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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

布局海外市場，兩家半導體企業(yè)開展合作

  • 根據(jù)合肥安賽思半導體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡稱：三福半導體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學與三福半導體聯(lián)合實驗室揭牌儀式正式舉行。據(jù)介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動技術及衍生產(chǎn)品的高新技術企業(yè)，目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應用領域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進技術研發(fā)、成果轉移轉化
  • 關鍵字： 碳化硅  化合物半導體  

這家GaN外延工廠開業(yè)!

  • 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態(tài)披露。在關注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設。據(jù)悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  化合物半導體  

多款車型相繼發(fā)布，SiC技術加速“上車”

  • SiC技術似乎已成為蔚來旗下新車型標配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達292Wh/kg，充電效率達到5C，呈現(xiàn)出來的效果就是充電5分鐘，續(xù)航255公里。近日，蔚來旗下又一款搭載SiC技術的車型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據(jù)悉，樂道全域采用900V高壓架構，包括電驅系統(tǒng)、熱泵空調(diào)、輔助加熱器（PTC）、車載充電機（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
  • 關鍵字： Sic  新能源汽車  蔚來  

英飛凌為小米新款SU7智能電動汽車供應一系列產(chǎn)品

  • Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動汽車供應碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術的牽引逆變器可以進一步增加電動汽車的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動汽車供應了一系
  • 關鍵字： 英飛凌  小米  SU7  智能電動汽車  SiC  

安森美2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動

  • 智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應用領域的技術經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應用場景，共同探討最新的能效設計挑戰(zhàn)，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導體技術的落地，實現(xiàn)應用系統(tǒng)的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應用場景日益多樣化。新能源
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅  功率解決方案  

中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線達產(chǎn)

  • 近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線成功達產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%，已在國內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機構開展試用和驗證。資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線。項目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，據(jù)悉
  • 關鍵字： 中宜創(chuàng)芯  SiC  

英飛凌：將為小米電動汽車提供先進的功率芯片

  • 德國頂級芯片制造商熱衷于挖掘中國對特種半導體的需求。
  • 關鍵字： SiC  英飛凌  

2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達91.7億美元

  • TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
  • 關鍵字： SiC  功率器件  TrendForce  

碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數(shù)據(jù)底座

  • 隨著人工智能技術的飛速發(fā)展，越來越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術融入業(yè)務流程中，以提升質量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領域，人工智能、自動駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動原材料與設備2000億級產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設備制造業(yè)轉型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關鍵業(yè)務打造穩(wěn)定、高效、智能的數(shù)據(jù)存儲底座，讓數(shù)字機臺、智能制造"有底有數(shù)"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
  • 關鍵字： 碳化硅    浪潮信息  MES  核心數(shù)據(jù)底座   

Power Integrations升級你的電池管理系統(tǒng)

  • 電池組，無疑是電動汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動力之源，更是決定車輛成本高低的關鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內(nèi)部的每一個電池單元都需要經(jīng)過精密的監(jiān)測和控制，以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統(tǒng)（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務繁重且關鍵。它要實時監(jiān)控每一個電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩(wěn)定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統(tǒng)，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實時報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準確了
  • 關鍵字： BMS  電動汽車  碳化硅  Power Integrations  

雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

  • IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
  • 關鍵字： 雜散電感  SiC  IGBT  開關特性  

柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響分析

  • IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來分析S
  • 關鍵字： IGBT  SiC  開關特性  

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

  • 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣
  • 關鍵字： Qorvo  SiC  MOSFET  

全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關鍵特性解析

  • 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關頻率和系統(tǒng)效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  MOSFET  

SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風口狂追

  • 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現(xiàn)新進展。從國內(nèi)外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或將延遲至明年建設近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
  • 關鍵字： SiC  8英寸  
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碳化硅（sic）介紹

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