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三星計(jì)劃今年底明年初推出 AI 芯片 Mach-1，采用 LPDDR 內(nèi)存

3 月 20 日消息，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負(fù)責(zé)人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）在今日的三星電子股東大會(huì)上宣布，三星電子計(jì)劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內(nèi)存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術(shù)驗(yàn)證，正處于 SoC 設(shè)計(jì)階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過(guò)程，明年初推出基于其的 AI 系統(tǒng)。韓媒 Sedaily 報(bào)道指，Mach-1 芯片基于非傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，可將片外內(nèi)存與計(jì)算芯片間的瓶頸降低至現(xiàn)有 AI 芯片的 1/8。此外，該芯
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三星計(jì)劃今年底明年初推出AI芯片Mach-1

科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)援引韓媒消息，三星電子DS(設(shè)備解決方案)部門負(fù)責(zé)人慶桂顯宣布，三星電子計(jì)劃今年底明年初推出采用LPDDR內(nèi)存的AI芯片Mach-1。Mach-1芯片已完成基于FPGA的技術(shù)驗(yàn)證，正處于SoC設(shè)計(jì)階段。該AI芯片將于今年底完成制造過(guò)程，明年初推出基于其的AI系統(tǒng)。Mach-1芯片基于非傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，可將片外內(nèi)存與計(jì)算芯片間的瓶頸降低至現(xiàn)有AI芯片的1/8。此外，其無(wú)需現(xiàn)在緊俏而昂貴的HBM內(nèi)存，而是選用了LPDDR內(nèi)存。
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消息稱三星計(jì)劃增加自家 Exynos 芯片的使用，以降低成本

IT之家 3 月 17 日消息，過(guò)去幾年里，三星在高端芯片方面對(duì)高通的依賴程度顯著增加。其可折疊手機(jī)系列一直只采用高通驍龍芯片，Galaxy S23 系列也全部搭載了高通芯片。三星自家的 Exynos 芯片僅在今年推出的 Galaxy S24 系列中得以回歸，部分市場(chǎng)也仍然搭載驍龍?zhí)幚砥?。芯片是三星移?dòng)部門成本投入最大部分的之一，如果高通漲價(jià)，三星就別無(wú)選擇，只能接受他們的報(bào)價(jià)。據(jù)悉高通芯片的價(jià)格相當(dāng)高，三星似乎希望從今年開始在更多 Galaxy 設(shè)備中使用 Exynos 芯片來(lái)降低成本。一份近
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Omdia：LG 面板在三星 OLED 電視中占比大增，今年將達(dá) 70~80 萬(wàn)片

IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Omdia 近日?qǐng)?bào)告，三星電子今年將大幅增加 LG 電視用 W-OLED 面板的采購(gòu)量，今年將達(dá) 70~80 萬(wàn)片，這一結(jié)果符合IT之家以往報(bào)道。根據(jù) Omdia 高層的報(bào)告，三星今年預(yù)計(jì)出貨 200 萬(wàn)臺(tái) OLED 電視，相較去年翻倍；而 LG 的目標(biāo)是 350 萬(wàn)臺(tái)，相較去年也增加了 50 萬(wàn)臺(tái)。今年 OLED 電視市場(chǎng)整體預(yù)估將達(dá) 630 萬(wàn)臺(tái)，如果這兩大巨頭最終瓜分 550 萬(wàn)臺(tái)，將進(jìn)一步壓縮索尼、松下等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的生存空間。在面板端，今年
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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2023Q4 全球晶圓代工營(yíng)收 TOP10：臺(tái)積電獨(dú)占 61.2%，三星 11.3% 居第二

IT之家 3 月 12 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告，表示 2023 年第 4 季度全球前十大晶圓代工廠營(yíng)收 304.9 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 2189.18 億元人民幣），環(huán)比增長(zhǎng) 7.9%。報(bào)告稱拉動(dòng) 2023 年第 4 季度晶圓代工廠營(yíng)收的主要是中低端智能手機(jī)應(yīng)用芯片以及周邊電源管理集成電路（PMIC），蘋果 iPhone 所用的 A17 芯片，以及 OLED DDI、CIS、PMIC 等周邊 IC。TrendForce 集邦咨詢表示，2023 年受供應(yīng)鏈庫(kù)存高
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傳三星擴(kuò)大采用索尼圖像傳感器，臺(tái)積電熊本廠或受益

影像傳感器是手機(jī)最重要零件之一，SONY是全球第一大影像傳感器制造商，三星System LSI部門也生產(chǎn)ISOCELL品牌影像傳感器，與SONY競(jìng)爭(zhēng)居全球第二。三星自家Galaxy手機(jī)多用自家System LSI研發(fā)的圖像傳感器，但未來(lái)可能生變。韓國(guó)媒體ETNews報(bào)導(dǎo)，三星手機(jī)可能使用更多SONY圖像傳感器，SONY半導(dǎo)體解決方案公司也計(jì)劃將部分相機(jī)傳感器生產(chǎn)線從日本轉(zhuǎn)到韓國(guó)，就是為了擴(kuò)大加強(qiáng)供貨三星圖像傳感器。SONY已與韓國(guó)后段代工合作伙伴商討封裝和測(cè)試工序，包括LB Semicon、NGion、A
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消息稱三星曾考慮使用天璣 9000 處理器，因供應(yīng)量不足放棄

IT之家 3 月 11 日消息，博主 Revegnus 近日否認(rèn)了三星旗艦手機(jī)未來(lái)將使用聯(lián)發(fā)科旗艦處理器的傳聞，但稱三星曾考慮在 S 系列手機(jī)上使用天璣 9000 處理器，但因供應(yīng)不足而放棄。該博主稱當(dāng)年聯(lián)發(fā)科曾考慮向三星供應(yīng) 1000 萬(wàn)顆天璣 9000，而這一供應(yīng)量遠(yuǎn)低于三星 Galaxy S 系列所需的 3000-3500 萬(wàn)顆，協(xié)議最終沒有達(dá)成。此外，該博主曾于 2 月發(fā)文稱，傳言聯(lián)發(fā)科向三星提供了特殊價(jià)格，三星的入門手機(jī)系列將擴(kuò)大聯(lián)發(fā)科處理器的使用范圍。Revegnus 強(qiáng)調(diào)聯(lián)發(fā)科與三
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美光攜手三星打造Galaxy S24系列，開啟移動(dòng)AI體驗(yàn)時(shí)代

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，三星 Galaxy S24 系列的部分設(shè)備已搭載美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動(dòng)閃存存儲(chǔ)，為全球手機(jī)用戶帶來(lái)強(qiáng)大的人工智能（AI）體驗(yàn)。Galaxy S24 系列由三星的生成式人工智能工具套件 Galaxy AI 提供支持，能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)障礙通信并且最大限度地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)作自由，從而進(jìn)一步提升用戶體驗(yàn)。隨著數(shù)據(jù)密集型和功耗密集型應(yīng)用不斷推動(dòng)智能手機(jī)的硬件性能達(dá)到極致，美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0
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全球HBM戰(zhàn)局打響！

AI服務(wù)器浪潮席卷全球，帶動(dòng)AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢(shì)增長(zhǎng)的風(fēng)景線。業(yè)界認(rèn)為，HBM是加速未來(lái)AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期，HBM市場(chǎng)動(dòng)靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲(chǔ)兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時(shí)，HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動(dòng)、被劃進(jìn)國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時(shí)間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲(chǔ)器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
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三星全新microSD，憑借高性能和大容量助力移動(dòng)計(jì)算和端側(cè)AI

三星電子今日宣布，已開始向客戶提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存儲(chǔ)卡樣品，該款存儲(chǔ)卡順序讀取速度最高可達(dá)800MB/s，此外，1TB[3] UHS-1 microSD存儲(chǔ)卡現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)階段。隨著新一代microSD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品的推出，三星將著力打造差異化存儲(chǔ)解決方案，更好滿足未來(lái)移動(dòng)計(jì)算和端側(cè)人工智能應(yīng)用的需求。"來(lái)自移動(dòng)計(jì)算和端側(cè)人工智能應(yīng)用的需求與日俱增，三星推出的這兩款全新micro SD卡為應(yīng)對(duì)這一問(wèn)題提供了有效解決方案。"三星電子品牌存儲(chǔ)事業(yè)
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消息稱三星背面供電芯片測(cè)試結(jié)果良好，有望提前導(dǎo)入

IT之家 2 月 28 日消息，據(jù)韓媒 Chosunbiz 報(bào)道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）芯片測(cè)試中獲得了好于預(yù)期的成果，有望提前導(dǎo)入未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)。傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來(lái)越混亂，對(duì)設(shè)計(jì)與制造形成干擾。BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡(jiǎn)化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對(duì)信號(hào)的干擾，最終可降低平臺(tái)整體電壓與功耗。對(duì)于三星而言，還特別有助于移動(dòng)端 SoC 的小型化?！?n
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三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時(shí)代的更高要求

三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。 &n
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AI-RAN聯(lián)盟成立，推動(dòng)5G/6G網(wǎng)絡(luò)人工智能進(jìn)化

據(jù)三星官網(wǎng)消息，2月26日，AI-RAN 聯(lián)盟在巴塞羅那 MWC2024 世界通信大會(huì)上正式成立，旨在通過(guò)與相關(guān)公司合作，將人工智能（AI）技術(shù)融入蜂窩移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，推動(dòng)5G及即將到來(lái)的6G通信網(wǎng)絡(luò)進(jìn)步，以改善移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)效率、降低功耗和改造現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施。據(jù)悉，該組織共有11個(gè)初始成員，其中包括：三星、ARM、愛立信、微軟、諾基亞、英偉達(dá)、軟銀等行業(yè)巨頭。聯(lián)盟將合作開發(fā)創(chuàng)新的新技術(shù)，以及將這些技術(shù)應(yīng)用到商業(yè)產(chǎn)品中，為即將到來(lái)的 6G 時(shí)代做好準(zhǔn)備。據(jù)了解，AI-RAN 聯(lián)盟將重點(diǎn)關(guān)注三大研究和創(chuàng)新領(lǐng)域：AI
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半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵——晶圓專題

半導(dǎo)體已經(jīng)與我們的生活融為一體，我們?nèi)粘Ｉ畹脑S多方面，包括手機(jī)、筆記本電腦、汽車、電視等，都離不開半導(dǎo)體。而制造半導(dǎo)體所需的多任務(wù)流程被分為幾個(gè)基本工藝，這些工藝的第一步就是晶圓制造。晶圓可以說(shuō)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，因?yàn)榘雽?dǎo)體集成電路包含許多處理各種功能的電氣元件。而集成電路是通過(guò)在晶圓的基板上創(chuàng)建許多相同的電路來(lái)制造的。晶圓是從硅棒上切成薄片的圓盤，由硅或砷化鎵等元素制成。大多數(shù)晶圓是由從沙子中提取的硅制成。美國(guó)的硅谷始于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，最終成為全球軟件產(chǎn)業(yè)的中心。據(jù)報(bào)道，它的名字是半導(dǎo)體原材料“硅”和圣克拉拉
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