碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。工業(yè)級(jí)晶體管STL300N4F8和車(chē)規(guī)晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的能效。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn)，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開(kāi)關(guān)頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
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看完這篇，4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型

今天教你4個(gè)步驟選擇一個(gè)合適的MOSFET。第一步：選用N溝道還是P溝道　　為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮?！∫x擇適合應(yīng)用的器件，必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓，以及
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過(guò)限制高浪涌電流防止對(duì)負(fù)載造成損害，并因其低RDS(on
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手搓了一個(gè)3kW碳化硅電源！實(shí)測(cè)一下！

做了一個(gè)3KW碳化硅電源！(全稱：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數(shù)是（第1章）？怎么設(shè)計(jì)出來(lái)的（第2章）？實(shí)測(cè)情況（第3章）？原理是（第4章）？開(kāi)源網(wǎng)址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎(chǔ)參數(shù)雙主控設(shè)計(jì)：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設(shè)計(jì)功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調(diào)電源的前級(jí)PFC環(huán)節(jié)；②
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強(qiáng)茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術(shù)車(chē)規(guī)級(jí)60 V N通道突破車(chē)用電子的高效表現(xiàn)

隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展，強(qiáng)茂推出最新車(chē)規(guī)級(jí)60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來(lái)支持汽車(chē)電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(biāo)(FOM)、超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車(chē)電子系統(tǒng)的性能與能源效率，降低導(dǎo)通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強(qiáng)茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
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Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導(dǎo)通電阻降低了68.3 %，導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）降低了1
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基本半導(dǎo)體完成股份改制，正式更名

為適應(yīng)公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn)，深圳基本半導(dǎo)體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導(dǎo)體發(fā)展的重要里程碑，標(biāo)志著公司治理結(jié)構(gòu)、經(jīng)營(yíng)機(jī)制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。公司注冊(cè)地址變更至青銅劍科技集團(tuán)總部大樓，詳細(xì)地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號(hào)青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能

意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的可靠性。新驅(qū)動(dòng)器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車(chē)載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，最新開(kāi)發(fā)出一款用于車(chē)載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開(kāi)始提供測(cè)試樣品，供客戶評(píng)估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時(shí)，其可靠性會(huì)因?qū)娮柙黾佣档?。東芝SiC MOSFET通過(guò)在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來(lái)緩解上述問(wèn)題，但如若將SBD布置在芯片上
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碳化硅6吋基板供過(guò)于求價(jià)格崩盤(pán)

碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開(kāi)出，嚴(yán)重供過(guò)于求，報(bào)價(jià)幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國(guó)大陸制造成本價(jià)），第四季價(jià)格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價(jià)格崩盤(pán)已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢(qián)銷(xiāo)售，而買(mǎi)家不敢輕易出手撿便宜，因?yàn)橘I(mǎi)方預(yù)期SiC價(jià)格還會(huì)再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報(bào)價(jià)已快速下滑，尤其是中國(guó)大陸價(jià)格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格，供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
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聚焦碳化硅項(xiàng)目，鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作

據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟(jì)文化交流協(xié)會(huì)、韓中文化協(xié)會(huì)及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：鉅芯半導(dǎo)體）在安徽省池州市舉行了一場(chǎng)簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開(kāi)始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車(chē)空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開(kāi)，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解，今年以來(lái)，部分韓國(guó)半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。據(jù)韓媒ETnews報(bào)道，今年3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布，已在韓國(guó)首次成功開(kāi)發(fā)出2
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高功率SiC模塊助力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)軌道交通

國(guó)際能源署（IEA）今年發(fā)布的報(bào)告稱，2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達(dá)到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng)新的記錄。其中，交通運(yùn)輸排放增長(zhǎng)最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對(duì)于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動(dòng)的電氣化列車(chē)，這一比率則更低。因此，擴(kuò)建軌道交通基礎(chǔ)設(shè)施及電氣化改造是減少CO2排放和實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵。與電動(dòng)汽車(chē)不同的是，電力機(jī)車(chē)已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉(zhuǎn)型仍然方興未艾，不同國(guó)家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世！為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)逆變器量身定制

意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作

9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，雙方將共同開(kāi)發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開(kāi)發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨(dú)有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個(gè)碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個(gè)高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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【測(cè)試案例分享】如何評(píng)估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退

隨著MOSFET柵極長(zhǎng)度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問(wèn)題之一。在熱載流子效應(yīng)中，載流子被通道電場(chǎng)加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會(huì)引起測(cè)量器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時(shí)間的推移，可能會(huì)發(fā)生實(shí)質(zhì)性的器件參數(shù)退化，從而導(dǎo)致器件失效。用于測(cè)量HCI的儀器必須提供以下三個(gè)關(guān)鍵功能：自動(dòng)提取設(shè)備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應(yīng)力時(shí)間的應(yīng)力測(cè)量序列輕松導(dǎo)出測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行高級(jí)分析本文說(shuō)明描述了如何在Kei
關(guān)鍵字： 202410 泰克科技 MOSFET