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soc 2 type ii
soc 2 type ii 文章 進(jìn)入soc 2 type ii技術(shù)社區(qū)
用于多時(shí)鐘域 SoC 和 FPGA 的同步器技術(shù)

- 通常,傳統(tǒng)的雙觸發(fā)器同步器用于同步單比特電平信號(hào)。如圖1和圖2所示,觸發(fā)器A和B1工作在異步時(shí)鐘域。CLK_B 時(shí)鐘域中的觸發(fā)器 B1 對(duì)輸入 B1-d 進(jìn)行采樣時(shí),輸出 B1-q 有可能進(jìn)入亞穩(wěn)態(tài)。但在 CLK_B 時(shí)鐘的一個(gè)時(shí)鐘周期期間,輸出 B1-q 可能穩(wěn)定到某個(gè)穩(wěn)定值。常規(guī)二觸發(fā)器同步器通常,傳統(tǒng)的雙觸發(fā)器同步器用于同步單比特電平信號(hào)。如圖1和圖2所示,觸發(fā)器A和B1工作在異步時(shí)鐘域。CLK_B 時(shí)鐘域中的觸發(fā)器 B1 對(duì)輸入 B1-d 進(jìn)行采樣時(shí),輸出 B1-q 有可能進(jìn)入亞穩(wěn)態(tài)。但在 CLK
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基于ARM的多核SoC的啟動(dòng)方法

- 引導(dǎo)過(guò)程是任何 SoC 在復(fù)位解除后進(jìn)行各種設(shè)備配置(調(diào)整位、設(shè)備安全設(shè)置、引導(dǎo)向量位置)和內(nèi)存初始化(如 FLASH/SRAM/GRAM)的過(guò)程。在引導(dǎo)過(guò)程中,各種模塊/外設(shè)(如時(shí)鐘控制器或安全處理模塊和其他主/從)根據(jù) SoC 架構(gòu)和客戶(hù)應(yīng)用進(jìn)行初始化。在多核 SoC 中,首先主要核心(也稱(chēng)為引導(dǎo)核心)在引導(dǎo)過(guò)程中啟動(dòng),然后輔助核心由軟件啟用。引導(dǎo)過(guò)程從上電復(fù)位 (POR)開(kāi)始,硬件復(fù)位邏輯強(qiáng)制 ARM 內(nèi)核(Cortex M 系列)從片上引導(dǎo) ROM 開(kāi)始執(zhí)行。引導(dǎo) ROM 代碼使用給定的引導(dǎo)選擇選
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多電壓SoC電源設(shè)計(jì)技術(shù)

- 最小化功耗是促進(jìn)IC設(shè)計(jì)現(xiàn)代發(fā)展的主要因素,特別是在消費(fèi)電子領(lǐng)域。設(shè)備的加熱,打開(kāi)/關(guān)閉手持設(shè)備功能所需的時(shí)間,電池壽命等仍在改革中。因此,采用芯片設(shè)計(jì)的最佳實(shí)踐來(lái)幫助降低SoC(片上系統(tǒng))和其他IC(集成電路)的功耗變得非常重要。最小化功耗是促進(jìn)IC設(shè)計(jì)現(xiàn)代發(fā)展的主要因素,特別是在消費(fèi)電子領(lǐng)域。設(shè)備的加熱,打開(kāi)/關(guān)閉手持設(shè)備功能所需的時(shí)間,電池壽命等仍在改革中。因此,采用芯片設(shè)計(jì)的最佳實(shí)踐來(lái)幫助降低SoC(片上系統(tǒng))和其他IC(集成電路)的功耗變得非常重要。根據(jù)市場(chǎng)研究未來(lái),131 年全球片上系統(tǒng)市場(chǎng)價(jià)
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手機(jī) SoC 廠商,有人「躺平」,有人「卷」

- 2022 年手機(jī) SoC 公司的日子不好過(guò)。根據(jù) Counterpoint 數(shù)據(jù),作為全球最大的智能手機(jī)市場(chǎng),2022 年中國(guó)智能手機(jī)出貨量不足 2.8 億部,下降 16.%,創(chuàng)十年新低。自從 2013 年以來(lái)中國(guó)智能手機(jī)出貨量一直高于 3 億,來(lái)源 Counterpoint在經(jīng)歷智能手機(jī)爆炸式發(fā)展之后,中國(guó)智能手機(jī)的出貨量增長(zhǎng)率整體呈現(xiàn)的是下滑趨勢(shì)。這一趨勢(shì)的原因,一方面是消費(fèi)電子市場(chǎng)的低迷,另一方面則是新款手機(jī)的性能不再足夠亮眼,消費(fèi)者不愿意買(mǎi)單。手機(jī)處理器,作為最早采用 SoC 方法的一類(lèi)芯片,為何
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CV72AQ - 安霸推出下一代車(chē)規(guī) 5 納米制程 AI SoC
- 2023 年 4 月 17 日,中國(guó)上海 — Ambarella(下稱(chēng)“安霸”,納斯達(dá)克股票代碼:AMBA,專(zhuān)注于 AI 視覺(jué)感知芯片的半導(dǎo)體公司)于今日,宣布推出基于安霸新一代 CVflow?3.0 AI 架構(gòu)的 AI 視覺(jué)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC) CV72AQ,面向汽車(chē)應(yīng)用市場(chǎng)。通過(guò)最新 CVflowTM 架構(gòu),在同等功耗下,CV72AQ 的 AI 性能比上一代產(chǎn)品 CV22AQ 提高了 6 倍,還可高效運(yùn)行最新基于 Transformer神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的深度學(xué)習(xí)算法。高效的 AI 性能讓 CV72AQ 能夠同
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e絡(luò)盟社區(qū)開(kāi)展第三期“可編程之路”培訓(xùn)活動(dòng)

- 中國(guó)上海,2023年4月17日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò)盟通過(guò)其在線(xiàn)社區(qū)與AMD聯(lián)合開(kāi)展第三期“可編程之路”免費(fèi)培訓(xùn)項(xiàng)目。所有入圍學(xué)員都將獲贈(zèng)一套FPGA SoC開(kāi)發(fā)套件,可用于完成設(shè)計(jì)項(xiàng)目開(kāi)發(fā)任務(wù),并有機(jī)會(huì)贏取價(jià)值4000美元的獎(jiǎng)品。 “可編程之路”是由e絡(luò)盟社區(qū)推出的FPGA片上系統(tǒng)(SoC)系列培訓(xùn)項(xiàng)目。首期“可編程之路”活動(dòng)于2018年舉行,重點(diǎn)關(guān)注可編程邏輯器件(PLD),活動(dòng)圍繞基于AMD Zynq-7000 SoC的AVNET MiniZed開(kāi)發(fā)板應(yīng)用展
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貿(mào)澤開(kāi)售面向便攜式電子應(yīng)用的英飛凌USB Type-C高壓微控制器

- 2023年4月17日 – 專(zhuān)注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨英飛凌的EZ-PD? PMG1-B1 USB Type-C?微控制器。EZ-PD PMG1-B1微控制器為工程師提供一種集成式單芯片解決方案,適用于需要靈活安全的MCU和更少物料的高壓USB-C應(yīng)用,如電動(dòng)工具、小家電、電動(dòng)自行車(chē)等。貿(mào)澤電子供應(yīng)的EZ-PD PMG1-B1微控制器是高度集成的單端口USB-C供電 (PD) 解決方案。這些高電壓的可編程U
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ASICLAND為汽車(chē)、AI企業(yè)和AI邊緣SoC應(yīng)用選擇Arteris IP

- 加利福尼亞州坎貝爾 – 2023 年 4 月 12 日 – 致力于加速片上系統(tǒng)(SoC)創(chuàng)建的領(lǐng)先系統(tǒng) IP 提供商Arteris, Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:AIP),今天宣布 ASICLAND 已獲得具有汽車(chē)安全完整性等級(jí) ASIL B 和 AI 選項(xiàng)的Arteris FlexNoC授權(quán)。該技術(shù)將被用于汽車(chē)的主系統(tǒng)總線(xiàn)和各種應(yīng)用的AI SoC之中。ASICLAND是一家領(lǐng)先的ASIC半導(dǎo)體和SoC設(shè)計(jì)服務(wù)公司。該公司為5nm,7nm,12nm,16nm和28nm處理器開(kāi)發(fā)了許多具有復(fù)雜技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)
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基于PI InnoSwitch3-CP INN3279C的Type C電源供應(yīng)器方案

- Power Integrations, Inc屬高效能元件電子供應(yīng)商,近日推出 InnoSwitch3 系列離線(xiàn) CV/CC 返馳式切換開(kāi)關(guān) IC 的新成員。新型 IC 在整個(gè)滿(mǎn)載范圍內(nèi)的效率高達(dá) 94%,在密封式轉(zhuǎn)換器實(shí)作中效率高達(dá) 100 W,且無(wú)需散熱器。使用內(nèi)部開(kāi)發(fā)的高壓 GaN 切換開(kāi)關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了這種突破性的效能提升。準(zhǔn)諧振 InnoSwitch3-CP將一次側(cè)、二次側(cè)和回授電路整合在單一表面接合封裝中。在最新發(fā)布的系列成員中,"GaN" 切換開(kāi)關(guān)取代了 IC 一次側(cè)的傳統(tǒng)硅
- 關(guān)鍵字: PI InnoSwitch3-CP INN3279C PD Type C
消息稱(chēng)三星 Exynos 2500 芯片秘密開(kāi)發(fā)中,自研 GPU 將基于 AMD 技術(shù)

- IT之家 4 月 10 日消息,三星近日與 AMD 續(xù)簽了授權(quán)協(xié)議,未來(lái)將在智能手機(jī)上使用基于 AMD 技術(shù)的移動(dòng) GPU。消息稱(chēng),三星正在秘密開(kāi)發(fā)一款名為 Exynos 2500 的新一代移動(dòng)芯片,這款芯片將搭載三星自主研發(fā)的 GPU,但也會(huì)使用 AMD 的技術(shù)。這是繼 Exynos 2200 之后,三星和 AMD 的又一次合作,Exynos 2200 是首款采用 AMD RDNA2 架構(gòu)的 Xclipse 920 GPU 的芯片,但表現(xiàn)不盡如人意。據(jù)爆料者 Revegnus 透露,
- 關(guān)鍵字: 三星 AMD SoC
不擠牙膏!iPhone 15 Pro爆史上6大突破
- 蘋(píng)果iPhone 15將在下半年亮相,外媒曝光iPhone 15 Pro高清外觀渲染圖,全新設(shè)計(jì)包括鈦金屬機(jī)身、Type-C接口、超窄邊框、鏡頭更凸出、靜音鍵改按鍵式、酒紅色等,對(duì)于這次不再擠牙膏式,而是大幅度有感升級(jí),也讓果粉相當(dāng)期待。在內(nèi)外都大升級(jí)之下,有分析師表示「iPhone 15 Pro漲定了」,至于漲多少仍是未知??萍季W(wǎng)站9to5 Mac周五(7日)爆料下一代全新iPhone,聲稱(chēng)從多個(gè)管道取得訊息,為目前最接近實(shí)機(jī)的iPhone 15 Pro渲染圖,新機(jī)更多細(xì)節(jié)變化也逐一曝光。◆鈦金屬機(jī)身全
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三星 Exynos 1380 處理器性能測(cè)試:和驍龍 778G 同級(jí),圖形性能更好

- IT之家 3 月 24 日消息,三星于今年 2 月推出了 Exynos 1380 處理器,而日前發(fā)布的 Galaxy A54 5G 和 Galaxy M54 5G 兩款手機(jī)均搭載了這款處理器。那么 Exynos 1380 的性能如何呢?荷蘭科技媒體 Galaxy Club 進(jìn)行了匯總。IT之家根據(jù)文章報(bào)道繪制表格如下:GeekBench 6.0GeekBench 6.0Galaxy A52 5G(搭載驍龍 750G)Galaxy A52s 5G(搭載驍龍 778G)Galaxy A53 5G(搭
- 關(guān)鍵字: Exynos 1380 SoC
通過(guò)避免超速和欠速測(cè)試來(lái)限度地減少良率影響

- 在用于汽車(chē) SoC 的納米技術(shù)中,硅上的大多數(shù)缺陷都是由于時(shí)序問(wèn)題造成的。因此,汽車(chē)設(shè)計(jì)中的全速覆蓋要求非常嚴(yán)格。為了滿(mǎn)足這些要求,工程師們付出了很多努力來(lái)獲得更高的實(shí)速覆蓋率。主要挑戰(zhàn)是以盡可能低的成本以高產(chǎn)量獲得所需質(zhì)量的硅。在本文中,我們討論了與實(shí)時(shí)測(cè)試中的過(guò)度測(cè)試和測(cè)試不足相關(guān)的問(wèn)題,這些問(wèn)題可能會(huì)導(dǎo)致良率問(wèn)題。我們將提供一些有助于克服這些問(wèn)題的建議。在用于汽車(chē) SoC 的納米技術(shù)中,硅上的大多數(shù)缺陷都是由于時(shí)序問(wèn)題造成的。因此,汽車(chē)設(shè)計(jì)中的全速覆蓋要求非常嚴(yán)格。為了滿(mǎn)足這些要求,工程師們付出了很
- 關(guān)鍵字: SoC
基于RT3181支持Type-C PD輸入15W無(wú)線(xiàn)充電MPA11架構(gòu)方案

- 縱觀目前的智能型手機(jī)市場(chǎng),越來(lái)越多的手機(jī)支持縱觀目前的智能型手機(jī)市場(chǎng),越來(lái)越多的手機(jī)支持無(wú)線(xiàn)充電這一科技,無(wú)線(xiàn)充電的功率也從5W、7.5W、10W發(fā)展到15W、20W。更高的充電功率,能帶來(lái)更快的充電速度。Type-C的普及,以及USB PD快充的推廣,也讓無(wú)線(xiàn)充電的功能復(fù)雜化。詮鼎集團(tuán)基于立锜無(wú)線(xiàn)充電產(chǎn)品RT3181推出的15W無(wú)線(xiàn)快充方案,符合QI標(biāo)準(zhǔn),采用MPA11架構(gòu),可過(guò)WPC的EPP認(rèn)證,滿(mǎn)足安規(guī)EMC輻射要求,效率高充電塊,溫度低安全可靠。同時(shí)方案采用type-C接口輸入,支持市場(chǎng)上主流PD
- 關(guān)鍵字: RT3181 Type-C PDMPA11
soc 2 type ii介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條soc 2 type ii!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)soc 2 type ii的理解,并與今后在此搜索soc 2 type ii的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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