碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設(shè)計(jì)人員來說是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設(shè)計(jì)人員來說是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC，“上車”沃爾沃？
- 近日，意法半導(dǎo)體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊(duì)密切合作，力爭讓意法半導(dǎo)體的芯片與博格華納的Viper功率開關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅(qū)架構(gòu)尺寸并提升經(jīng)濟(jì)效益。意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導(dǎo)體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
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國內(nèi)8英寸碳化硅加速布局！
- 近期，三安半導(dǎo)體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導(dǎo)體表示，展會(huì)上有多家重要客戶在詳細(xì)詢問三安半導(dǎo)體產(chǎn)品參數(shù)后，表示已經(jīng)確認(rèn)采購意向。圖：三安半導(dǎo)體湖南三安半導(dǎo)體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導(dǎo)體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導(dǎo)體是三安
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基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案
- STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設(shè)計(jì)包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構(gòu)。前級(jí)圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設(shè)計(jì)為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時(shí)，測量峰值效率為96.3%
- 關(guān)鍵字： ST 第三代半導(dǎo)體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無橋PFC 全橋LLC 數(shù)字電源
意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)
- ●? ?意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化目標(biāo)●? ?博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
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從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
- 隨著新能源汽車和電動(dòng)飛機(jī)概念的興起，在可預(yù)見的未來里，電能都將會(huì)是人類社會(huì)發(fā)展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會(huì)對電能的消耗量都是一個(gè)天文數(shù)字。比如在中國，根據(jù)國家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全社會(huì)用電量86,372億千瓦時(shí)，同比增長3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。圖1：全社會(huì)用電量統(tǒng)計(jì)（圖源：貿(mào)澤電子）各行業(yè)電氣化進(jìn)程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個(gè)嚴(yán)峻的問題，那就是節(jié)能。當(dāng)前，任何一種用電設(shè)備在設(shè)計(jì)之初，都會(huì)將高能效和低能
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自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對電氣技術(shù)的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動(dòng)汽車展望報(bào)告，到 2050 年，幾乎所有道路運(yùn)輸都將實(shí)現(xiàn)電氣化，預(yù)計(jì)將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體取代開關(guān)模式電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
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碳化硅芯片是否即將主宰市場？阿斯麥臉色不再重要！
- 在科技領(lǐng)域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術(shù)浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關(guān)注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結(jié)構(gòu)決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
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東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應(yīng)用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
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大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設(shè)計(jì)
- TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)，該參考設(shè)計(jì)為 OEM 和設(shè)計(jì)工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場提供了基礎(chǔ)。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(shù)（包括用于驅(qū)動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的高性能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器）如何通過降低電壓過沖來提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
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碳化硅下游市場需求旺盛 企業(yè)紛紛擴(kuò)張產(chǎn)能加速出貨
- 隨著碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車、新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，市場需求不斷增長。近期，一批碳化硅項(xiàng)目集中開工，部分公司接到批量訂單，推動(dòng)了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng)始人由曦向《證券日報(bào)》記者介紹，碳化硅的應(yīng)用場景主要包括電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領(lǐng)域。近年來，我國在碳化硅領(lǐng)域的研究和應(yīng)用取得快速發(fā)展，一些項(xiàng)目已經(jīng)落地實(shí)施。例如，在新能源汽車的高壓充電技術(shù)方面，碳化硅作為其中的關(guān)鍵材料，其需求正日益增長?！疤蓟枳鳛橐环N優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、導(dǎo)熱好、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，是實(shí)現(xiàn)高壓快充技
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 新能源
適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
- 隨著設(shè)備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員有一個(gè)優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計(jì)劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗，同時(shí)限度地延長系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅(qū)
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碳化硅熱度，只增不減
- 在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個(gè)反例。隨著電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體價(jià)值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴(kuò)大產(chǎn)能，并且在未來的五年里，它的熱度只會(huì)增不會(huì)減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購動(dòng)作中也可窺見一二。國內(nèi)上半年融資創(chuàng)三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機(jī)構(gòu)的青睞，相繼宣布完成融資，行業(yè)內(nèi)也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達(dá)到 21.32 億元，數(shù)量達(dá)到 15 起。2022 年也是碳化
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全球SiC爭霸賽，誰在豪擲千金？
- “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠(yuǎn)的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開始建設(shè)一個(gè)國家級(jí)SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育，以達(dá)到鼓勵(lì)美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長期
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
碳化硅（sic）介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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