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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

- 過去幾年,實際應用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象,并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過去幾年,實際應用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象,并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化,現(xiàn)在,全新推出的CoolSiC? MO
- 關鍵字: 英飛凌 MOSFET
當SiC MOSFET遇上2L-SRC

- 導讀】事物皆有兩面:SiC MOSFET以更快的開關速度,相比IGBT可明顯降低器件開關損耗,提升系統(tǒng)效率和功率密度;但是高速的開關切換,也產生了更大的dv/dt和di/dt,對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應用痛點氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機控制器功率35kW上下,轉速高達10萬轉以上,輸出頻率可達2000Hz,調制頻率50kHz以上是常見的設計,SiC MOSFET是很好的解決方案。但是,SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二:1.采用大的柵
- 關鍵字: 英飛凌 MOSFET 2L-SRC
常見MOSFET失效模式的分析與解決方法

- 提高功率密度已經成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達到這個目標,需要提高開關頻率,從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。對于當今的開關電源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(ZVS) 或零電流開關(ZCS) 拓撲允許采用高頻開關技術,可以 大限度地降低開關損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開 關下,能夠改善效率,能夠降低應用的尺寸,還能夠降 低功率開關的應力,因此可以改善系統(tǒng)的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用,包括高端服務
- 關鍵字: MOSFET
瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現(xiàn)最佳效率

- 2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開幕,作為全球領先的功率半導體供應商,瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs,第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產品重磅回歸PCIM Europe展會,全方位展示行業(yè)領先的技術、產品應用和解決方案,和諸多業(yè)內伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展,是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
- 關鍵字: SiC MOSFET 瑞能半導體 PCIM Europe
10A電子保險絲可為48 V電源提供緊湊型過流保護

- 摘要傳統(tǒng)上,過流保護使用的是保險絲。但是,保險絲體積龐大,響應速度慢,跳閘電流公差大,需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應速度快的10 A電子保險絲,它沒有上述這些無源保險絲缺點。電子保險絲可在高達48 V的DC電源軌上提供過流保護。簡介為了盡量減少由電氣故障引起的系統(tǒng)停機時間,使用率高的電源或全年無休的系統(tǒng)需要在供電板上增加過載和短路保護。當電源為多個子系統(tǒng)或板(例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務器和路由器)供電時,必須為電源提供過流保護??焖贁嚅_發(fā)生故障的子系統(tǒng)與共享電源總
- 關鍵字: MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]
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