安森美文章進入安森美技術(shù)社區(qū)

MOSFET選得好，極性反接保護更可靠

當車輛電池因損壞而需要更換時，新電池極性接反的可能性很高。車輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車輛電池，因而此類事件可能會導(dǎo)致大量 ECU 故障。ISO（國際標準化組織）等汽車標準定義了電氣電子設(shè)備的測試方法、電壓水平、電磁輻射限值，以確保系統(tǒng)安全可靠地運行。與極性反接保護 (RPP) 相關(guān)的一種標準是 ISO 7637-2:2011，它復(fù)制了實際應(yīng)用中的各種電壓場景，系統(tǒng)需要承受此類電壓以展示其能夠防范故障的穩(wěn)健性。這使得極性反接保護成為連接電池的 ECU/系統(tǒng)的一個關(guān)鍵組成部分，所有汽車制造
關(guān)鍵字：安森美

5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！

當您設(shè)計新電力電子產(chǎn)品時，您的目標任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
關(guān)鍵字：安森美 SiC

氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。只有合理設(shè)計能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現(xiàn)實現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路的 PCB 設(shè)計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
關(guān)鍵字：安森美 GaN PCB

一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算

與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗
關(guān)鍵字：安森美 IGBT

碳化硅如何革新電氣化趨勢

在相當長的一段時間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡螅骷梢栽诟鼘挼臏囟确秶鷥?nèi)工作，而不會發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學惰性，所有這些優(yōu)點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純
關(guān)鍵字：安森美碳化硅

使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（三）：設(shè)計要點和PCB布局指南

本設(shè)計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實戰(zhàn)經(jīng)驗。上兩期分別講解了隔離式柵極驅(qū)動器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動器的電源、濾波設(shè)計與死區(qū)時間控制，本文為第三部分，將為大家?guī)碓O(shè)計中的要點和PCB布局指南。設(shè)計驅(qū)動器VCC時，關(guān)于上電延遲有哪些注意事項？對于所使用的驅(qū)動器，要設(shè)計一個高能效且快速的電路，啟動時間是一個重要因素。因此，啟動時間必須要短。但是，啟動時間受上電延遲的限制，上電延遲是指驅(qū)動器使能到首次柵極輸出的時間。
關(guān)鍵字：安森美柵極驅(qū)動

高集成度、最大化靈活度的電機控制驅(qū)動器

三相永磁無刷直流（以下簡稱“BLDC”）電機控制需要一個電子換向電路，而傳統(tǒng)的有刷直流電機是采用機械自換向的方式。與有刷直流電機不同，BLDC電機沒有電刷，無需定期維護或更換，因而不易受到磨損。我們將簡要介紹 BLDC 電機的結(jié)構(gòu)和控制，然后介紹三種換向方法：● 梯形換向● 磁場定向控制● 直接扭矩和磁通控制最后，我們會介紹一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，可以以單個電機控制集成電路(IC)實施三種換向方法中的任何一種。BLDC結(jié)構(gòu)BLDC
關(guān)鍵字：安森美電機控制

約29.35億元，全球半導(dǎo)體再現(xiàn)12英寸廠出售案

近日，安森美宣布，已成功收購格芯(GlobalFoundries) 位于美國紐約州東菲什基爾（East Fishkill，EFK）地區(qū)的300mm晶圓廠，自2022年12月31日起生效。該交易為安森美團隊增加了1,000多名世界一流的技術(shù)專家和工程師。2019年4月，安森美與格芯宣布達成協(xié)議，收購格芯位于美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓，總價格為4.3億美元（約合人民幣29.35億元），其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付，3.3億美元在2022年底支付。根據(jù)協(xié)議，安森美幾年內(nèi)可在該廠增
關(guān)鍵字： 12英寸安森美

安森美舉行剪彩儀式,慶祝原格芯紐約東菲什基爾工廠所有權(quán)轉(zhuǎn)讓完成

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），近日宣布于2022年12月31日成功完成了對格芯（GlobalFoundries）位于紐約州東菲什基爾（EFK）的300毫米工廠的收購。該交易為安森美團隊帶來了1000多名世界一流的技術(shù)專家和工程師人才。在過去的三年里，安森美一直致力于確保東菲什基爾（EFK）工廠及其員工的長遠發(fā)展，大力投資于300毫米的生產(chǎn)能力，以加快公司在電源、模擬和感知產(chǎn)品的增長，并優(yōu)化制造成本結(jié)構(gòu)。東菲什基爾（EFK）工廠為安森美帶來了先進的CMOS制造能力--包括生產(chǎn)圖像傳感
關(guān)鍵字：安森美格芯紐約東菲什基爾工廠

使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（二）：電源、濾波設(shè)計與死區(qū)時間

本設(shè)計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實戰(zhàn)經(jīng)驗。上次為大家梳理了隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南，本文為第二部分，將帶大家全面了解使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動器的電源、濾波設(shè)計以及死區(qū)時間控制。電源建議以下是使用隔離式柵極驅(qū)動器電源時應(yīng)注意的一些建議。VDD 和 VCC 的旁路電容對于實現(xiàn)可靠的隔離式柵極驅(qū)動器性能至關(guān)重要。建議選擇具有適當電壓額定值、溫度系數(shù)和電容容差的低 ESR 和低 ESL 表面貼裝多層陶瓷電容
關(guān)鍵字：安森美柵極驅(qū)動器

安森美第四季度業(yè)績超預(yù)期,宣布30億美元股票回購計劃

安森美(onsemi)近日公布其2022年第4季度及全年業(yè)績，亮點如下：●? ?第4季度收入21.036億美元，同比增長14%●? ?第4季度公認會計原則(以下簡稱“GAAP”) 毛利率分別48.5%，同比增長343基點，非公認會計原則(以下簡稱“non-GAAP”)毛利率48.4%，同比增長321基點●? ?第4季度破紀錄汽車行業(yè)收入9.89億美元，同比增長54%●? ?第4季度GAAP和non-GAAP每股攤薄盈利分別為1
關(guān)鍵字：安森美業(yè)績

e絡(luò)盟開售安森美能源基礎(chǔ)設(shè)施解決方案

憑借數(shù)十年的創(chuàng)新技術(shù)經(jīng)驗以及可靠高效的下一代功率半導(dǎo)體，安森美將為能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用實現(xiàn)更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開發(fā)時間?中國上海，2023年2月2日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布供應(yīng)安森美（onsemi）EliteSiC系列高度優(yōu)化的最新碳化硅（SiC）產(chǎn)品，適用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。與同類競品相比，這些新器件在現(xiàn)實條件下實現(xiàn)了更低的開關(guān)損耗，能夠滿足下一代能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的更高性能要求。隨著脫碳轉(zhuǎn)型的加速，全球能源需求逐步轉(zhuǎn)向部署更多能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，
關(guān)鍵字： e絡(luò)盟安森美能源基礎(chǔ)設(shè)施

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用

目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進，這些都會得到解決。同時SiC由于開關(guān)速度比較快，衍生出來的問題在應(yīng)用里還沒有完全的暴露出來，隨著SiC的終端客戶在這方面的應(yīng)用經(jīng)驗越來越豐富，SiC的使用也會趨于成熟。接下來，安森美(onsemi)汽車主驅(qū)功率模塊產(chǎn)品線經(jīng)理陸濤將和您聊聊關(guān)于未來SiC在新能源汽車上的普及及應(yīng)用。
關(guān)鍵字：安森美功率器件汽車

安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達成戰(zhàn)略協(xié)議，進一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系

2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導(dǎo)體器件，以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
關(guān)鍵字：安森美大眾汽車集團電動汽車碳化硅 SiC

安森美:圍繞全球可持續(xù)發(fā)展的共同目標而推進

安森美(onsemi) 得益于在電動汽車/ 汽車功能電子化、自動駕駛、光伏、儲能和工廠自動化等市場的戰(zhàn)略布局和技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，近6個季度的財務(wù)業(yè)績連創(chuàng)新高，2022 年第3 季度實現(xiàn)破紀錄收入21.926 億美元，其中汽車和工業(yè)市場收入占比達到68%。展望2023 年，我們?nèi)詴Ｗ⒂谶@兩大長期增長的市場，持續(xù)精益業(yè)務(wù)及流程改進，優(yōu)化產(chǎn)能，提升客戶體驗及滿意度，以智能電源和智能感知技術(shù)創(chuàng)新推動兩倍的市場增長。碳化硅(“SiC”) 是未來功率半導(dǎo)體最主流的方向，是顛覆創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)之一。SiC 用于汽車主驅(qū)、車
關(guān)鍵字： 202301 安森美

共1140條 17/76 |‹ « 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 » ›|

安森美介紹

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細 ]