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碳化硅用于電機驅動

- 0? ?引言近年來,電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起,即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG 材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進入市場的時間比氮化鎵長,通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調(diào)(HVAC)、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動的能效和可靠性是降低
- 關鍵字: 202106 MOSFET WBG 202106
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢

- 摘要隨著汽車電動化推進,智能充電基礎設施正在迅速普及,智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應用也是方興未艾,越來越多的應用領域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現(xiàn),證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢,例如,將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例,并與硅功率半導體進行了輸出功率和開關頻率比較。前言隨著汽車電動化推進,智能充電基礎設施正在迅速普及,智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
- 關鍵字: MOSFET IGBT
貿(mào)澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議

- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導體制造商。簽訂本協(xié)議后,貿(mào)澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品,包括二極管、整流器和晶體管。貿(mào)澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝,與傳統(tǒng)晶圓工藝相比,該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
- 關鍵字: MOSFET
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊,適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應用的快速開關
- 近日,英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品,該模塊采用有源鉗位三電平(ANPC)拓撲結構,并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統(tǒng)(ESS)這樣的快速開關應用,還有助于提高太陽能系統(tǒng)的額定功率和能效,并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統(tǒng)與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)(cos φ)范
- 關鍵字: MOSFET
安森美半導體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor),近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊,進一步增強其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車 (EV) 市場的產(chǎn)品系列。隨著電動車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施,以提供一個快速充電站網(wǎng)絡,使他們能夠快速完成行程,而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點,緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面
- 關鍵字: MOSFET
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度

- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET,該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝,適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件,更重要的是,它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外,這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能,從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
- 關鍵字: Nexperia 低RDS(on) MOSFET
通過節(jié)省時間和成本的創(chuàng)新技術降低電源中的EMI

- 隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高,降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關鍵的系統(tǒng)設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進度,浪費大量時間和資金,因此必須在設計之初就考慮 EMI 問題。開關模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術中普遍使用的電路之一,在大多數(shù)應用中,該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的,因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 的開關會產(chǎn)生大量 EMI,進而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關節(jié)
- 關鍵字: MOSFET
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金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]
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