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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世!為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

  • 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示:“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù),推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
  • 關(guān)鍵字: STPOWER  SiC  MOSFET  
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