碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)
碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場需求望爆發(fā)
- 據(jù)報(bào)道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團(tuán)宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導(dǎo)體的GeneSiC系列功率半導(dǎo)體，以提高效率，同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運(yùn)行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
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SiC市場產(chǎn)值 今年估增4成
- 根據(jù)市調(diào)統(tǒng)計(jì)，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化，將推動(dòng)2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場產(chǎn)值達(dá)22.8億美元、年成長41.4％。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場景，能進(jìn)一步提升電動(dòng)車與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應(yīng)用為電動(dòng)車與再生能源領(lǐng)域，分別在2022年已達(dá)到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場產(chǎn)值約67.4％和13.1％。車用方面，安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協(xié)議，另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
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市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
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新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC（碳化硅）
- 前 言 1824年，一種全新的材料被瑞典科學(xué)家，貝采里烏斯合成出來，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無奇的樣子，仿佛是隨處可見的灰燼，也許誰也沒能想到，就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒，將會在近200年后，在其之上長出絢爛的花朵，幫助人類突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越，無論是成本還是性能都達(dá)到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒有過多的注意。直到20世紀(jì)90年代，Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸，再次激發(fā)
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GaN 時(shí)代來了？
- 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機(jī)車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
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碳化硅快充時(shí)代來臨，800V高壓超充開始普及！
- 一直以來，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關(guān)鍵問題，是車企和車主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V，800V帶來了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現(xiàn)了15分鐘的快充補(bǔ)能。而構(gòu)建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
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安森美的碳化硅技術(shù)將整合到寶馬集團(tuán)的下一代電動(dòng)汽車中
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團(tuán)（BMW）簽署長期供貨協(xié)議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術(shù)用于這家德國高端汽車制造商的400?V直流母線電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個(gè)全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰(zhàn)略合作針對電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)和整合，使安森美能為特定應(yīng)用提供差異化的芯片方案，包括優(yōu)化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優(yōu)化的電氣和機(jī)械特性實(shí)現(xiàn)高效率和更低的整體損耗，同時(shí)提供極高的系
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特斯拉要削減碳化硅使用量，相關(guān)芯片制造商股價(jià)應(yīng)聲下跌
- 3 月 3 日消息，美國電動(dòng)汽車制造商特斯拉在首次投資者日活動(dòng)上表示，計(jì)劃減少下一代電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中碳化硅晶體管的使用量，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四相關(guān)芯片制造商的股價(jià)紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動(dòng)討論的一個(gè)主要內(nèi)容是效率提升和成本控制。特斯拉動(dòng)力系統(tǒng)工程負(fù)責(zé)人科林?坎貝爾（Colin Campbell）登臺展示了公司計(jì)劃如何在保持高性能和轉(zhuǎn)化效率的同時(shí)降低汽車動(dòng)力系統(tǒng)的成本?？藏悹柾嘎叮霸谖覀兊南乱淮鷦?dòng)力系統(tǒng)中，作為關(guān)鍵部件的碳化硅晶體管價(jià)格昂貴，但我們找到了一種方法，可以在不影響汽車性能或效率的情況下
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！
- 當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
- 在相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡?，器件可以在更寬的溫度范圍?nèi)工作，而不會發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍，簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應(yīng)協(xié)議
- 日前，英飛凌科技繼續(xù)擴(kuò)大了與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC材料，協(xié)議后期則會助力英飛凌向8英寸晶圓的過渡。合作過
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應(yīng)協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
- 與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng)，將會非常利于運(yùn)維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源，而且使設(shè)備更小、更輕，相關(guān)的資本、安裝和維護(hù)成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲能系統(tǒng)中，1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時(shí)要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
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高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望
- 碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究價(jià)值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展，總結(jié)了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu)，介紹了針對高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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