碳化硅 mosfet 文章進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預(yù)計投資總額達(dá)50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進程和高能效轉(zhuǎn)型服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體?
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PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級MOSFET系列

PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級?MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術(shù)設(shè)計達(dá)到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計，提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠

自意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）官方獲悉，當(dāng)?shù)貢r間5月31日，意法半導(dǎo)體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設(shè)是支持汽車、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據(jù)悉，該項目預(yù)計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標(biāo)是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，滿產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達(dá)15,000
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MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應(yīng)全解

1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應(yīng)管（FET）是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，由于緊靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結(jié)型大得多且比結(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
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功率MOSFET的工作原理

功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理(1)開通和關(guān)斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關(guān)過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時，MOSFET 被驅(qū)動開通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
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第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案

第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動方案展開了解，其中包括驅(qū)動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，同時將開關(guān)損耗降至最低。內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。該驅(qū)動器
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布局海外市場，兩家半導(dǎo)體企業(yè)開展合作

根據(jù)合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：三福半導(dǎo)體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室揭牌儀式正式舉行。據(jù)介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導(dǎo)體功率器件智能驅(qū)動技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)，目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅(qū)動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設(shè)備和航空航天等。三福半導(dǎo)體聚焦集成電路設(shè)計、制造和封裝測試，致力于先進技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化
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這家GaN外延工廠開業(yè)!

作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設(shè)等動作，不時有新動態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
關(guān)鍵字：碳化硅氮化鎵化合物半導(dǎo)體

欠電壓閉鎖的一種解釋

了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動要求時，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
關(guān)鍵字：欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC

安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應(yīng)用場景，共同探討最新的能效設(shè)計挑戰(zhàn)，展示針對更多縱深應(yīng)用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導(dǎo)體技術(shù)的落地，實現(xiàn)應(yīng)用系統(tǒng)的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應(yīng)用場景日益多樣化。新能源
關(guān)鍵字：安森美碳化硅功率解決方案

碳化硅智造升級浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數(shù)據(jù)底座

隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動原材料與設(shè)備2000億級產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩(wěn)定、高效、智能的數(shù)據(jù)存儲底座，讓數(shù)字機臺、智能制造"有底有數(shù)"。廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
關(guān)鍵字：碳化硅浪潮信息 MES 核心數(shù)據(jù)底座

MOSFET開關(guān)損耗簡介

本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高。跨溝道的電壓和流過溝道的電流都是顯著的，導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個閉合的開關(guān)：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
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Power Integrations升級你的電池管理系統(tǒng)

電池組，無疑是電動汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動力之源，更是決定車輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內(nèi)部的每一個電池單元都需要經(jīng)過精密的監(jiān)測和控制，以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統(tǒng)（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實時監(jiān)控每一個電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩(wěn)定；還要負(fù)責(zé)操作電池組的加熱和冷卻系統(tǒng)，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實時報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準(zhǔn)確了
關(guān)鍵字： BMS 電動汽車碳化硅 Power Integrations