大量導入無人搬運車AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
- 關鍵字: 3D ToF 相機 物流倉儲 自動化 臺達
面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略
- 面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道,隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)資金分配和限制的國家安全護欄,韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務,并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內需求的產品。關于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響,人們有不同的意見。但有一點是肯定的:希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件,并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示,補貼接受者在
- 關鍵字: CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
集邦咨詢:2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%,DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道,伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產,已經市場去庫存效果顯現(xiàn),預估 NAND Flash 價格回暖之后,DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損,2023 年以來已經進行了多次減產,目前相關效果已經顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產,主要集中在 128 層以下產品中,在 9 月產量下降了
- 關鍵字: 存儲 DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%,預期第三季將成長逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第二季NAND Flash市場需求仍低迷,供過于求態(tài)勢延續(xù),使NAND Flash第二季平均銷售單價(ASP)續(xù)跌10~15%,而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達19.9%,合計第二季NAND Flash產業(yè)營收環(huán)比增長7.4%,營收約93.38億美元。自第二季起,三星(Samsung)加入減產行列,且預期第三季將擴大減產幅度,供給收斂的同時也在醞釀漲價,供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過,由于NAND Flash產業(yè)供應商家數(shù)多,在庫存仍高的情
- 關鍵字: NAND Flash TrendForce
NAND Flash第四季價格有望止跌回升
- 近日,三星(Samsung)為應對需求持續(xù)減弱,宣布9月起擴大減產幅度至50%,減產仍集中在128層以下制程為主,據(jù)TrendForce集邦咨詢調查,其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產幅度,目的加速庫存去化速度,預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲,漲幅預估約0~5%。價格方面,如同年初TrendForce集邦咨詢預測,NAND Flash價格反彈會早于DRAM,由于NAND Flash供應商虧損持續(xù)擴大,銷售價格皆已接近生產成本,供應商為了維持營運而選擇擴大減產,以期帶動價
- 關鍵字: NAND Flash Wafer TrendForce
NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價 10%
- 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
- 關鍵字: NAND Flash
采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器
- 在本教程中,我們將討論數(shù)字電子學中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發(fā)器以及一個簡單的實時應用。電路簡介我們迄今為止看到的電路,即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等,都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中,輸出只取決于輸入的當前狀態(tài),而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外,當輸入發(fā)生變化時,組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路,其輸出不僅取決于當前的輸入,還取決
- 關鍵字: NAND NOR門 SR觸發(fā)器
3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
- 關鍵字: V-NAND 閃存 3D NAND
基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設計實現(xiàn)
- 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù),會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù),無法進行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題,本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間,記錄最新分區(qū)信息,將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機圖,并進行了驗證。
- 關鍵字: 202308 NAND Flash FPGA 分區(qū) 起始地址
3d nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d nand的理解,并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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