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總投資120億元,士蘭集宏8英寸碳化硅項目封頂

發(fā)布人:芯股嬸 時間:2025-03-03 來源:工程師 發(fā)布文章

據(jù)今日海滄消息,2月28日上午,士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司的8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目,經(jīng)過8個月緊張有序地建設(shè)后,正式舉行全面封頂。

士蘭集宏項目總投資120億元,分兩期建設(shè),總建筑面積達(dá)23.45萬㎡,一期投資70億元,預(yù)計2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn),達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬片8英寸SiC芯片;二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬片/年,成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。該項目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品,主要服務(wù)于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。

據(jù)悉,該項目以“廈門速度”推進(jìn),從談判簽約到開工僅用55天,鋼結(jié)構(gòu)首吊于1月21日完成,主廠房核心區(qū)22榀鋼桁架梁半月內(nèi)全部就位。

據(jù)悉,士蘭集宏項目達(dá)產(chǎn)后可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求,并帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門,加速第三代半導(dǎo)體材料、設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程。

此外,士蘭微已實(shí)現(xiàn)第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量產(chǎn),其主驅(qū)模塊已獲國內(nèi)知名車企批量采購,技術(shù)實(shí)力進(jìn)一步鞏固。

據(jù)士蘭微電子董事會秘書、副總裁陳越介紹,士蘭集宏力爭到2028年底最終形成,年產(chǎn)42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。屆時,項目可以較好地滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求,并有能力向光伏、儲能、充電樁、Ai服務(wù)器電源、大型白電智能功率模塊等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片,同時促進(jìn)國內(nèi)8英寸碳化硅襯底及相關(guān)工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。

據(jù)悉,項目全面達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計年產(chǎn)值超120億元,助力廈門打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群,并為中國在全球功率半導(dǎo)體競爭中搶占高地。


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關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體

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