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碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

杰平方半導體宣布啟動香港首間碳化硅(SiC)先進垂直整合晶圓廠項目

  • 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進重點企業(yè)辦公室共同推動,香港科技園公司(科技園公司)與微電子企業(yè)杰平方半導體(上海)有限公司(杰平方半導體)簽署合作備忘錄,在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心,并投資開設香港首間碳化硅(SiC)8寸先進垂直整合晶圓廠,共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍圖》中,明確指出應加強支持具策略性的先進制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展,譬如半導體芯片,促進香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進出口市場之一,香港更是位處大
  • 關鍵字: 香港科技園公司  杰平方半導體  碳化硅  SiC  垂直整合晶圓廠  

Denso和三菱電機10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務

  • Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元,入股Coherent的碳化硅(SiC)業(yè)務子公司。據(jù)外媒,日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機宣布,將分別投資5億美元,入股美國半導體材料、網(wǎng)絡及激光供應商Coherent的碳化硅(SiC)業(yè)務子公司Silicon Carbide,并分別取得12.5%股權(兩家日企合計取得25%股權)。據(jù)悉,Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造,是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設立的SiC業(yè)務子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
  • 關鍵字: 三菱電機  Denso  碳化硅  

一文讀懂碳化硅設計中的熱管理

  • 隨著我們尋求更強大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應用領域,如汽車驅動系統(tǒng)、直流快速充電、儲能電站、不間斷電源和太陽能發(fā)電。這些應用有一點非常相似,它們都需要逆變器(圖 1)。它們還需要緊湊且高能效的輕量級解決方案。就汽車而言,輕量化是為了增加續(xù)航里程,而在太陽能應用中,這是為了限制太陽能設備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動力總成,其中顯示了逆變器半導體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導體器件(IGBT /
  • 關鍵字: 安森美  碳化硅  

了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

  • Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術,在高壓(HV)分立Si MOSFET市場具有領導地位,特別是在1700V以上產(chǎn)品,包括電壓阻斷能力高達4700V的器件,能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術,在高壓(HV)分立Si MOSFET市場具有領導地位,特別是在1700V以上產(chǎn)品,包括電壓阻斷能力高達4700V的器件,能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
  • 關鍵字: Littelfuse  MOSFET  

適用于熱插拔應用的具有導通電阻的高效 MOSFET

  • 熱插拔是指將電子設備插入帶電電源;這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產(chǎn)生較大的負載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰,從而進一步損壞電子設備。熱插拔是指將電子設備插入帶電電源;這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產(chǎn)生較大的負載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰,從而進一步損壞電子設備。簡介熱插拔是指將電子設備插入帶電電源;這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產(chǎn)生較大的
  • 關鍵字: MOSFET  導通電阻  

onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅動IC 應用于工業(yè)馬達控制器

  • 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅動器,專為高功率應用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端(IN+ 和 IN-)、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ,其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅動器輸出(OUTH 和 OUTL)皆可用以方便系統(tǒng)設計及開發(fā)。       NCD57000 可在輸入側提供 5
  • 關鍵字: NCD57000  驅動器  IGBT  MOSFET  onsemi  馬達控制  

如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET

  • 碳化硅(SiC MOSFET)和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用,但對驅動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調(diào)的軟關斷等功能,為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色:●? 單通道隔離型柵極驅動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
  • 關鍵字: MOSFET  EiceDRIVER  MOSFET  

保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

  • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件,比如 SiC,對提高能效至關重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展,從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸,并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言,建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)(如電動汽車充電基礎設施)和可再生能源系統(tǒng)(如太陽能光伏 (PV))應用中,MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn),必須在不增加太陽
  • 關鍵字: 碳化硅  SiC  

國內(nèi)8英寸碳化硅加速布局!

  • 近期,三安半導體發(fā)布消息稱,公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外,三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示,展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產(chǎn)品參數(shù)后,表示已經(jīng)確認采購意向。圖:三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司,主要業(yè)務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務,目前建立具有自主知識產(chǎn)權的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導體是三安
  • 關鍵字: 8英寸  碳化硅  

從硅到碳化硅,更高能效是功率器件始終的追求

  • 隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起,在可預見的未來里,電能都將會是人類社會發(fā)展的主要能源。然而,隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升,每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數(shù)字。比如在中國,根據(jù)國家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù),2022年全社會用電量86,372億千瓦時,同比增長3.6%;其中,高速發(fā)展的新能源汽車在整車制造方面,用電量大幅增長71.1%。圖1:全社會用電量統(tǒng)計(圖源:貿(mào)澤電子)各行業(yè)電氣化進程逐漸深入后,我們也必須要考慮到一個嚴峻的問題,那就是節(jié)能。當前,任何一種用電設備在設計之初,都會將高能效和低能
  • 關鍵字: Mouser  碳化硅  功率器件  

100W MOSFET功率放大器電路

  • 我們設計了一個使用 MOSFET 的功率放大電路,可產(chǎn)生 100W 的輸出功率,驅動約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點。工作原理:該電路采用多級功率放大原理,包括前置放大器、驅動器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器,驅動級是帶有電流鏡負載的差分放大器,功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比,MOSFET 具有驅動電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成,用于產(chǎn)生無噪聲放大信號
  • 關鍵字: 功率放大器  MOSFET  

碳化硅下游市場需求旺盛 企業(yè)紛紛擴張產(chǎn)能加速出貨

  • 隨著碳化硅(SiC)在電動汽車、新能源等領域的應用日益廣泛,市場需求不斷增長。近期,一批碳化硅項目集中開工,部分公司接到批量訂單,推動了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng)始人由曦向《證券日報》記者介紹,碳化硅的應用場景主要包括電動汽車、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領域。近年來,我國在碳化硅領域的研究和應用取得快速發(fā)展,一些項目已經(jīng)落地實施。例如,在新能源汽車的高壓充電技術方面,碳化硅作為其中的關鍵材料,其需求正日益增長?!疤蓟枳鳛橐环N優(yōu)良的半導體材料,具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優(yōu)點,是實現(xiàn)高壓快充技
  • 關鍵字: 碳化硅  新能源  

碳化硅熱度,只增不減

  • 在半導體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。隨著電動汽車功率半導體價值量的提升,以碳化硅為代表的第三代半導體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴大產(chǎn)能,并且在未來的五年里,它的熱度只會增不會減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購動作中也可窺見一二。國內(nèi)上半年融資創(chuàng)三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機構的青睞,相繼宣布完成融資,行業(yè)內(nèi)也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元,數(shù)量達到 15 起。2022 年也是碳化
  • 關鍵字: 碳化硅  

高性能 SiC MOSFET 技術裝置設計理念

  • 合適的設備概念應允許一定的設計自由度,以便適應各種任務概況的需求,而無需對處理和布局進行重大改變。然而,關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻,與其他列出的參數(shù)相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù),還可以添加更多參數(shù)。合適的設備概念應允許一定的設計自由度,以便適應各種任務概況的需求,而無需對處理和布局進行重大改變。然而,關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻,與其他列出的參數(shù)相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù),還可以添加更多參數(shù)。圖 1:必須與 SiC MOSF
  • 關鍵字: MOSFET  

全球SiC爭霸賽,誰在豪擲千金?

  • “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領先技術的國家,將能夠改變游戲規(guī)則,擁有SiC將對美國具有深遠的影響?!?Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月,由Alan Mantooth 領導的工程研究人員從美國國家科學基金(NSF)獲得了1787萬美元的資助,用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關技術的培訓和教育,以達到鼓勵美國新一代在該領域發(fā)展的目的,此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線,能夠讓美國大學,企業(yè)以及政府研究人員進行長期
  • 關鍵字: SiC  MOSFET  功率損耗  碳中和  
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碳化硅 mosfet介紹

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