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安森美半導體高能效方案賦能機器人創(chuàng)新,助力工業(yè)自動化升級

  • 工業(yè)自動化簡單說來指從人力制造轉向機器人制造,涉及信息物理系統(CPS)、物聯網(IoT)/工業(yè)物聯網(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術,可實現經濟增長和利潤最大化,提高生產效率,并避免人力在執(zhí)行某些任務時的安全隱患。安森美半導體為工業(yè)自動化提供全面的高能效創(chuàng)新的半導體方案。其中,機器人半導體方案構建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動化-機器人半導體方案構建框圖電機控制設計人員可采用安森美半導體的無刷直流電機(BLDC)控制器實現BLDC電機控制,如高
  • 關鍵字: MOSFET  BLDC  IoT  IIoT  

功率半導體-馬達變頻器內的關鍵組件

  • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅動工業(yè)應用中的馬達,而全球工業(yè)產業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
  • 關鍵字: IGBT7  SiC MOSFET  馬達變頻器  功率半導體  英飛凌  

功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展,CEF下半年成都上海再相見

  • 2021年4月11日,為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕,展會與第九屆中國電子信息博覽會(CITE2021)同期舉辦,現場有超1500家參展商參展,共發(fā)布近萬件新產品、新技術,全方位、多角度展示我國電子信息產業(yè)的最新發(fā)展成果。同時,博覽會期間還舉辦了近100場同期活動,吸引了超過10萬名專業(yè)觀眾到場參觀,500余萬觀眾線上觀展。據主辦方介紹,展會以“創(chuàng)新驅動 高質量發(fā)展”為主題,展覽展示、論壇會議和現場活動三大板塊聯動,三位一體,亮點紛呈。亮點一展覽:展示最新產品?9號館——基礎
  • 關鍵字: MOSFET  

碳化硅技術如何變革汽車車載充電

  • 日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間,根據最近的趨勢,到2024年的復合年增長率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設計中的汽車,提高系統能效或定義一種高度可靠的新拓撲結構已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統的簡單功率因數校正(PFC)拓撲結構(圖1)是個傳統的單通道升壓轉換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器,以增加負載的功率因數,從
  • 關鍵字: MOSFET  PFC  

Vishay推出全球領先的汽車級80 V P溝道MOSFET,以提高系統能效和功率密度

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平,可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車級M
  • 關鍵字: MOSFET  

72V 混合式 DC/DC 方案使中間總線轉換器尺寸銳減 50%

  • 背景資訊大多數中間總線轉換器 (IBC) 使用一個體積龐大的電源變壓器來提供從輸入至輸出的隔離。另外,它們一般還需要一個用于輸出濾波的電感器。此類轉換器常用于數據通信、電信和醫(yī)療分布式電源架構。這些 IBC 可由眾多供應商提供,而且通常可放置于業(yè)界標準的 1/16、1/8 和 1/4 磚占板面積之內。典型的 IBC 具有一個 48V 或 54V 的標稱輸入電壓,并產生一個介于 5V 至 12V 之間的較低中間電壓以及從幾百 W 至幾 kW 的輸出功率級別。中間總線電壓用作負載點穩(wěn)壓器的輸入,將負責給 FP
  • 關鍵字: MOSFET  IBC  

意法半導體發(fā)布隔離式柵極驅動器,可安全控制碳化硅MOSFET

  • STGAP2SiCS能夠產生高達26V的柵極驅動電壓,將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V,滿足SiC MOSFET開關管正常導通要求。如果電源電壓低引起驅動電壓太低,UVLO保護機制將確保MOSFET處于關斷狀態(tài),以免產生過多的耗散功率。這款驅動器有雙兩個輸入引腳,讓設計人員可以定義柵極驅動信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅動輸出之間設計6kV電氣隔離,電隔離有助于確保消費電子和工業(yè)設備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅動能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅動裝置、風扇、電磁爐、電焊機
  • 關鍵字: MOSFET  UVLO  

電機驅動系統:新一代功率解決方案提升能效和可靠性

  • 1? ?電機驅動系統的關鍵是可靠性和能效電機在現代生活中無處不在, 從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎設施。根據國際能源署 (International Energy Agency) 的數據,電機占全球總電力消耗的45%,因此電機驅動電子設備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應用產生影響。工業(yè)自動化和機器人是電機最重要的應用之一,隨著傳統機器人、協作機器人和自主移動機器人的采用,我們看到工廠和其他設施變得更加自動化。一種提高電機驅動系統能效的方法是,以基于三相
  • 關鍵字: MOSFET  IPM  202103  

基于LCC拓撲的2相輸入300W AC-DC LED電源

  • 近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計算機服務器、電信設備、燈具和消費電子等各種應用場景。諧振變換器可以很容易地實現高能效,其固有的較寬的軟開關范圍很容易實現高頻開關,這是一個關鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器),副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器,其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
  • 關鍵字: MOSFET  IC  

開關模式電源電流檢測

  • 開關模式電源有三種常用電流檢測方法是:使用檢測電阻,使用MOSFET RDS(ON),以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優(yōu)點和缺點,選擇檢測方法時應予以考慮。檢測電阻電流作為電流檢測元件的檢測電阻,產生的檢測誤差最低(通常在1%和5%之間),溫度系數也非常低,約為100 ppm/°C (0.01%)。在性能方面,它提供精度最高的電源,有助于實現極為精確的電源限流功能,并且在多個電源并聯時,還有利于實現精密均流。圖1.RSENSE電流檢測另一方面,因為電源設計中增加了電流檢測電阻,所以電阻也會產
  • 關鍵字: MOSFET  DCR  

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊,有助于提升工業(yè)設備效率和小型化

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,面向工業(yè)應用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產品將于2021年5月投入量產。為達到175℃的通道溫度,該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統等工業(yè)應用對高效緊湊設備的需求。◆? ?應用●? ?用于軌道車輛的逆變器和轉換
  • 關鍵字: MOSFET  

開關模式電源電流檢測——第二部分

  • 電流檢測電阻的位置連同開關穩(wěn)壓器架構決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。放置在降壓調節(jié)器高端對于降壓調節(jié)器,電流檢測電阻有多個位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時(如圖1所示),它會在頂部MOSFET導通時檢測峰值電感電流,從而可用于峰值電流模式控制電源。但是,當頂部MOSFET關斷且底部MOSFET導通時,它不測量電感電流。圖1 帶高端RSENSE
  • 關鍵字: MOSFET  

Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產品系列,推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產品

  • 關鍵半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術的半橋(高端和低端)汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應用(包括電機驅動器和DC/DC轉換器)的標準構建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比,由于去掉了PCB線路,其占用的PCB面積減少了30%,同時支持在生產過程中進行簡單的自動光學檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產品采用現有的大批量LFPAK56D封裝工藝,并具有成熟的汽車級
  • 關鍵字: Nexperia  MOSFET  AEC-Q101  

采用 23mm x 16.5mm 封裝的 170W 倍壓器

  • 設計要點 DN571 - 引言對于高電壓輸入/輸出應用,無電感型開關電容器轉換器 (充電泵) 相比基于電感器的傳統降壓或升壓拓撲可顯著地改善效率和縮減解決方案尺寸。通過采用充電泵取代電感器,一個 “跨接電容器” 可用于存儲能量和把能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠高于電感器,因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是,由于在啟動、保護、柵極驅動和穩(wěn)壓方面面臨挑戰(zhàn),所以充電泵傳統上一直局限于低功率應用。ADI公司的LTC7820 克服了這些問題,可實現高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案
  • 關鍵字: MOSFET  

在可再生能源應用的逆變器設計中使用SPWM發(fā)生器

  • 可再生能源仍然是世界范圍內的大趨勢。隨著捕獲風能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展,可再生能源系統的成本和效率對公司和消費者都越來越有吸引力。實際上,2016年,全球對可再生能源的資本投資跌到了多年來最低水平,但是卻創(chuàng)下了一年內可再生能源設備安裝數量最多的記錄。在用于可再生能源系統的組件中,逆變器是一項尤其關鍵的系統組件。由于大多數可再生能源都是通過直流電(DC)產生的,因此逆變器在將直流電(DC)轉換為交流電(AC)以有效整合到現有電網中起著關鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動力系統和微電
  • 關鍵字: PWM  AC  DC  MOSFET  SPWM  
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mosfet介紹

  金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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