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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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IC 設(shè)計市況不明

  • IC 設(shè)計市場氣氛詭譎難辨，相關(guān)公司只能邊走邊看。
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深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊

  • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現(xiàn)商用，6 英寸
  • 關(guān)鍵字： GaN-on-Si  氮化鎵  

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

  • 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  GaN  電源管理  

基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案

  • 1. CPU Vcore 簡介:VCORE轉(zhuǎn)換器（調(diào)節(jié)器）是在臺式個人電腦、筆記本式個人電腦、服務(wù)器、工業(yè)電腦等計算類設(shè)備中為CPU（中央處理器）內(nèi)核或GPU（圖形處理器）內(nèi)核供電的器件，與普通的POL（負(fù)載點(diǎn)）調(diào)節(jié)器相比，它們要滿足完全不同的需要：CPU/GPU都表現(xiàn)為變化超快的負(fù)載，需要以極高的精度實(shí)現(xiàn)動態(tài)電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿足一定的負(fù)載線要求，需要在不同的節(jié)能狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，需要提供不同的參數(shù)測量和監(jiān)控。在VCORE轉(zhuǎn)換器與CPU之間通常以串列
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什么是混合信號 IC 設(shè)計？

  • 在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內(nèi)置在傳感器外殼中。現(xiàn)代 IC 通常由來自各個領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統(tǒng) (SoC) 和系統(tǒng)級封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個 IC 上的每個 IC 設(shè)計域，或包含各種半導(dǎo)體工藝和子 IC 的封裝。本簡介概述了典型混合信號 IC 設(shè)計流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號 IC 設(shè)計流程的視圖——同時具有模擬和數(shù)字電路的 IC 設(shè)計流程。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器——
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高電壓技術(shù)是構(gòu)建更可持續(xù)未來的關(guān)鍵

  • 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新讓設(shè)計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载?fù)責(zé)的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費(fèi)任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng)新是實(shí)現(xiàn)能源可持續(xù)的關(guān)鍵?！?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
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德州儀器推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的獨(dú)立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設(shè)計

  • 中國上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的獨(dú)立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實(shí)施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能，同時滿足 EMI 監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。 隨著電氣系統(tǒng)變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項(xiàng)關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實(shí)驗(yàn)室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創(chuàng)新開發(fā)，新的獨(dú)立式有源 EMI 濾波器 I
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GaN 出擊

  • 自上世紀(jì)五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  

基于Navitas NV6115的150W電源解決方案

  • 傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體被設(shè)計用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個方面的原因-傳導(dǎo)和開關(guān)切換，設(shè)備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，其改善開關(guān)切換的延遲時間。納微（Navitas）半導(dǎo)體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅(qū)動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現(xiàn)許多軟開關(guān)拓?fù)浜蛻?yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
  • 關(guān)鍵字： NAVITAS  NV6115  NV6117  GAN  

GaN 良率受限，難以取代 IGBT

  • GaN 要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
  • 關(guān)鍵字： GaN  

市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道

  • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  收購  SiC  GaN  

晶圓廠貨源多元布局，代工報價面臨壓力

  • IT之家 3 月 13 日消息，據(jù)臺媒中央社報道，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣反轉(zhuǎn)向下，晶圓代工產(chǎn)能松動，IC 設(shè)計廠為強(qiáng)化供應(yīng)鏈，同時因未來可能變化的需求，紛紛針對貨源展開多元布局，晶圓代工報價恐將面臨壓力。臺媒指出，晶圓代工廠今年來因?yàn)榻K端市場需求疲弱，供應(yīng)鏈持續(xù)調(diào)整庫存，產(chǎn)能明顯松動，世界先進(jìn)第一季度產(chǎn)能利用率恐較去年第四季度下滑 10 個百分點(diǎn)，力積電將降至 6 成多水準(zhǔn)，聯(lián)電第一季度產(chǎn)能利用率也將降至 7 成。IC 設(shè)計廠多數(shù)表示，晶圓代工廠并未調(diào)降代工價格，不過廠商針對配合預(yù)先投片備貨的客戶提供優(yōu)
  • 關(guān)鍵字： 晶圓代工  IC 設(shè)計  

GaN 時代來了？

  • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機(jī)車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)

  • 當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機(jī)、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動等高功率應(yīng)用中實(shí)施。實(shí)現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機(jī)、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動等高功
  • 關(guān)鍵字： GaN  HEMT  短路保護(hù)  
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