碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

中芯集成正式設(shè)立碳化硅公司，上汽/立訊精密/寧德時(shí)代等現(xiàn)身股東榜

10月25日，中芯集成發(fā)布公告稱(chēng)，新設(shè)立合資公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯聯(lián)動(dòng)力”）已完成了工商注冊(cè)登記手續(xù)，并取得紹興市越城區(qū)市場(chǎng)監(jiān)督管理局核發(fā)的《營(yíng)業(yè)執(zhí)照》。根據(jù)中芯集成公告，芯聯(lián)動(dòng)力將運(yùn)營(yíng)碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)項(xiàng)目，注冊(cè)資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊(cè)資本總額51.00%。基于合資公司的股權(quán)結(jié)構(gòu)，合資公司將被納入公司合并報(bào)表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯(lián)動(dòng)力創(chuàng)始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團(tuán)旗
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安森美韓國(guó)碳化硅工廠擴(kuò)建完工年產(chǎn)能將超百萬(wàn)片

安森美位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱(chēng)，其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，目標(biāo)明年完成設(shè)備安裝，到2025年該廠SiC半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增至每年100萬(wàn)顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇傭多達(dá)1000名當(dāng)?shù)貑T工來(lái)填補(bǔ)大部分高
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安森美韓國(guó)富川碳化硅工廠擴(kuò)建正式落成

10月24日，安森美宣布其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹，新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車(chē)場(chǎng)于2022年中期開(kāi)始建設(shè)，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴(kuò)建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點(diǎn)）建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開(kāi)始，在2025年完成200mmSiC工藝驗(yàn)
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2024年中國(guó)碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%

2023 年，中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，中國(guó)尤其獲得國(guó)際 IDM 的認(rèn)可，導(dǎo)致產(chǎn)量大幅增長(zhǎng)。此前中國(guó)碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2024 年中國(guó)碳化硅晶圓在全球的占比有望達(dá)到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計(jì) 2024 年月產(chǎn)能將達(dá)到 12 萬(wàn)片，年產(chǎn)能 150 萬(wàn)。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)，此前天岳先進(jìn)、天科合達(dá)合計(jì)占據(jù)全球
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瑞能半導(dǎo)體CEO:碳化硅驅(qū)動(dòng)新能源汽車(chē)邁入“加速時(shí)代”

日前，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)（ISES，原CISES）。作為半導(dǎo)體原廠和設(shè)備制造商云集的平臺(tái)，ISES專(zhuān)注于高層管理，來(lái)自世界各地的半導(dǎo)體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來(lái)趨勢(shì)和挑戰(zhàn)，分享他們?nèi)绾卧谘杆賱?chuàng)新和變化的行業(yè)中推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。ISES通過(guò)推動(dòng)整個(gè)微電子供應(yīng)鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機(jī)會(huì)，為半導(dǎo)體制造業(yè)賦能，促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會(huì)以“寬禁帶功率半導(dǎo)體在汽車(chē)應(yīng)用中的機(jī)遇”為主題的單元中，Markus Mose
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2024年全球超過(guò)一半的SiC晶圓可能來(lái)自中國(guó)

2023年，中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，尤其得到國(guó)際IDM廠商的認(rèn)可，中國(guó)廠商產(chǎn)能大幅提升。此前，來(lái)自中國(guó)的SiC材料僅占全球市場(chǎng)的5%。然而，到2024年，預(yù)計(jì)將搶占可觀的市場(chǎng)份額。該領(lǐng)域的主要中國(guó)公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴(kuò)大了千倍。我國(guó)大約有四到五家從事SiC晶體生長(zhǎng)的龍頭企業(yè)，為測(cè)算我國(guó)SiC晶體生長(zhǎng)產(chǎn)能提供了依據(jù)。目前，他們的月產(chǎn)能合計(jì)約為60,000單位。隨著各公司積極增產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)單位
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦
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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算

功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說(shuō)明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每?jī)赡昃头环?。事?shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì)高達(dá)60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩(wěn)步增
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SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車(chē)延長(zhǎng)5%里程的秘訣

不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識(shí)/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來(lái)越豐富的可選方案，都在推動(dòng)著人們選用電動(dòng)汽車(chē) (EV)，令電動(dòng)汽車(chē)日益普及。高盛近期的一項(xiàng)研究顯示，到 2023 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的 10%；到 2030 年，預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至 30%；到 2035 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將有可能占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長(zhǎng)，則是影響電動(dòng)汽車(chē)普及的主要障礙之一?？朔@一問(wèn)題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長(zhǎng)車(chē)輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
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英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署半導(dǎo)體供應(yīng)長(zhǎng)約

英飛凌、現(xiàn)代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已簽署一項(xiàng)多年期碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。據(jù)外媒，10月18日，英飛凌、現(xiàn)代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已達(dá)成戰(zhàn)略合作，簽署一項(xiàng)多年期碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議，以確保功率半導(dǎo)體的供應(yīng)。根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代、起亞供應(yīng)碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現(xiàn)代、起亞則會(huì)出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設(shè)與儲(chǔ)備，三方也計(jì)劃在提升電動(dòng)汽車(chē)的性能上緊密合作。
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT WBG

三星人事變動(dòng)，瞄準(zhǔn)碳化硅！

10月16日，根據(jù)韓媒ETNEWS的報(bào)道，三星電子近期聘請(qǐng)安森美半導(dǎo)體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔(dān)任副總裁，負(fù)責(zé)監(jiān)督SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，并在其內(nèi)部組織了SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)V-TF部門(mén)。Stephen Hong是功率半導(dǎo)體專(zhuān)家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導(dǎo)體等全球主要功率半導(dǎo)體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團(tuán)隊(duì)成員，同時(shí)通過(guò)與韓國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學(xué)術(shù)界互動(dòng)，進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進(jìn)軍GaN業(yè)務(wù)的時(shí)候也曾提
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為敏感電路提供過(guò)壓及電源反接保護(hù)！

假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無(wú)恙嗎？您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電源會(huì)瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴(yán)酷環(huán)境中?即使此類(lèi)事件的發(fā)生概率很低，但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負(fù)電源電壓，設(shè)計(jì)人員慣常的做法是布設(shè)一個(gè)與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級(jí)空間，又會(huì)在高負(fù)載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的
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從國(guó)際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅（SiC）具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可很好地滿足新能源汽車(chē)與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應(yīng)用需求，對(duì)我國(guó)“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來(lái)五年“中國(guó)芯”最好的突破口之一，當(dāng)下我國(guó)應(yīng)該集中優(yōu)勢(shì)資源重點(diǎn)發(fā)展。
關(guān)鍵字： ?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸擴(kuò)產(chǎn)

中國(guó)香港地區(qū)將建首個(gè)具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額約69億港元，計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng)造超過(guò)700個(gè)本地和
關(guān)鍵字：晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體