安森美文章進(jìn)入安森美技術(shù)社區(qū)

安森美2023財年第一季度業(yè)績超預(yù)期

2023年5月4日—安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)公布其2023財年第1季度業(yè)績，亮點如下：· 第1季度收入19.597億美元，同比增長1%· 第1季度公認(rèn)會計原則(以下簡稱“GAAP”)和非GAAP的毛利率為46.8% · GAAP營業(yè)利潤率和非GAAP營業(yè)利潤率分別為28.8%和32.2%·&
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安森美向海拉交付第10億顆感應(yīng)傳感器IC

2023 年 4 月 28日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號：ON）宣布，已向海拉（HELLA）交付第10億顆感應(yīng)傳感器接口集成電路（IC），海拉是一家國際汽車零部件供應(yīng)商，也是佛瑞亞（FORVIA）集團(tuán)旗下公司。這顆由安森美設(shè)計的IC被用于海拉的汽車線控系統(tǒng)非接觸型感應(yīng)位置傳感器（CIPOS?）技術(shù)。在長達(dá)25年的合作中，兩家公司開發(fā)的創(chuàng)新設(shè)計縮小了海拉模塊和安森美IC的尺寸，以更好地適配對模塊外形尺寸有著高要求的應(yīng)用。 CIPOS?是一種感應(yīng)技術(shù)，用
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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長期供應(yīng)協(xié)議

2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長期供應(yīng)協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程。極氪將采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET，以配合其不斷擴(kuò)大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容，實現(xiàn)更強的電氣和機械性能及可靠性。這些功率器件提供更高的
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使用NCP1623A設(shè)計緊湊高效的PFC級的IC控制電路設(shè)計

之前我們介紹過快速設(shè)計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規(guī)格與功率級設(shè)計。本文將詳細(xì)說明IC控制電路設(shè)計中的細(xì)節(jié)：FB引腳電路、VCTRL 引腳電路、CS/ZCD 引腳電路、CSZCD電阻器設(shè)計等內(nèi)容。步驟 3：IC 控制電路設(shè)計如圖 1 所示，反饋配置包括：● 一個電阻分壓器，用于降低體電壓，以向 FB 引腳提供反饋信號。出于安全考慮，分壓器的上層電阻通常由兩個或三個電阻構(gòu)成。否則，RFB1 的任何意外短接都會將輸出高電壓施加到控制器上并將
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
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即將亮相2023北京國際聽力學(xué)大會，安森美硬核聽力方案了解下~

輔聽耳機，音頻市場下一個突破點？助聽器無線化、智能化，安森美有什么絕招？5月26日至5月28日2023年北京國際聽力學(xué)大會——云集芯片、器件、算法、整機算法的行業(yè)盛會鎖定#B31展位聽安森美為您娓娓道來話不多說，先來劇透一波安森美的硬核展品！智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi）擁有30多年的助聽器芯片設(shè)計經(jīng)驗，是行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的助聽器芯片供應(yīng)商，將在#B31展位展示一系列先進(jìn)的專業(yè)數(shù)字助聽器/OTC輔聽方案，包括Ezairo 7160、Ezairo 8300、J11/J10低功耗藍(lán)牙無線OTC
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關(guān)于圖像傳感器的像素誤區(qū)

圖像傳感器的應(yīng)用日益普及，特別是在安防、工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)域。很多汽車現(xiàn)在都配備了至少五個以上基于圖像傳感器的攝像頭。但是，圖像傳感器技術(shù)不同于標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體技術(shù)，存在著一些錯誤認(rèn)知。摩爾定律和圖像傳感器有些人假設(shè)著名的“摩爾定律”也適用于圖像傳感器。戈登·摩爾（Fairchild半導(dǎo)體公司的創(chuàng)始人，F(xiàn)airchild半導(dǎo)體現(xiàn)在是安森美的一部分）指出，集成電路 (IC) 上的晶體管數(shù)量每兩年增加一倍。為了將兩倍數(shù)量的晶體管放置在單個器件上，縮小晶體管是主要實現(xiàn)方式。這種趨勢已經(jīng)持續(xù)了數(shù)十年，但近年晶體管數(shù)量增長
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使用NCP1623A設(shè)計緊湊高效的PFC級的關(guān)鍵步驟

本文介紹了快速設(shè)計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規(guī)格與功率級設(shè)計，并以實際的 100W 通用電源應(yīng)用為例進(jìn)行說明，IC控制電路設(shè)計將在后續(xù)的推文中分享?！?nbsp; 最大輸出功率：100 W● Rms 線路電壓范圍：90 V - 264 V● 調(diào)節(jié)輸出電壓：● 低壓為 250 V（115V 電源）● 高壓為 390 V（230V 電源）NCP1623 具有多個選項，本文側(cè)重于NCP1623A，它與其他版本的主要
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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揭秘碳化硅芯片的設(shè)計和制造

眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計和制造工藝有著極高的要求，接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設(shè)計和制造上都獲得了哪些進(jìn)展和成果。Die Layout下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。圖一芯片的表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate P
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安森美入選美國《巴倫周刊》2023 年美國最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單

2023 年 4月 3日——智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號：ON）宣布，公司入選《巴倫周刊》美國最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單?！栋蛡愔芸吩u估 1000 家大型上市公司在環(huán)境、社會和管治 (ESG) 方面的230項績效指標(biāo)，排名前 100 的公司將入選年度榜單。自 2018 年首次啟動評選以來，安森美已連續(xù)六年上榜。安森美的入選彰顯其在管理、執(zhí)行和披露可持續(xù)發(fā)展及 ESG 目標(biāo)方面的領(lǐng)導(dǎo)力，公司在其年度可持續(xù)發(fā)展報告中介紹相關(guān)指標(biāo)及其進(jìn)展情況，并根據(jù)全球報
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封裝技術(shù)開發(fā)要點：不同模型下的瞬態(tài)響應(yīng)分析

在封裝開發(fā)中，如何正確使用數(shù)據(jù)表的熱特性參數(shù)以做出設(shè)計決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。之前我們討論了穩(wěn)態(tài)數(shù)據(jù)和瞬態(tài)數(shù)據(jù)的解讀與多輸入瞬態(tài)模型，今天我們將繼續(xù)分析各種模型下的瞬態(tài)響應(yīng)。多結(jié)器件和瞬態(tài)響應(yīng)上一部分中提到了多輸入瞬態(tài)模型。正如熱系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)描述一樣，也可以構(gòu)建多結(jié)器件的瞬態(tài)描述。如果遵循矩陣方法，唯一區(qū)別是矩陣的每個元素都是時間的函數(shù)。對于器件中的每個熱源，都會有一條“自發(fā)熱”瞬態(tài)響應(yīng)曲線；對于系統(tǒng)中的每個其他關(guān)注點，都會存在一條“相互作用”瞬態(tài)響應(yīng)曲線。在同樣的限制性假設(shè)的約束下，線性疊加和互易原理仍然
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安森美：傳統(tǒng)工業(yè)市場升級帶來電機控制新機遇

在后疫情時代，安森美認(rèn)為在大型和手持電器、機器人、伺服驅(qū)動器等領(lǐng)域，對無刷直流電機(BLDC) 需求較大，將會是重點增長的幾個應(yīng)用方向。同時安森美也預(yù)計所有氣體動力工具/手持電器會繼續(xù)向電氣化發(fā)展，在伺服和自動化等更傳統(tǒng)的工業(yè)應(yīng)用中也會看到比較大的潛力。特別的，無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）市場將持續(xù)增長，因為它們開始滲入更多的傳統(tǒng)工業(yè)市場，如伺服電機。為了應(yīng)對這樣的市場需求，安森美(onsemi) 在電機控制領(lǐng)域主打從器件到系統(tǒng)的靈活性解決方案，即提供針對無刷直流(BLDC) 應(yīng)用的
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安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺,性能領(lǐng)先,應(yīng)用工業(yè)市場

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應(yīng)用能效，將主要用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關(guān)損耗可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度
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安森美推出仿真工具，助力加速復(fù)雜電力電子應(yīng)用上市周期

2023 年 3 月 22日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），針對其EliteSiC碳化硅（SiC）產(chǎn)品系列及其應(yīng)用推出一款突破性的仿真工具。全新的Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具，使工程師在開發(fā)周期的早期階段，通過對復(fù)雜電力電子應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)級仿真，獲得有價值的參考信息。這些工具提供尖端前沿的精確仿真數(shù)據(jù)，從而讓客戶根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)行EliteSiC產(chǎn)品選型，無需耗費成本和時間進(jìn)行硬件制造和測試，為電力電子工
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安森美介紹

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]