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25kW電動(dòng)汽車直流快速充電樁：設(shè)計(jì)技巧、技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

便捷高效的充電能力是所有純電動(dòng)汽車 (BEV) 成功的關(guān)鍵。充電的地方越多，充電的速度越快，大眾就越有可能購(gòu)買 BEV，而非燃油車。但是，要讓設(shè)計(jì)的電動(dòng)汽車快速充電樁緊湊、高效且可靠，并非易事。除了實(shí)際的轉(zhuǎn)換電路外，硬件保護(hù)技術(shù)也必不可少，需要設(shè)計(jì)人員對(duì)多種“假設(shè)”場(chǎng)景進(jìn)行分析。方案包括使用由無(wú)源 RC 網(wǎng)絡(luò)和阻斷組件構(gòu)成的緩沖器。圖 1：安森美 (onsemi) 基于 25kW SiC 模塊的直流快充系統(tǒng)過(guò)壓和/或過(guò)流始終是個(gè)令人擔(dān)憂的問(wèn)題，需要對(duì)功率半導(dǎo)體加以保護(hù)，確保它們不會(huì)受損。一種做法是添加具有
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您

在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。博格華納將集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPE
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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元

2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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三相PFC轉(zhuǎn)換器如何大幅提高車載充電器的充電功率？

隨著汽車市場(chǎng)電氣化時(shí)代的到來(lái)，對(duì)電池充電器的需求越來(lái)越大。通過(guò)簡(jiǎn)單的公式可以知道，功率越大，充電時(shí)間就越短。本文考慮的是三相電源，其所能提供的功率最高為單相電源的3 倍。這里提及的三相 PFC 板是基于碳化硅 MOSFET 的車載充電器系統(tǒng)第一級(jí)的示例，它會(huì)提高系統(tǒng)效率并減少 BOM 內(nèi)容。開(kāi)發(fā) PFC 板的主要目的是方便訪問(wèn)不同設(shè)備，從而為測(cè)試階段和測(cè)量提供便利；外形尺寸優(yōu)化從來(lái)不是 EVB 的目標(biāo)。一輸出電壓在這里，三相 PFC 提供的輸出電壓被固定為 700 V（精度5%）。得益于
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個(gè)SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的，里面包含了許
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安森美將攜智能成像方案亮相Vision China 2023

中國(guó)上海 - 2023年7月7日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，將攜領(lǐng)先的圖像感知技術(shù)及方案亮相于7月11日至13日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的中國(guó)（上海）機(jī)器視覺(jué)展（Vision China 2023），展位號(hào)為5.1號(hào)館D204號(hào)展臺(tái)。安森美將展示基于其 AR0822圖像傳感器和Rockchip的RK3588處理器的高精度條碼掃描方案。AR0822支持120 dB高動(dòng)態(tài)范圍片上融合（eHDRTM）、近紅外響應(yīng)增強(qiáng)（NIR+）和超
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IGBT如何選擇，你真的了解嗎？

最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用日益增多，受到廣泛關(guān)注。然而，在這些新技術(shù)出現(xiàn)之前，許多高功率應(yīng)用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實(shí)上，許多此類應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行，并列舉多種不同 IGBT 應(yīng)用的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。IGBT 器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)而言之，IGBT 是由 4 個(gè)交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導(dǎo)體晶體管，通過(guò)施加于金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS
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超低功耗無(wú)線 MCU：玩轉(zhuǎn)睡眠模式

支持藍(lán)牙低功耗 (LE) 的設(shè)計(jì)可讓設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間處于非工作狀態(tài)，因此，您可能需要選用具有超低功耗睡眠模式的高能效無(wú)線微控制器 (MCU)，這對(duì)于優(yōu)化整體系統(tǒng)性能至關(guān)重要。設(shè)計(jì)人員應(yīng)當(dāng)仔細(xì)選擇采用藍(lán)牙低功耗技術(shù)的 MCU 的規(guī)格，確定超低功耗的真正含義。這不是對(duì)照數(shù)據(jù)表確定最低電流消耗值，針對(duì)應(yīng)用尋求最佳解決方案并非易事。睡眠模式（又稱低功耗模式或休眠模式）不僅意味著低電流，還需考慮以下幾個(gè)因素：?● 電流消耗● 喚醒源● 保留內(nèi)存●&n
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)

自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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貿(mào)澤電子備貨安森美NCN26010以太網(wǎng)控制器

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) NCN26010工業(yè)以太網(wǎng)控制器。這款新型10BASE-T1S以太網(wǎng)控制器設(shè)計(jì)用于為工業(yè)環(huán)境提供可靠的多點(diǎn)通信。安森美NCN26010是一款10Mb/s、符合IEEE 802.3cg標(biāo)準(zhǔn)的器件，包含媒體訪問(wèn)控制器 (MAC)、PLCA協(xié)調(diào)子層 (RS) 和10BASE-T1S PHY，設(shè)計(jì)用于工業(yè)多點(diǎn)以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)。該器件可在單根雙絞線上實(shí)現(xiàn)40多個(gè)節(jié)點(diǎn)，
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安森美推出端對(duì)端定位系統(tǒng),助力實(shí)現(xiàn)更省電的高精度資產(chǎn)追蹤

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi），推出了一款端對(duì)端定位系統(tǒng)，讓設(shè)計(jì)人員可以更方便快速地開(kāi)發(fā)出更高精度、更具成本效益、更省電的資產(chǎn)追蹤解決方案。該系統(tǒng)基于安森美的RSL15 MCU，這是業(yè)界功耗最低的Bluetooth? 5.2 MCU，并采用了Unikie和CoreHW的軟件算法和組件，形成一個(gè)全集成的解決方案，其組件已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可以協(xié)同工作。新的藍(lán)牙低功耗（Bluetooth LE）解決方案使標(biāo)簽?zāi)軌蛴糜谠谝?guī)定的封閉空間（如倉(cāng)庫(kù)、商店或其他建筑物）中以亞米級(jí)的精度追蹤物體或人員。它
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安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級(jí)到800V電池架構(gòu)

自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
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安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

本文旨在介紹安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)，接下來(lái)介紹開(kāi)關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開(kāi)關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢(shì)。該虛擬環(huán)境還可用來(lái)研究系統(tǒng)性能對(duì)半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細(xì)介紹對(duì)軟硬開(kāi)關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響。總結(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)
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安森美介紹

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號(hào)、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國(guó)亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]