碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)
電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進展
- 近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實現(xiàn)一系列技術突破，在碳化硅外延領域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時，積極與國產(chǎn)設備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備，推動碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
- 關鍵字： 電科材料 6英寸 碳化硅
功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考
- 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設備+外
- 關鍵字： 功率半導體 IGBT MOSFET SIC
優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動
- 在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
- 關鍵字： SiC MOSFET 柵極驅動 安森美
三次油電平價 促成中國電動市場的大爆發(fā)
- 大家應該還記得，當遭受國補退坡重創(chuàng)的電動汽車于2019-2020年間慢慢恢復元氣，開始走出國補退坡的陰影時，市面上開始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車的電動汽車，當時的電動車市場呈現(xiàn)出來的是典型的啞鈴型結構：便宜的A00級車型和30萬以上的高端車型（包括部分B級車和C級車）賣得很好，但在10-30萬的主流區(qū)間，電動車企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場格局在2016-2021國內(nèi)乘用車分級別電動化率走勢圖上一展無遺，歷時五年的時間，A00車已經(jīng)達到了90%以上的滲透率。這兩年來，市場格局風云變幻，正如歐
- 關鍵字： 碳化硅 比亞迪 蔚來 電動汽車 新能源汽車
特斯拉虛晃一槍，碳化硅高速邁進
- 被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅平臺再被關注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會，并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構”的充電網(wǎng)絡解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動，以及A級純電車型動力總成解決方案，目標是不斷提升整車度電里程和升油里程
- 關鍵字： 特斯拉 碳化硅
ROHM開發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET
- 新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續(xù)增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業(yè)設備的工作
- 關鍵字： ROHM 超低導通電阻 Nch MOSFET
特斯拉降低造車成本，國內(nèi)新能源車企如何實現(xiàn)“價格戰(zhàn)”突圍？
- 在國內(nèi)新能源車市場，特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”，一舉一動總能攪動起不小的“水花”。近日，“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置，相關概念在資本市場上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅”。如今，特斯拉對碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉，背后的真實意圖是什么？將會對國內(nèi)新能
- 關鍵字： 特斯拉 碳化硅 新能源車企
采埃孚、意法半導體簽下碳化硅模塊供應長約
- 據(jù)外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報道涉及供應數(shù)量達數(shù)百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領域的訂單總額預計將超過300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商?！霸? 意法半導體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊?！币夥ò雽w汽車和分立
- 關鍵字： 采埃孚 意法半導體 碳化硅
碳化硅風頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)
- 近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進化半導體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
- 關鍵字： 碳化硅 氧化鎵
汽車結構性缺芯 國產(chǎn)碳化硅功率半導體有望四季度“上車”
- 4月7日，中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會期間，第一財經(jīng)記者獲悉，汽車結構性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會，降本提質是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”。 汽車結構性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會 有行業(yè)專家向第一財經(jīng)記者表示，一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財經(jīng)記者
- 關鍵字： 汽車電子 功率半導體 碳化硅
Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
- 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
- 關鍵字： Diodes 碳化硅 MOSFET
貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案
- 2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動應用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工業(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
- 關鍵字： 貿(mào)澤 安森美 EliteSiC 碳化硅
基于Infineon S7 MOSFET 主動式電源整流方案
- 因應日趨嚴苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產(chǎn)品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
- 關鍵字： Infineon S7 MOSFET 電源整流
同時實現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近年來，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節(jié)能。據(jù)了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時所產(chǎn)生的噪聲，主要通過添加部件和改變
- 關鍵字： 超快反向恢復時間 Super Junction MOSFET MOSFET
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