驅(qū)動(dòng)器文章進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器技術(shù)社區(qū)

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動(dòng)器方案

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強(qiáng)了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶的價(jià)值主張。不同于同類競(jìng)爭(zhēng)的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動(dòng)器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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提升馬達(dá)控制驅(qū)動(dòng)器整合度、最大化靈活性

本文敘述三相永磁無刷直流（BLDC）馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種換向方法在復(fù)雜性、力矩波動(dòng)和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；同時(shí)提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，以及馬達(dá)控制器IC在三種換向方法的作用。與傳統(tǒng)的有刷直流馬達(dá)的機(jī)械自換向不同，三相永磁無刷直流（Brushless DC ；BLDC）馬達(dá)控制需要一個(gè)電子換向電路。本文簡(jiǎn)要回顧BLDC馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種最廣泛使用的換向方法在復(fù)雜性、力矩波動(dòng)和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；然后提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，并探討安森美（onsemi）的新款馬達(dá)控制
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幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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單芯片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET（DrMOS）技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。隨著技術(shù)的進(jìn)步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊（VRM）提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率，高
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用于汽車負(fù)載應(yīng)用的上橋 SmartFET 驅(qū)動(dòng)器

上橋 SmartFET 因其易于使用和高水平的保護(hù)而越來越受歡迎。與標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 一樣，SmartFET 非常適合各種汽車應(yīng)用。它們的區(qū)別在于內(nèi)置在上橋 SmartFET 器件中的控制電路?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)控輸出電流和器件溫度，同時(shí)針對(duì)電壓瞬變和其他意外應(yīng)用條件提供被動(dòng)保護(hù)。這種主動(dòng)和被動(dòng)保護(hù)功能的結(jié)合確保了穩(wěn)定可靠的應(yīng)用方案，延長(zhǎng)了器件本身及其所保護(hù)的應(yīng)用負(fù)載的使用壽命。安森美(onsemi)現(xiàn)在提供從 45 mΩ到 160 mΩ的上橋 SmartFET系列?。這些器件是受保護(hù)的單通道上橋
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驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較

在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文中，我們將通過雙脈沖測(cè)試來確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以大大降低導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗。?如果ID導(dǎo)通峰值或VDS關(guān)斷浪涌因開關(guān)速度提升而增加，就需要采取對(duì)策。在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文
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具有故障存儲(chǔ)功能的數(shù)字化IGBT驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)軌道交通領(lǐng)域IGBT的使用要求，設(shè)計(jì)了一款基于可編程邏輯器件并具有故障存儲(chǔ)功能的數(shù)字化驅(qū)動(dòng)器。文章介紹了驅(qū)動(dòng)器總體方案，設(shè)計(jì)了多電壓軌電源系統(tǒng)；分析了異常驅(qū)動(dòng)信號(hào)對(duì)IGBT正常工作的危害，并通過軟件算法實(shí)現(xiàn)了短脈沖抑制與超頻保護(hù)；電源欠壓會(huì)導(dǎo)致IGBT開關(guān)異常，使用欠壓檢測(cè)芯片進(jìn)行檢測(cè)并在發(fā)生欠壓故障時(shí)進(jìn)行脈沖封鎖；針對(duì)短路故障，使用退飽和電路檢測(cè)并結(jié)合軟件時(shí)序進(jìn)行保護(hù)；詳細(xì) 分析了IGBT開關(guān)過程各階段的不同特性，設(shè)計(jì)了可優(yōu)化開關(guān)性能的多等級(jí)開關(guān)電路；通過存儲(chǔ)芯片與可編程邏輯
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英飛凌推出EiceDRIVER? F3增強(qiáng)型系列柵極驅(qū)動(dòng)器，為電力電子系統(tǒng)提供全面的短路保護(hù)

現(xiàn)代電力電子器件需要盡可能實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率，這也促使器件的功率密度不斷提高。然而，一旦發(fā)生短路故障，就會(huì)對(duì)高價(jià)值系統(tǒng)構(gòu)成威脅。為了避免這種狀況的發(fā)生，并為系統(tǒng)提供可靠的保護(hù)，英飛凌科技股份公司近日宣布推出EiceDRIVER? F3 （1ED332x）增強(qiáng)型系列柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其EiceDRIVER? 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的產(chǎn)品陣容。該系列柵極驅(qū)動(dòng)器能夠提供可靠且全面的保護(hù)，防止短路故障的發(fā)生，讓包括IGBT在內(nèi)的傳統(tǒng)功率開關(guān)以及CoolSIC?寬禁帶器件得到有效保護(hù)。該系列柵極驅(qū)動(dòng)器專為工業(yè)驅(qū)動(dòng)
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瑞薩電子推出符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的精密溫度傳感器適用于DDR5存儲(chǔ)模塊

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布推出全新精密溫度傳感器TS5111，用于DDR5存儲(chǔ)器模塊以及其它需要精確、實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控的多種應(yīng)用，例如固態(tài)磁盤（SSD）、計(jì)算主板和通信設(shè)備等。符合JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)的全新溫度傳感器使內(nèi)存模塊和其它溫度敏感系統(tǒng)能夠通過實(shí)時(shí)、閉環(huán)的熱管理算法以高效率及可靠性運(yùn)行。TS5111在提供具有可編程預(yù)警信號(hào)的準(zhǔn)確、高精度的系統(tǒng)溫度方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用，使系統(tǒng)能夠執(zhí)行熱控制回路機(jī)制，如存儲(chǔ)器刷新率、風(fēng)扇速度和帶寬調(diào)節(jié)。TS5111尺寸僅為0.8mm x
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Diodes 公司的 HDMI 2.1 主動(dòng)開關(guān)針對(duì)訊號(hào)完整性、功率及成本進(jìn)行優(yōu)化

Diodes 公司近日宣布推出具備線性 ReDriver? 的 HDMI? 2.1 主動(dòng)開關(guān) PI3HDX12221 ，有助電視、個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)與機(jī)頂盒制造商采用最新的 12Gbps HDMI 標(biāo)準(zhǔn)。此裝置支持雙輸入，可清除訊號(hào)噪聲，因此能夠延伸信道長(zhǎng)度。優(yōu)化功能整合進(jìn)單一封裝，可減少系統(tǒng) BOM 與功耗，與同等級(jí)分立組件解決方案相比，更顯優(yōu)勢(shì)。PI3HDX12221 為首款具備無阻塞線性轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器的 HDMI 2.1 主動(dòng)開關(guān)，此無阻塞設(shè)計(jì)可將差分訊號(hào)以通透方式從訊號(hào)來源傳送至接收器，因此
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車載LED驅(qū)動(dòng)器需要特色化打磨，ROHM推出欠壓時(shí)安全亮燈的單芯片方案

車載LED驅(qū)動(dòng)器IC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)十分激烈，廠商的核心競(jìng)爭(zhēng)力體現(xiàn)在產(chǎn)品的特色，即在滿足基本功能要求的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)差別化的設(shè)計(jì)。例如，近日，車載LED驅(qū)動(dòng)器大廠ROHM（羅姆）面向汽車DRL（日間行車燈）、位置燈及尾燈等眾多插座型LED燈，推出業(yè)界首創(chuàng)的LED驅(qū)動(dòng)器“BD18336NUF-M”，特點(diǎn)是當(dāng)車載電池欠壓時(shí)，僅1枚芯片即可實(shí)現(xiàn)安全亮燈，有助于DRL和位置燈用的最新插座型LED燈的小型化。那么，該產(chǎn)品是如何實(shí)現(xiàn)這一功能的？車載LED驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)是什么？羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司技術(shù)中心產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理葛家明先
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儒卓力新品：Recom具有可變輸入電壓范圍的可調(diào)光1A LED驅(qū)動(dòng)器

全新RCDE-48系列Recom LED驅(qū)動(dòng)器模塊適用于具有多達(dá)15個(gè)高亮度LED的燈串，提供模擬或脈沖寬度調(diào)制 (PWM)深度調(diào)光功能，并且具有寬輸入電壓范圍和恒定電流輸出。為了實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)97%的高亮度LED燈串運(yùn)作，RCDE-48系列LED驅(qū)動(dòng)器提供了高達(dá)350mA、700mA或1050mA的恒定輸出電流。這些驅(qū)動(dòng)器模塊的輸入電壓范圍為6至60VDC，適用于12V、24V或48V標(biāo)稱電源軌。該系列中的所有產(chǎn)品均提供欠壓鎖定 (UVLO)、過熱保護(hù)以及輸出開路和短路保護(hù)功能，以實(shí)現(xiàn)高達(dá)130萬小時(shí)的平
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Power Integrations宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級(jí)認(rèn)證

深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司近日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動(dòng)器?SIC118xKQ?SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級(jí)認(rèn)證。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅(qū)動(dòng)電壓要求，并具有先進(jìn)的安全和保護(hù)特性。SIC1182KQ? (1200V)和?SIC1181KQ??(750V) SCALE-iDriver器件可驅(qū)動(dòng)汽車應(yīng)用中的SiC MOSFET，新產(chǎn)
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小尺寸650V GaN HEMT 設(shè)計(jì)解決方案 GaN Systems GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板在貿(mào)澤開售

近日，專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板。此高速子板結(jié)合了GaN Systems的兩個(gè)650 V氮化鎵 (GaN) E-HEMT和安森美半導(dǎo)體的NCP51820柵極驅(qū)動(dòng)器，可為現(xiàn)有或新的離線電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)提供高性價(jià)比半橋解決方案。作為授權(quán)分銷商，貿(mào)澤電子始終致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并使客戶產(chǎn)品更快走向市場(chǎng)。超過800家半導(dǎo)體和電子元
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兩輪機(jī)動(dòng)車尾燈的理想選擇：ROHM開發(fā)出4通道線性LED驅(qū)動(dòng)器 “BD183x7EFV-M”

近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）面向兩輪/四輪機(jī)動(dòng)車中應(yīng)用日益普及的LED尾燈（剎車燈、后尾燈）、霧燈、轉(zhuǎn)向燈等，開發(fā)出內(nèi)置MOSFET的4通道線性LED驅(qū)動(dòng)器IC“BD183x7EFV-M”（BD18337EFV-M / BD18347EFV-M）。新產(chǎn)品采用了兩項(xiàng)新技術(shù)，即ROHM獨(dú)有的熱分散電路和LED單獨(dú)控制功能，有助于顯著削減LED燈的電路板面積和應(yīng)用的設(shè)計(jì)周期，能夠?yàn)橐杂《葹橹鞯暮Ｍ鈨奢啓C(jī)動(dòng)車市場(chǎng)提供解決方案。在削減電路板面積方面，利用獨(dú)有的熱分散電路，將以往各輸出通道所
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驅(qū)動(dòng)器介紹

簡(jiǎn)介　　通過某個(gè)文件系統(tǒng)格式化并帶有一個(gè)驅(qū)動(dòng)器號(hào)的存儲(chǔ)區(qū)域。存儲(chǔ)區(qū)域可以是軟盤、CD、硬盤或其他類型的磁盤。單擊“Windows 資源管理器”或“我的電腦”中相應(yīng)的圖標(biāo)可以查看驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)容。　　要想了解軟盤和光盤中的信息，就必須把他們分別插入到軟盤驅(qū)動(dòng)器和光盤驅(qū)動(dòng)器中，供計(jì)算機(jī)對(duì)上面的數(shù)據(jù)信息進(jìn)行識(shí)別和處理。　　軟盤驅(qū)動(dòng)器和光盤驅(qū)動(dòng)器都位于機(jī)箱中，只把它們的"嘴巴"露在外面，隨時(shí)準(zhǔn)備" [ 查看詳細(xì) ]