碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
重視汽車應(yīng)用市場 ST持續(xù)加速碳化硅擴產(chǎn)
- 意法半導(dǎo)體（ST）是一家擁有非常廣泛產(chǎn)品組合的半導(dǎo)體公司，尤其汽車更是ST非常重視的市場之一。 意法半導(dǎo)體車用和離散組件產(chǎn)品部策略業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Luca SARICA指出，2022年車用和離散組件產(chǎn)品部（ADG）占了ST總營收的30%以上。ST在2021年的營收達(dá)到43.5億美元，而若與2022年相比，車用產(chǎn)品部門與功率和離散組件部門的營收增幅都相當(dāng)顯著，達(dá)30%以上。車用和離散組件產(chǎn)品部擁有意法半導(dǎo)體大部分的車用產(chǎn)品，非常全面性的產(chǎn)品組合能夠支持汽車的所有應(yīng)用。 圖一 : ADG營運策略ADG
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英飛凌與Resonac于碳化硅材料領(lǐng)域展開多年期供應(yīng)及合作協(xié)議
- 英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴展合作關(guān)系，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應(yīng)及合作協(xié)議，以補充并擴展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作，根據(jù)合約內(nèi)容，Resonac將供應(yīng)英飛凌未來10年預(yù)估需求量中雙位數(shù)份額的SiC半導(dǎo)體。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應(yīng)6吋的SiC晶圓，并將于合約期間支持過渡至 8 吋晶圓，英飛凌亦將提供 Resonac 關(guān)于 SiC 材料技術(shù)的智財 (IP)。雙
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
- SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是，由于開關(guān)的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導(dǎo)致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
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安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效
- 2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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庫存去化緩 MOSFET上半年市況嚴(yán)峻
- PC、消費性市況在2022年第四季需求持續(xù)疲弱，且今年第一季客戶端仍舊處于保守態(tài)度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預(yù)期更加緩慢，供應(yīng)鏈預(yù)期，最差情況可能要延續(xù)到今年第三季才可能逐步結(jié)束庫存去化階段。法人預(yù)期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠營運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經(jīng)2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場庫存去化速度緩慢。供應(yīng)鏈指出，先前晶圓代工產(chǎn)能吃緊，客戶端重復(fù)下單情況在2
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
- 在本設(shè)計解決方案中，我們回顧了在工廠環(huán)境中運行的執(zhí)行器中使用的高邊開關(guān)電路的一些具有挑戰(zhàn)性的工作條件和常見故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監(jiān)控電路運行，并在發(fā)生這些情況時采取適當(dāng)措施防止損壞。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個820
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簡述功率MOSFET電流額定值和熱設(shè)計
- 電氣設(shè)備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達(dá)到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設(shè)環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設(shè)備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達(dá)到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設(shè)環(huán)境溫度。這就帶來了兩種后果：?? 每個電流
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小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動IC更適合小型化應(yīng)用
- 電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負(fù)載開關(guān)，它可以減小待機模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實現(xiàn)斷電控制。負(fù)載開關(guān)的作用是開啟和關(guān)閉電源軌，大部分負(fù)載開關(guān)包含四個引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當(dāng)通過ON引腳使能器件時，導(dǎo)通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。東芝面向20V電源線路推出的MOSFET柵極驅(qū)動IC（集成電路）TCK421G就是一款負(fù)載開關(guān)，它是TCK42xG系列中的首款產(chǎn)品。該系列器件專門用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸
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羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球?qū)崿F(xiàn)無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
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一文讀懂功率半導(dǎo)體
- 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代
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10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車
- 近日消息，從東風(fēng)汽車官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車，實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實現(xiàn)10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線：可用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等
- IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關(guān)頻率，降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達(dá)到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標(biāo)準(zhǔn)型封裝，半橋拓?fù)?/li>
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計要點
- 新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應(yīng)用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應(yīng)用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后，本文根
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