国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan ic

GaN IC縮小電機驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間

  • EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計，增強了電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設(shè)計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅(qū)動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
  • 關(guān)鍵字： GaN IC  電機驅(qū)動器  

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設(shè)計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
  • 關(guān)鍵字： GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

功率GaN RF放大器的熱考慮因素

  • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長的使用壽
  • 關(guān)鍵字： Wolfspeed  放大器  GaN  

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

  • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計得以實現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
  • 關(guān)鍵字： TI  GaN  

西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

  • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
  • 關(guān)鍵字： 西門子  聯(lián)華電子  3D IC  混合鍵合流程  

大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案

  • 2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹闹匾ぞ?，然而隨著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來越多，設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無法滿足用戶對
  • 關(guān)鍵字： 大聯(lián)大友尚  onsemi  GaN System  PD快充電源  

使用集成GaN解決方案提高功率密度

  • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計得以實現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
  • 關(guān)鍵字： 德州儀器  GaN  功率密度  

GaN將在數(shù)據(jù)服務(wù)器中挑起效率大梁

  • 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個重點領(lǐng)域，這是因為服務(wù)器及其冷卻系統(tǒng)對能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉(zhuǎn)換、節(jié)能、減少對冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴展性。數(shù)字化和云端服務(wù)的快速建置推動了全球數(shù)據(jù)服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規(guī)模的成長。今天，數(shù)據(jù)服務(wù)器消耗了全球近1%的電力，這個數(shù)字預(yù)計會不斷的成長下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實境和虛擬現(xiàn)實，所消耗大量電力將遠(yuǎn)超現(xiàn)今地球上所能
  • 關(guān)鍵字： GaN  數(shù)據(jù)服務(wù)器  效率  

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

  • 在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一?；诠瑁⊿i）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應(yīng)用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
  • 關(guān)鍵字： 貿(mào)澤電子  GaN  

東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點

  • 和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應(yīng)用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC（車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
  • 關(guān)鍵字： 202207  東芝    共源共柵  GaN  

西門子推出 Symphony Pro 平臺，大幅擴展混合信號 IC 驗證能力

  • ·    西門子先進(jìn)的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產(chǎn)效率多達(dá)10倍·    Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數(shù)字驗證方法學(xué)，適用于當(dāng)今前沿的混合信號設(shè)計 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺，基于原有的　Symphony 混合信號驗證能力，進(jìn)一步擴展功能，以全面、直觀的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標(biāo)準(zhǔn)化驗證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
  • 關(guān)鍵字： 西門子  混合信號 IC  驗證  

Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢

  • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
  • 關(guān)鍵字： Transphorm  GaN  

打造驅(qū)動第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

  • 受訪人：亞德諾半導(dǎo)體　　大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
  • 關(guān)鍵字： 202207  ADI  第三代半導(dǎo)體  IC  功率器件  

東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應(yīng)用痛點

  • 受訪人：黃文源  東芝電子元件（上海）有限公司半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部技術(shù)企劃部高級經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　回答：自從半導(dǎo)體產(chǎn)品面世以來，硅一直是半導(dǎo)體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導(dǎo)體的出現(xiàn)，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導(dǎo)體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導(dǎo)體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導(dǎo)體的
  • 關(guān)鍵字： 東芝  GaN  級聯(lián)共源共柵  

第三代半導(dǎo)體市場的“互補共生”

  • 　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個人電子市場的定制電源設(shè)計。他的團隊每年負(fù)責(zé)500項設(shè)計，并在過去20年中設(shè)計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
  • 關(guān)鍵字： TI  第三代半導(dǎo)體  GaN  SiC  
共1787條 11/120 |‹ « 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 » ›|

gan ic介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan ic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan ic的理解，并與今后在此搜索gan ic的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473