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Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET

作者: 時(shí)間:2008-06-18 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  日前, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 --- Siliconix Si8445DB,該器件采用 MICRO FOOT® 級(jí)封裝,具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時(shí)業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/84405.htm

  隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來(lái)越小以及它們功能的不斷增加,電源管理電路的可用板面空間會(huì)極大減少。為實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者對(duì)用電池做電源的電子設(shè)備的更長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間的期望,設(shè)計(jì)人員需要具有低功耗的更小 封裝---這恰恰是新型 Siliconix Si8445DB 所具有的特點(diǎn)。

  憑借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面積,Si8445DB 比業(yè)界大小僅次于它的器件小20%,同時(shí)具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB 具有 1.2V VGS 時(shí) 0.495?~4.5V VGS 時(shí) 0.084 ?的低導(dǎo)通電阻范圍。1.2 V 時(shí)的低導(dǎo)通電阻額定值降低了對(duì)電平位移電路的需求,從而節(jié)約了便攜式電子設(shè)計(jì)中的空間及功率。

  該新器件的典型應(yīng)用將包括、、、 播放器及等便攜式設(shè)備中的低閾值負(fù)載開關(guān)、充電器開關(guān)及電池管理。

  目前,該新型 MICRO FOOT 級(jí)功率 的樣品與量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10~12 周。



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