碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓應(yīng)用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強(qiáng)度，更高的擊穿
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碳化硅電子熔絲演示器為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車電路保護(hù)解決方案

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意法半導(dǎo)體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

12月1日消息，近日，據(jù)外媒報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級(jí)半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長(zhǎng)潛力。報(bào)道稱，此舉是意法半導(dǎo)體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計(jì)劃后為平衡集團(tuán)在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)
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英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

11月28日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過大幅擴(kuò)建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計(jì)劃
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三菱電機(jī)將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn)，預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開始供應(yīng)。公開消息顯示，安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司，三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同，前者以“多個(gè)離散元件組合
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理想自研芯片進(jìn)展曝光：在新加坡設(shè)立辦公室，團(tuán)隊(duì)規(guī)模已超160人

11 月 21 日消息，據(jù)晚點(diǎn) LatePost 報(bào)道，在芯片自研方面，理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場(chǎng)景的 AI 推理芯片，和用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器的 SiC 功率芯片。報(bào)道稱，理想目前正在新加坡組建團(tuán)隊(duì)，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應(yīng)用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設(shè)計(jì)專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設(shè)計(jì)專家。報(bào)道還稱，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
關(guān)鍵字：理想自研芯片新能源汽車智能駕駛 AI 推理芯片驅(qū)動(dòng)電機(jī) 控制器 SiC 功率芯片。

Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車革命中超越下一代半導(dǎo)體

倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測(cè)電動(dòng)汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增，電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會(huì)產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預(yù)測(cè)Omdia半導(dǎo)體元件高級(jí)分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長(zhǎng)期以來依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發(fā)始于上個(gè)世紀(jì)，但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運(yùn)動(dòng)相匹配，新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？

在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對(duì)于三種產(chǎn)品未來的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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三菱電機(jī)和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)將與Nexperia（安世）合力開發(fā)SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機(jī)株式會(huì)社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車市場(chǎng)正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大，并有助于推動(dòng)Si
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電裝5億美元入股這家SiC公司

11月6日，株式會(huì)社電裝（Denso）宣布對(duì)Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(zhǎng)期穩(wěn)定采購。關(guān)于本次投資，市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報(bào)道稱，電裝、三菱電機(jī)等多家企業(yè)對(duì)投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣，并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進(jìn)行過討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機(jī)會(huì)，同時(shí)也是對(duì)SiC發(fā)展前景的看好，Coher
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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

奈梅亨，2023年11月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計(jì)的高頻電源應(yīng)用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(zhǎng)期以來保持的緊密合作關(guān)系。制造商對(duì)下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應(yīng)用 650 V 碳化硅整流二極管

2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應(yīng)能微電子（深圳）有限公司

應(yīng)能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護(hù)器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)、制造和銷售的半導(dǎo)體技術(shù)公司。應(yīng)能成立于2012年，其核心團(tuán)隊(duì)來自美國硅谷，全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品，目前已有500多款產(chǎn)品，90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應(yīng)能微的半導(dǎo)體芯片應(yīng)用市場(chǎng)包括快速增長(zhǎng)的消費(fèi)電子 (智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、高清電視、機(jī)頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車上均有廣泛的應(yīng)用。應(yīng)能微銷售總監(jiān)曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)出色，硅基MOSFET產(chǎn)品
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