- 據日本經濟新聞報道，圍繞東芝半導體計劃出售的存儲器業(yè)務，美國投資基金科爾伯格·克拉維斯(Kohlberg Kravis Roberts)和日本官民合資基金產業(yè)革新機構將攜手參與招標手續(xù)。由于《反壟斷法》等的制約較少且擁有豐富的資金實力，圍繞東芝潛力業(yè)務的招投標預計以這兩家公司為核心推進?，F有投標企業(yè)也在摸索合作，日美基金聯盟的凝聚力正在提高。二次招標預計進行到5月中旬，各公司的意圖仍處在相互交錯的狀態(tài)。
“日美同盟”浮出水面
作為世界最大規(guī)模并購基金的
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東芝 SK海力士
- 封測廠當心!韓國存儲器大廠三星電子和SK海力士，研發(fā)業(yè)界首見的涂布式(Spray)的“電磁波屏蔽”(EMIshielding)技術，打算自行吃下此一封裝程序，省下外包費用。
韓媒Investor和etnews5日報導，去年蘋果iPhone7芯片開始采用電磁波屏蔽技術，當時韓廠選擇把此一封裝程序外包。如今消息人士透露，三星電子和SK海力士都研發(fā)出涂布式技術，比傳統(tǒng)方法更有投資效益、成本也有優(yōu)勢，兩廠正在試產，預計6月起與產線整合。
不具名的內情人士說，韓廠克服困難，研
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SK海力士 EMI屏蔽
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。
據韓媒亞洲經濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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SK海力士 DRAM
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。
據韓媒亞洲經濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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SK海力士 DRAM
- 很多人在朋友圈微信里轉發(fā)各種各樣的帖子，號召中國人不進“韓國超市”，不用“韓國產品”?？墒钱斘覀兝潇o下來思考，限制韓國產品，對我們的行業(yè)影響究竟有多大，我們真能“男兒當自強”嗎?我們應該清醒地看到，中國雖然是后起之秀，但技術水平與世界先進水平差距還很大。
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SK海力士 半導體
- SK海力士(SKHynix)入主東芝(Toshiba)半導體事業(yè)部的競爭即將進入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計劃，是否能為SK海力士帶來1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現不同評價。
據韓媒MoneyToday報導，東芝為了彌補核能事業(yè)虧損，日前已決定全數出售半導體事業(yè)部股份。業(yè)界推算，依照100%股份市價再加20～30%的經營權移轉貼水，總規(guī)模應在24兆～26兆韓元之間，可望打破韓國購并史上的最高紀錄。
市調機構IHS的資料顯示，2016年SK海力士在全球DRAM
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SK海力士 東芝
- 據報道，東芝計劃分拆半導體業(yè)務，已引起包括南韓SK海力士及鴻海集團、威騰多組人馬搶親，東芝的儲存型閃存事業(yè)這么搶手，是因為他是該公司最賺錢的部門，占總營收僅15%，卻貢獻一半以上的獲利，成為大家相中的目標。
但市場人士分析，不過因為東芝只開放入股近二成，不是直接買斷，預料將以威騰出線的機會較高。
由于東芝的儲存型閃存(NAND Flash)加計合作伙伴威騰合計35%，僅次三星的36%，三星若參與，恐因市占過半涉及市場壟斷，因而參與機率不高。
日本東芝考慮分拆和出售旗下部分芯片事業(yè)的計
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東芝 SK海力士
- 據報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。
韓媒BusinessKorea 24日報導，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現的控制器技術。東芝在NAND市場表現出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 據海外媒體報道，由三星電子及SK海力士領導的韓國半導體產業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關紀錄。
韓國半導體業(yè)可望在營業(yè)利益創(chuàng)下新紀錄，主要受惠于存儲器價格快速上揚，以及在晶圓代工領域也可能持續(xù)增長。因此，預估2017年幾乎是不費吹灰之力，便可輕易超越了2015年半導體營業(yè)利益的153億美元(約18兆韓元)，盡管當年半導體產業(yè)正處于繁榮成長階段。
據券商及半導體業(yè)預估，三星光是在2017年的半導體業(yè)務營業(yè)利益，就可達179億~188億美元(約21兆~22兆韓元)左右。
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三星 SK海力士
- 眾所周知，美光在韓國雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務發(fā)展都不如預期，于是從早幾年開始，這個美國存儲的僅存碩果之一就和Intel一起開發(fā)3D Xpoint技術。這種新型的存儲技術將會在未來給Intel和美光帶來新的成長激勵。 尤其是對美光來說，在現狀和未來的表現都不夠好的環(huán)境下，這似乎是美光的最后救命稻草。
回顧存儲的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產業(yè)的一個顛覆者：
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三星 SK海力士
- SK集團(SK Group)日前發(fā)布定期人事異動公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高層獲得升遷，社長樸星昱甚至晉升為副會長，顯示SK海力士在集團內的地位大幅上升。業(yè)界普遍認為，這次人事調整意味SK集團將以SK海力士為中心，加速發(fā)展汽車事業(yè)。據報導，SK集團似乎有意將SK海力士調整為直屬于集團的子公司，內部正準備將SK電信(SK Telecom;SKT)轉換為中間持股公司進行結構調整。加上SK集團會長崔泰源先前已宣示過公司應盡快求新求變，跟上工業(yè)4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力
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SK海力士 半導體
- SK海力士最先進72層3D NAND存儲器傳明年開始量產，韓聯社周一引述知情人事消息報導指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設計，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產。
若按計劃進行，SK海力士將成為全球第一個量產72層3D NAND的存儲器廠。為因應市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產能。
隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術各不相同。目前技術領先的三星已于
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SK海力士 存儲器
- 全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問題再擴大，明年再現飆漲
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DRAM SK海力士
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。
SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
- 傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產10奈米級DRAM的半導體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術研發(fā)，同時著手開發(fā)1y奈米，并組成1z奈米研發(fā)團隊，持續(xù)追求更高的技術競爭力。
據韓媒ET News報導，14日業(yè)界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產。其目前已完成客戶樣品生產，正進行最后的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠正式量
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SK海力士 DRAM
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