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3d nand
3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)
不是“空中樓閣”:努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內(nèi)容生態(tài)
- 近日,努比亞宣布,將在MWC 2023上,公布全球首款由AI引擎驅(qū)動(dòng)3D平板:努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù), 這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點(diǎn),是否會(huì)向其他同類產(chǎn)品一樣,淪為“空中樓閣”。而今天,努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天,努比亞官方宣布, 努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內(nèi)容生態(tài)系統(tǒng),包含大量運(yùn)用裸眼3D技術(shù)的App,并獲得了來自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎,以及GAMELOFT等游戲開發(fā)商的內(nèi)容支持。
- 關(guān)鍵字: 努比亞 MWC 3D 游戲引擎
西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資,NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

- IT之家 2 月 7 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道,在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下,全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進(jìn)一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jī)電話會(huì)議上表示,2023 財(cái)年設(shè)備投資總額將達(dá)到 23 億美元(當(dāng)前約 156.17 億元人民幣)。據(jù)IT之家了解,這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元(當(dāng)前約 183.33 億元人民幣)下降了 14.8%,與 2022 年 8 月公布
- 關(guān)鍵字: NAND 內(nèi)存 西部數(shù)據(jù)
意法半導(dǎo)體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果: 適用于機(jī)器視覺和機(jī)器人的3D 立體視覺攝像頭

- 雙方將通過立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術(shù)演示3D立體深度視覺, *AIoT 、AGV小車和工業(yè)設(shè)備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運(yùn)動(dòng)物體參考設(shè)計(jì)利用意法半導(dǎo)體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器,確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測(cè)和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日,中國(guó)----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費(fèi)電子展上,服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),和專
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 鈺立 CES 2023 機(jī)器視覺 3D 立體視覺攝像頭
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費(fèi)性固態(tài)硬盤(Client SSD)受惠于疫情紅利,在過去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角,市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估,2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92%,2023年約96%。但隨疫情紅利退場(chǎng),加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍,未來消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯,連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限,估2022~2025年的年增率均低于30%。容量方面,2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB,512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后,已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近,甚至
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

- 在現(xiàn)代電子設(shè)備中,越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ),而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn),需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法,利用FPGA中RAM模塊,設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路,靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理,并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
- 關(guān)鍵字: NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測(cè) 202212
如何達(dá)到3D位置感測(cè)的實(shí)時(shí)控制

- 本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識(shí),并描述在機(jī)器人、篡改偵測(cè)、人機(jī)接口控制和萬(wàn)向節(jié)馬達(dá)系統(tǒng)中的用途;以及介紹高精密度線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測(cè)在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加,從工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng),到掃地機(jī)器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇;它們具有高重復(fù)性和可靠性,還可以與窗戶、門和外殼搭配,進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測(cè)。盡管如此,使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)有效且安全的3D感測(cè)系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時(shí)。霍爾效應(yīng)傳感器需要與足夠強(qiáng)大的微控制器(MCU)介接,以
- 關(guān)鍵字: 3D位置感測(cè) 實(shí)時(shí)控制 3D 霍爾效應(yīng)傳感器
全球首款!美光232層NAND客戶端SSD正式出貨
- 12月15日,美光宣布,已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(SSD)。據(jù)官方介紹,美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD,該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu),采用美光232層NAND技術(shù),加強(qiáng)了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計(jì)。美光2550 SSD可在包括游戲、消費(fèi)和商用客戶端等主流PC平臺(tái)上提升應(yīng)用程序的運(yùn)行速度和響應(yīng)靈敏度。與競(jìng)品相比,2550 SSD文件傳輸速度快112%,辦公應(yīng)用運(yùn)行速度快67%,主流游戲加載速度快57%,內(nèi)容創(chuàng)
- 關(guān)鍵字: 美光 232層 NAND SSD
韓國(guó)芯片出口暴降30%!SSD腰斬白菜價(jià)甩賣:SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國(guó)的重要支柱,芯片出口的多少,直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收,比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑,導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑,尤其是存儲(chǔ)芯片,需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示,在11月份的前20天,韓國(guó)芯片出口52.8億美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備,但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額,也同比下滑20.6%,降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是,全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了,至少在3000萬(wàn)部,這也
- 關(guān)鍵字: 三星 SK海力士 DRAM NAND
大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門禁系統(tǒng)方案

- 2022年11月16日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于耐能(Kneron)KL520芯片的3D AI人臉識(shí)別門禁系統(tǒng)方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門禁系統(tǒng)方案的展示板圖 在現(xiàn)代化經(jīng)濟(jì)建設(shè)和智能管理的驅(qū)動(dòng)下,人工智能門禁系統(tǒng)作為安防基礎(chǔ)核心迎來了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下,各種酒店、賓館、寫字樓、智能大廈、政府機(jī)關(guān)等單位,對(duì)于多功能智能門禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢(shì)下,大
- 關(guān)鍵字: 大聯(lián)大世平 耐能 Kneron 3D AI 人臉識(shí)別門禁
Arm Immortalis 實(shí)現(xiàn) 3D 游戲新境界
- 新聞重點(diǎn)· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計(jì)算解決方案,Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標(biāo)桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤,將為高級(jí)移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計(jì)算基礎(chǔ)可為新一代智能手機(jī)提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布,MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級(jí) GPU Arm Immortalis?-G
- 關(guān)鍵字: Arm Immortalis 3D 游戲
三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

- 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND,1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示:"市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求,推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3
- 關(guān)鍵字: 三星 V-NAND 存儲(chǔ)密度
三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存,PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

- IT之家 11 月 7 日消息,雖然還沒有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品,但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片,該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度,當(dāng)搭配高端主控使用時(shí),它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度,不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱,與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比,
- 關(guān)鍵字: V-NAND 閃存 三星
存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)字安全技術(shù)

- NAND 閃存用于各種消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品,從筆記本電腦和手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療設(shè)備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,如傳感器和控制器。 在我們?nèi)找婊ヂ?lián)的世界中,這些應(yīng)用程序中的所有脆弱點(diǎn)都需要足夠和強(qiáng)大的安全措施,包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。 因此,在選擇或設(shè)計(jì) NAND 閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí),必須確保存儲(chǔ)器的安全性滿足應(yīng)用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。 作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的“大腦”,NAND閃存控制器必須足夠強(qiáng)大以支持整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)所需的安全級(jí)別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性,涵蓋了最常見的硬件和軟件技術(shù),有助于告知讀
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)系統(tǒng) 數(shù)字安全 海派世通 NAND
SK海力士:未研究過“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃
- 近日,SK海力士考慮“撤出中國(guó)”、“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注,對(duì)此,SK海力士于10月26日就中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)作出澄清說明。SK海力士表示,公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)上,針對(duì)由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)受困的各種假想情境,作出了可能會(huì)考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中,“中國(guó)工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對(duì)可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場(chǎng)回復(fù),SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外,針對(duì)美國(guó)對(duì)芯片設(shè)備出口的管制,SK海力士表示,
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM NAND
臺(tái)積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺(tái)積電10月27日宣布,成立開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導(dǎo)體發(fā)展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉,3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺(tái)積電的3DFabric技術(shù),使得他們能夠與臺(tái)積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案,也
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
3d nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d nand的理解,并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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