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探索IC電源管理新領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)應用
- 本文深入探討物聯(lián)網(wǎng)電池技術(shù)，并提出設計人員可能面臨的一些電源問題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協(xié)助克服物聯(lián)網(wǎng)裝置中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯(lián)網(wǎng)裝置越來越密集地應用于工業(yè)設備、家庭自動化和醫(yī)療應用中，透過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時間（對于可攜式物聯(lián)網(wǎng)裝置）來優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來越大。相關(guān)的要求是所有這些都必須以小尺寸實現(xiàn)，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實現(xiàn)無線通信。 物聯(lián)網(wǎng)裝置的應用領(lǐng)域幾乎沒有止境，每天都會考慮新的裝置和使用情況。
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英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）
- 【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉(zhuǎn)換應用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。 英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術(shù)為打造更加
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幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設計必須掌握的要點
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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半導體渠道商：庫存降低速度慢于預期
- IT之家 2 月 27 日消息，據(jù)臺灣地區(qū)經(jīng)濟日報報道，半導體庫存問題不僅 IC 設計廠商需要面對，下游 IC 渠道商為顧及長期合作關(guān)系，也常要與芯片原廠“共渡難關(guān)”。即便目前陸續(xù)傳出部分芯片有小量急單需求，有 IC 渠道廠商坦言，目前庫存去化速度還是比原本估計慢。IC 渠道廠商分析，市場目前的短單是否是曇花一現(xiàn)，通貨膨脹、美聯(lián)儲加息狀況、俄烏沖突以及國內(nèi)是否會有報復性買盤需求等是觀察重點。不具名的 IC 渠道廠商透露，目前庫存去化狀況不如預期，假設原本估計的庫存去化速度是進 0.5 個月的貨，
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基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案
- 小耳朵衛(wèi)星天線,在于一些偏遠地區(qū)常見,用于收看衛(wèi)星電視節(jié)目,由于衛(wèi)星電視的信號非常微弱，所以我們需要一個拋物面天線來聚焦信號，還需要一個高頻頭，也稱為LNB或LNBF，通常LNB和饋源安裝在天線的焦點上來收集信號。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block)，即低噪聲下變頻器，其功能是將由饋源傳送的衛(wèi)星信號經(jīng)過放大和下變頻，把Ku或C波段信號變成L波段，經(jīng)同軸電纜傳送給衛(wèi)星接收機,每只LNB只能用于某一波段，因為S、C和KU波段需要不同的波導管。也有一些類型是用于圓極化和線極化信號接收的，它們主要在
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氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設計策略概要
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只有合理設計能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現(xiàn)實現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路的 PCB 設計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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納芯微新品，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關(guān)管的半橋芯片NSD2621
- 前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅(qū)動器會在單獨的芯片上帶有驅(qū)動器的分立晶體管，受到驅(qū)動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關(guān)節(jié)點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會導致信號傳輸?shù)牟▌?。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅(qū)動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關(guān)管；集成化的
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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
- 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動器和兩顆650V耐壓的GaN開關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動電流2A/-4A 03.&n
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基于安森美半導體高頻率準諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡、機器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?產(chǎn)品實體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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基于安森美半導體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡、機器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅(qū)動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
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英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
- 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動和電池供電設備供電的主流標準。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發(fā)展的主要驅(qū)動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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14年后 全球半導體行業(yè)突然按下“暫停鍵”：減支力度高達19%
- 以存儲芯片廠商為代表，包括美光、SK海力士等在內(nèi)，均宣布將減少明年的資本支出，這些錢一般用于擴建擴產(chǎn)等，反映出行業(yè)的低迷。實際上，整個半導體行業(yè)的日子都不太好過。日前，統(tǒng)計機構(gòu)IC Insights發(fā)布最新研報，預測明年全產(chǎn)業(yè)的資本支出將同比下滑19%，在1466億美元左右。據(jù)悉，這是繼2008~2009金融危機以來的最大降幅，當時的降幅一度高達40%?？勺鰧Ρ鹊氖?，半導體資本支出在過去今年迎來了高速增長，2021年增長35%達到1531億美元，今年預計將增長19%達到1817億美元，創(chuàng)下歷史新高。
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基于安森美半導體NCP1342驅(qū)動GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案
- 此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時輸出時，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅(qū)動與MOS均采用美國安森美半導體技術(shù)！?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構(gòu)，COST
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格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片
- 據(jù)外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱，電動汽車的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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