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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
  • 關鍵字： CoolSiC  MOSFET  

低壓電源MOSFET設計

  • 低壓功率MOSFET設計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用，即使電源電壓很低。關鍵功能包括以下內容：　　低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關重要。由于其先進的結構和材料，低壓MOSFE
  • 關鍵字： 低壓電源  MOSFET  

碳化硅大風，吹至半導體設備

  • 2025年以來，碳化硅產業(yè)迎來關鍵發(fā)展節(jié)點，正式步入8英寸產能轉換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設備順利發(fā)貨之后，碳化硅設備領域又傳動態(tài)：中導光電拿下SiC頭部客戶重復訂單。 近日，中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設備NanoPro-150獲得國內又一SiC頭部客戶的重復訂單，該設備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設備產品還成功贏得了國內半導體行業(yè)頭部企業(yè)的重復訂單。 中導光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領域投入更多的研發(fā)資源，通過高精度多
  • 關鍵字： 碳化硅  半導體設備  

如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

  • 在工業(yè)電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流。可靠的工業(yè)電子設備通常配備保護電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護電子設備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負載快速變化時發(fā)生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
  • 關鍵字： 過壓保護  開關浪涌  MOSFET  

瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能?；谶@一創(chuàng)新產品的終端設備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心及不間斷電源（UPS）等多個領域。瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產品的導通電阻（MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻）
  • 關鍵字： 瑞薩  MOSFET  

牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！

  • 功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路（2）（1）：等效電路（門極加
  • 關鍵字： 功率器件  MOSFET  電路  

英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng)新引擎

  • 英飛凌1992年開始碳化硅技術研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術，2024年推出了集成.XT技術的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領碳化硅技術發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產品及技術方面的進展及其在工業(yè)與基礎設施領域的應用和
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  能源  工業(yè)設備  

為什么超大規(guī)模數據中心要選用SiC MOSFET？

  • 如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數據中心供電：從電網到GPU電源供應器(PSU)還必須滿足數據中心行業(yè)的特定需求。人工智能數據中心的PSU應滿足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規(guī)范，要求30%到100
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  數據中心  

30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴

  • 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
  • 關鍵字： 碳化硅  零碳技術  英飛凌  

英飛凌：30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴

  • 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  

格力碳化硅芯片工廠建成投產

  • 12月18日消息，格力電器董事長董明珠日前在《珍知酌見》欄目中表示，格力芯片成功了。據董明珠介紹，格力在芯片領域從自主研發(fā)、自主設計、自主制造到整個全產業(yè)鏈已經完成。據報道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設的碳化硅芯片工廠。該項目于2022年12月開始打樁建設，2023年4月開始鋼結構吊裝，當年10月設備移入，12個月實現(xiàn)通線。項目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測工廠以及配套的半導體檢測中心和超級能源站。值得一提的是，該項目關鍵核心工藝國產化設備導入率超過70%，據稱是全球第二組、亞洲第一座全自
  • 關鍵字： 格力  碳化硅  芯片工廠  

博世將獲美芯片補貼擴產SiC半導體

  • 據媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產碳化硅（SiC）功率半導體。據悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產碳化硅功率半導體。此外，美國商務部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產 SiC 芯片，據估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產能的40%以上。
  • 關鍵字： 博世  碳化硅  功率器件  

雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長期供應協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車 電源控制系統(tǒng)

  • ●? ?意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全●? ?合作開發(fā)逆變器電源控制系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)，進一步提高安培新一代電機的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應鏈上游企業(yè)合作，為其每一項電動汽車技術設計最佳解決方案的策略雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集
  • 關鍵字： 雷諾  安培  意法半導體  碳化硅  電動汽車電源  電源控制系統(tǒng)  

引入碳化硅技術，采埃孚在華第3家電驅動工廠開業(yè)

  • 據采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅動工廠—采埃孚電驅動系統(tǒng)（沈陽）有限公司近日開業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅動工廠，沈陽工廠將生產和銷售新能源汽車電驅動橋三合一總成等產品。據介紹，沈陽電驅動工廠的主打產品為新能源汽車的電驅動系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術，圍繞800伏平臺持續(xù)升級，既可以提升安全等級又可以優(yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國共有3家電驅動工廠。2022年9月，采埃孚電驅動技術（杭州）有限公司二期項目投產，主要生產800伏
  • 關鍵字： 碳化硅  采埃孚  電驅動  

Vishay推出性能先進的新款40V MOSFET

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導通電阻，能夠為工業(yè)應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導通電阻低至0
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  
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碳化硅 mosfet介紹

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