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3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)
三星1000層NAND目標(biāo),靠它實(shí)現(xiàn)
- 三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實(shí)現(xiàn)目標(biāo),且可能是關(guān)鍵。目前,三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器,而據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術(shù),堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑,為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是,KAIST的研究
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三星1000層NAND目標(biāo),靠它實(shí)現(xiàn)?
- 三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實(shí)現(xiàn)目標(biāo),且可能是關(guān)鍵。目前,三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器,而據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術(shù),堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑,為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是,KAIST的
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SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品,將于今年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比,長(zhǎng)期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善,其使用壽命也提升40%· “繼HBM后,也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)(On-Device)AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品,其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
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第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估,第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%,全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小,約10%。403地震發(fā)生前,TrendForce集邦咨詢?cè)阮A(yù)估,第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出,現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱,上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機(jī)
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累計(jì)上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%
- 5月6日消息,供應(yīng)鏈爆料稱,SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià),漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法,海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調(diào),目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩。靠著存儲(chǔ)漲價(jià),三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.606萬(wàn)億韓元。財(cái)報(bào)顯示,三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元,環(huán)比增長(zhǎng)11%,同比暴漲96%,在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示,一季度存儲(chǔ)市場(chǎng)總體需求強(qiáng)勁,特別是生
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng),聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題,將裝置中
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聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)
- 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì),公布2024年第一季財(cái)報(bào),合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣,較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升,仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下,特殊制程占總營(yíng)收
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美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品
- Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn),并在部分?Crucial?英睿達(dá)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)中出貨。與此同時(shí),美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶量產(chǎn),并向?PC OEM?廠商出樣。這些進(jìn)展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領(lǐng)域的長(zhǎng)期領(lǐng)導(dǎo)地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動(dòng)
- 關(guān)鍵字: 美光 QLC NAND
如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
- 關(guān)鍵字: 3D-IC
Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體,最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布,是對(duì)我們3D視覺(jué)相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中,我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(zhǎng)的工作距離,速度更快,點(diǎn)云質(zhì)量更好,特別是在透明物體上。升級(jí)要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級(jí)。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí),我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
- 關(guān)鍵字: Zivid 3D 機(jī)器人
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中,內(nèi)存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出,已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下,HBM 內(nèi)存很火,它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM,數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升,但是,隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展,HBM 的帶寬也有限制,而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問(wèn)題,但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下,3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前,各大內(nèi)存芯片廠商,以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作,并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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群聯(lián)3月?tīng)I(yíng)收年增73%,創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄
- 近日,存儲(chǔ)廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運(yùn)結(jié)果,合并營(yíng)收為新臺(tái)幣67.75億元,年成長(zhǎng)達(dá)73%,刷新歷史單月?tīng)I(yíng)收新高紀(jì)錄。全年度營(yíng)收累計(jì)至3月份達(dá)新臺(tái)幣165.26億元,年成長(zhǎng)達(dá)64%,為歷史同期次高。群聯(lián)表示,2024年3月份SSD控制芯片總累計(jì)總出貨量年成長(zhǎng)達(dá)96%,其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達(dá)176%,刷新歷史單月新高。此外,全年度累計(jì)至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長(zhǎng)率(Bit Growth Rate)也達(dá)80%,刷新歷史同期新高,顯示整體市場(chǎng)需求持續(xù)緩步回升趨勢(shì)不
- 關(guān)鍵字: 群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤(pán) NAND Flash
3D NAND,1000層競(jìng)爭(zhēng)加速
- 據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布,該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 存儲(chǔ)芯片 鎧俠
3D NAND,1000層競(jìng)爭(zhēng)加速!
- 據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布,該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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3d nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d nand的理解,并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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