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TrendForce:預(yù)計第三季度驅(qū)動 IC 價格降幅將擴大至 8%-10%

- IT之家 7 月 15 日消息,TrendForce 集邦咨詢報告顯示,在供需失衡、庫存高漲的狀況下,預(yù)計第三季度驅(qū)動 IC 的價格降幅將擴大至 8%-10% 不等,且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到,TrendForce 集邦咨詢進一步表示,中國面板驅(qū)動 IC 供貨商為了鞏固供貨動能,更愿意配合面板廠的要求,價格降幅可達(dá)到 10%-15%。報告指出,在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下,面板驅(qū)動 IC 價格不排除將持續(xù)下跌,且有極大可能會比預(yù)估的時間更早回到 2019 年的起漲點。此外,TrendFor
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GaN是否具有可靠性?或者說我們能否如此提問?

- 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前,您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是,沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世,電源設(shè)計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實上,GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同,比如“這是否通過了鑒定?”盡管GaN器件也通過了硅鑒定,但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個合理的觀點,因
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無毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個概念

- 可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求,因為它可以提高系統(tǒng)可靠性,并在電壓瞬變和電源故障時提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個稱為上電復(fù)位(VPOR)的最低電壓來生成明確或可靠的復(fù)位信號,而在該最低電源電壓到來之前,復(fù)位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來說,我們將其稱之為復(fù)位毛刺。復(fù)位引腳主要有兩種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),即開漏和推挽(圖1),兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復(fù)位拓?fù)涞拈_漏配置和推挽配置圖2. 復(fù)位電壓如何與上拉電壓(VPULLUP)
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破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

- SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性,能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時,SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn),稍有不慎就無法獲得正確的波形,從而嚴(yán)重影響到器件評估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中,最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動電壓VGS的測量,包括兩個部分:開關(guān)過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的,這會導(dǎo)致設(shè)備和人員危險,同時還會由
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動2D/3D IC升級

- 比利時微電子研究中心(imec)于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)結(jié)構(gòu),將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上。微縮化的鰭式場效晶體管(FinFET)透過這些埋入式電源軌(BPR)實現(xiàn)互連,性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔(nTSV)與埋入式電源軌(BPR)連接至晶圓背面,與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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2021-2022年度(第五屆)中國 IC 獨角獸榜單出爐
- 集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè),是世界主要國家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟制高點的必爭領(lǐng)域。為了進一步鼓勵我國具有市場競爭實力和投資價值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展,進一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式,挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè),對優(yōu)秀企業(yè)進行系統(tǒng)化估值,提升企業(yè)的國際和國內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動的基礎(chǔ)上,由賽迪顧問股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022(第五屆)中國IC獨角獸遴選活動歷時兩個月,收到企業(yè)自薦及機構(gòu)推薦
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GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板在貿(mào)澤開售

- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優(yōu)異,同時減少了組件總數(shù),節(jié)省了寶貴的電路板空間。 貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動器和兩
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Qorvo 助力簡化 GaN PA 偏置
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出 ACT41000-104-REF1,這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設(shè)計,可加強 Qorvo GaN PA 的設(shè)計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET,運行時需要施加負(fù)柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中,需要以特定的順序進行偏置:提高漏極偏置電壓之前,必須施加負(fù)柵極電壓,以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
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學(xué)貫中西(8):從GAN領(lǐng)悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道

- 1 回顧:GAN里的兩個角色在上一期里,詳細(xì)介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的 兩個角色:生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者,又稱為創(chuàng)新者,而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領(lǐng)域,其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是: G( 創(chuàng)新者 ) 負(fù)責(zé)創(chuàng)作圖片;而 D( 鑒賞者 ) 負(fù)責(zé)辨別一 張圖像的真或假,然后引領(lǐng) G 逐步改進,止于完美逼 近目標(biāo)。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式,屬于 AI 機器與機器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而,在 AI 科技不斷
- 關(guān)鍵字: 202206 GAN 人機協(xié)同
EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺

- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇",為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持,從而了解氮化鎵(GaN)技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設(shè),為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外,用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外,
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毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

- 5G 通信正在改變我們的生活,同時也在促進產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型,為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應(yīng)用想象空間與市場機會,例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境,高質(zhì)量醫(yī)療,并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車,等等?!?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡(luò)可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性,例如縮短延遲時間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里,更強的連接可以改善人機互動,并降低事故風(fēng)險?!?提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠(yuǎn)程監(jiān)測,進行生命體征檢測,并將信息傳輸給基于云的診斷
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第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

- 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預(yù)測,到2023 年,5G 用戶數(shù)量將達(dá)10 億;2022 年底,5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施將承載近15%的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎(chǔ)設(shè)施對射頻半導(dǎo)體器件的硬性要求。對于整個第三代半導(dǎo)體技術(shù),尤其是氮化鎵(GaN),5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比,GaN 器件的開關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高,適合1-110 GHz的高頻通信應(yīng)用,涵蓋移動通信、無線網(wǎng)絡(luò)、點對點和點對多點微波通
- 關(guān)鍵字: 202206 第三代半導(dǎo)體 GaN
不畏亂流 半導(dǎo)體市場逆風(fēng)揚
- 隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升,加上大陸因疫情實施封控,以及俄烏戰(zhàn)爭懸而未決,經(jīng)濟逆風(fēng)對今年全球經(jīng)濟成長將造成挑戰(zhàn),但包括Gartner及IC Insights等市調(diào)機構(gòu)仍預(yù)估,今年全球半導(dǎo)體市場仍會較去年成長一成以上。IC Insights表示,今年全球半導(dǎo)體總銷售額仍可年增11%,與今年初預(yù)測相同,但外在變化造成的不確定性,導(dǎo)致芯片銷售成長幅度或有消長。其中,微處理器及功率分離式組件銷售將高于先前預(yù)期,包括嵌入式處理器及手機應(yīng)用處理器成長強勁,功率組件價格續(xù)漲且成長幅度增加,至于CMOS影像傳感器
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TI:運用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率
- 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮,26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示,TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵(GaN)技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更高效率」為題,分享設(shè)計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達(dá)成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示,隨著各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,從而也提高了運算能力的需求,TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調(diào),
- 關(guān)鍵字: TI GaN 數(shù)據(jù)中心 能源效率
學(xué)貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

- 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里,我們說明了天字第一號模型:分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應(yīng)用:GAN(generative adversarial networks,生成對抗網(wǎng)絡(luò))。自從2014 年問世以來,GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領(lǐng)域,就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆,使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮,常常創(chuàng)作出很特別的效果,給人們許多驚喜的感覺,例如圖1。?圖1近年來,非同質(zhì)化代幣NFT(
- 關(guān)鍵字: 202205 生成對抗網(wǎng)路 GAN
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您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan ic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan ic的理解,并與今后在此搜索gan ic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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