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三星啟動新的半導體部門，旨在開發(fā)下一代AGI芯片

  • 據(jù)報道，三星已在硅谷成立了一個新的半導體研發(fā)組織，旨在開發(fā)下一代AGI芯片。三星不打算就此止步，因為他們決定抓住潛在的“黃金礦藏”與AGI半導體部門一擁而上，比其他公司更早 三星電子，特別是其鑄造部門，在擴大半導體能力方面正在迅速進展，公司宣布新的下一代工藝以及最終的客戶。然而，在人工智能時代，與像臺積電這樣的競爭對手相比，三星在AI方面沒有取得顯著進展，因為該公司未能引起像NVIDIA這樣的公司對半導體的關注，但看起來這家韓國巨頭計劃走在前面，隨著世界轉向AGI主導的技術領域。相關故事報告顯示去年銷售
  • 關鍵字： 三星，AGI，芯片  

三星調整芯片工廠建設計劃，應對市場需求變化

  • IT之家 2 月 20 日消息，三星半導體業(yè)務雖然面臨著持續(xù)的挑戰(zhàn)，但該公司仍對今年下半年的市場前景持樂觀態(tài)度。為了提高效率并更好地響應市場需求，三星正在對其芯片工廠進行一些調整。具體而言，三星正在調整位于韓國平澤的 P4 工廠的建設進度，以便優(yōu)先建造 PH2 無塵室。此前，三星曾宣布暫停建設 P5 工廠的新生產(chǎn)線。三星正在根據(jù)市場動態(tài)調整其建設計劃。平澤是三星主要的半導體制造中心之一，是三星代工業(yè)務的集中地，也是該公司生產(chǎn)存儲芯片的地方。目前，P1、P2 和 P3 工廠已經(jīng)投入運營，P4 和
  • 關鍵字： 三星  晶圓代工  

三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷

  • 最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產(chǎn)階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
  • 關鍵字： 三星  Exynos  芯片  3nm  GAA  

測試發(fā)現(xiàn)三星Galaxy S24 Ultra鈦合金用料不及iPhone 15 Pro Max

  • ?2 月 6 日消息，和 iPhone 15 Pro Max 一樣，三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了鈦合金框架，以提升手機的耐用性和輕量化程度。然而，兩款手機的鈦合金含量和品質卻并不相同。知名 Youtube 科技頻道 JerryRigEverything 通過火燒測試，揭示了其中的奧秘。此前，JerryRigEverything 已經(jīng)對 iPhone 15 Pro Max 進行了同樣的測試，發(fā)現(xiàn)其鈦合金框架在高溫灼燒下依然完好無損。這并不令人意外，因為測試所用的熔爐溫度不足以熔
  • 關鍵字： 三星  Galaxy S24 Ultra  鈦合金  Phone 15 Pro Max  

消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內存芯片

  • 2 月 5 日消息，據(jù)報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內存（將在高密度內存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術開發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關于將在峰會上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引
  • 關鍵字： 三星  32Gb DDR5  內存芯片  

2nm半導體大戰(zhàn)打響！三星2nm時間表公布

  • 2月5日消息，據(jù)媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導體工廠，將進行2nm制造。據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術。臺積電推出的采用納米片晶體管架構的2nm制程技術，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相
  • 關鍵字： 2nm  半導體  三星  

三星與臺積電據(jù)悉都將從2025年開始投入2nm制程量產(chǎn)

  • 2月5日消息，三星與臺積電據(jù)悉都將從2025年開始投入2nm制程量產(chǎn)。此前，韓國政府1月中旬表示，三星公司計劃到2047年在首爾南部投資500萬億韓元建設“超大集群”半導體項目，將重點生產(chǎn)先進產(chǎn)品，包括使用2nm工藝制造的芯片。
  • 關鍵字： 三星  臺積電  2nm  

消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號

  •  2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
  • 關鍵字： 三星  3nm GAA  Exynos 2500 芯片  

英特爾超越三星，重返半導體行業(yè)榜首

  • 根據(jù)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)，2023年，由于企業(yè)和消費者支出放緩，全球半導體行業(yè)營收同比下降了8.8%，下降至5213億美元。不僅再次受到周期性變化影響，而且遭遇了史無前例的重大挑戰(zhàn) ——?存儲器收入下降37%，是半導體市場降幅最大的領域；非存儲器收入表現(xiàn)相對較好，下降了3%。因此，英特爾超越三星成為世界上最大的半導體芯片制造商。Gartner認為，英特爾之所以能占據(jù)榜首，是因為三星受到了內存組件疲軟的打擊：2023年，三星半導體芯片部門的營收從2022年的702億美元
  • 關鍵字： 英特爾  三星  半導體  芯片  

2023印度手機戰(zhàn)報：三星18%領跑、vivo17%第二、小米16.5%第三

  • 2 月 1 日消息，根據(jù)市場調查機構 Counterpoint Research 公布的最新報告，2023 年全年印度智能手機出貨量為 1.52 億部，和 2022 年持平。2023 年上半年，由于宏觀經(jīng)濟持續(xù)動蕩，導致需求低迷和庫存積壓，智能手機市場出現(xiàn)諸多挑戰(zhàn)；2023 下半年，在升級 5G 浪潮以及電商促銷活動下，印度智能手機市場開始復蘇。三星三星主要得益于 Galaxy A 系列的強勁表現(xiàn)、積極的線下營銷以及在高端市場的聚焦策略，在 2023 年以 18% 的份額領跑市場。vivovivo 重點圍
  • 關鍵字： 印度  三星  vivo  小米  

1年利潤暴跌84.9%！三星樂觀 今年業(yè)績回暖：存儲漲價是開始

  • 2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業(yè)利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業(yè)績會回暖，其中以存儲產(chǎn)品價格回暖最為明顯，相關SSD等產(chǎn)品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內重量級NAN
  • 關鍵字： 存儲  三星  鎂光  海力士  NAND  

三星電子第四季度銷售額 67.78 萬億韓元同比下降 3.81%，營業(yè)利潤 2.8 萬億韓元同比下降 34.4%

  • IT之家 1 月 31 日消息，三星電子今日公布第四財季業(yè)績：第四季度合并營業(yè)利潤為 2.82 萬億韓元（IT之家備注：當前約 151.72 億元人民幣）同比下降 34.4%，銷售額為 67.78 萬億韓元（當前約 3646.56 億元人民幣）同比下降 3.81%。三星電子 2023 年綜合營業(yè)利潤暫定為 6.567 萬億韓元，比上年同期減少 84.86%。這是自上一次金融危機（2008 年為 6.0319 萬億韓元）以來，三星電子的年度營業(yè)利潤首次跌破 10 萬億韓元。相對地，三星電子全年銷售
  • 關鍵字： 三星電子  三星  財報  

三星新設內存研發(fā)機構：建立下一代3D DRAM技術優(yōu)勢

  • 三星稱其已經(jīng)在美國硅谷開設了一個新的內存研發(fā)（R&D）機構，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機構將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發(fā)機構的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
  • 關鍵字： 三星  內存  DRAM  芯片  美光  

三星將在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 層 QLC 閃存，速率可達 3.2GB/s

  • IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路會議（ISSCC）將于 2 月 18 日至 22 日在舊金山舉行，是世界學術界和企業(yè)界公認的集成電路設計領域最高級別會議。根據(jù)會議公開內容：屆時三星將展示其 GDDR7 內存以及 280 層 3D QLC NAND 閃存等技術，其中 GDDR7 IT之家此前已有相關報道，而 280 層 QLC 閃存將成為迄今為止數(shù)據(jù)密度最高的新型 NAND 閃存技術。從三星給出的主題“A 280-Layer 1Tb
  • 關鍵字： 三星  NAN閃存  GDDR7  

三星 Exynos 2400 芯片性能測試，光追性能力壓高通驍龍 8 Gen 3

  • IT之家 1 月 26 日消息，根據(jù) Golden Reviewer 公布的評測結果，在測試手機光線追蹤性能的 3DMark Solar Bay 測試中，三星 Exynos 2400 表現(xiàn)最佳。根據(jù)測試結果，三星 Exynos 2400 芯片得分為  8642 分，耗電量為 9.3W；作為對比高通驍龍 8 Gen 3 芯片得分為  8601 分，耗電量為 11.7W。這表明三星 Exynos 2400 芯片在支持光線追蹤的游戲上，性能最強最高效，凸顯了基于 AMD RDNA
  • 關鍵字： 三星  SoC  Exynos 2400  
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