sk海力士 文章 進(jìn)入sk海力士技術(shù)社區(qū)
第二季DRAM總營收小幅增長6.3%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單 價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動位元供給增長，使得第二季全球DRAM總營收約91億 美元，季增長6.3%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動能表現(xiàn)一般，但中國地區(qū)的智能手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁，因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別，持續(xù)向行動式內(nèi)存
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Gartner：2015年半導(dǎo)體公司營收排行榜
- Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營收，受到需求放緩、匯率劇烈變動影響，總產(chǎn)值呈現(xiàn)下滑，然半導(dǎo)體老大哥英特爾，即便在接下來先進(jìn)制程競逐，可能落后臺積電與三星，2015 年仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體龍頭寶座，而兩大韓廠三星與 SK 海力士在該年度則分居二、三名。 Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營收，需求減緩加上匯率較劇烈的變動，使得半導(dǎo)體整體營收下滑，全年總產(chǎn)值 3,348 億美元，較去年同期衰退 2.3%，前 25 大廠商占整體半導(dǎo)體廠營收比重來到 73.5%，較 2014
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三星、SK海力士紛量產(chǎn)UFS芯片 手機(jī)存儲器醞釀新風(fēng)暴
- 繼三星電子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片，SK海力士(SK Hynix)亦投入量產(chǎn)64GB UFS 2.0芯片，盡管東芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS領(lǐng)域有具體成果，然隨著全球NAND Flash市場龍頭及第四大廠紛開始量產(chǎn)UFS芯片，可望加速智慧型手機(jī)存儲器規(guī)格升級，業(yè)界預(yù)估2016年下半便可看到搭載UFS芯片的高階手機(jī)陸續(xù)上市。 根據(jù)韓國電子新聞(ET
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存
- 隨著新一代顯卡到來，內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國IT網(wǎng)站Golem.de報道，SK Hynix計劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計在今年第三季度出貨，8GB芯片將在今年第四季度上市。 通過這一舉措，SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同，但具有更高的時鐘頻率和容量，時鐘頻率從1GHz起跳，到2GHz，數(shù)
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存
- 隨著新一代顯卡到來，內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國IT網(wǎng)站Golem.de報道，SK Hynix計劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計在今年第三季度出貨，8GB芯片將在今年第四季度上市。 通過這一舉措，SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同，但具有更高的時鐘頻率和容量，時鐘頻率從1GHz起跳，到2GHz，數(shù)
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SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲器新工廠
- 日經(jīng)新聞報導(dǎo),SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲器工廠。 新廠選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士已取得25萬平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠預(yù)計將在2018年正式動工、2019年投產(chǎn)。 新廠確切的產(chǎn)品目前還不清楚，不過海力士某官員暗示應(yīng)該為NAND存儲器，若新廠全部投入生產(chǎn)NAND存儲器，海力士現(xiàn)有NAND存儲器產(chǎn)能將擴(kuò)增超過兩倍。 此外，海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進(jìn)的3
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一片不景氣聲中 SK海力士仍決定大規(guī)模投資
- 2016年展望并不樂觀，PC市場成長已停滯好幾年，連智能型手機(jī)市場也出現(xiàn)成長趨緩的跡象，DRAM、NAND Flash的價格也因此持續(xù)下跌，這個時候逆勢上揚(yáng)也是下了多大的決心。
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紫光被SK海力士拒絕擬入股美光 華亞科叫好
- 大陸紫光集團(tuán)入股南韓SK海力士遭拒，消息人士透露，紫光集團(tuán)已專注與美光(Micron)洽商入股，預(yù)料很快可明朗化，讓同屬美光集團(tuán)的華亞科戰(zhàn)略地位大大提升。 消息人士透露，紫光集團(tuán)將以不堅持在大陸設(shè)DRAM廠為條件，爭取入股美光。紫光董事長趙偉國證實(shí)，紫光正和美一芯片廠洽商合作，雖然紫光不愿透露對象，但市場推估應(yīng)該就是美光。 據(jù)了解，美光若獲紫光入股，紫光未來將借重美光提供龐大的DRAM貨源，美光獲財力雄厚的紫光集團(tuán)提供金援，將可快速推進(jìn)DRAM制程腳步，讓美光從
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三星、SK海力士獨(dú)大 對韓國半導(dǎo)體是福還是禍
- 韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營收在三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)兩大廠之外，正逐漸減少。三星和SK海力士各居存儲器市場第一、二名，營收每年大幅成長，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)基礎(chǔ)強(qiáng)化的錯覺。然事實(shí)上除兩大廠外，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模正逐漸縮減。 Digital Times引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出，2015年上半韓國半導(dǎo)體營收中，三星以199.63億美元占66.9%，SK海力士以85.56億美元占28.7%。兩企業(yè)營收比重合計達(dá)95.6%，以最近期第2季資料來看，比重更
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三星SK海力士存儲器被中國美國追趕 韓政府預(yù)算零成長
- 韓國政府2016年未編列半導(dǎo)體預(yù)算，使韓國半導(dǎo)體業(yè)界不滿聲浪高漲。在韓國引以為傲的存儲器市場上，大陸和美國迅速追擊，韓國半導(dǎo)體業(yè)者危機(jī)感提升，而列為未來成長動能的IC設(shè)計，也未受到韓國政府重視。 據(jù)Digital Times報導(dǎo)，韓國政府對半導(dǎo)體、顯示器等核心產(chǎn)業(yè)，以及電子情報裝置新事業(yè)等，均未編列預(yù)算。自2016年起，將不會有由韓國政府主導(dǎo)的新半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)。 目前正在進(jìn)行的系統(tǒng)芯片扶植相關(guān)研發(fā)事業(yè)也陷入危機(jī)。韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部關(guān)系人員指出，產(chǎn)業(yè)委員會對于預(yù)算方面提出質(zhì)疑，并主張增資30
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三星SK海力士營收持平 Q3移動存儲器占DRAM營收40%
- 市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，受到市況供過于求影響，DRAM平均銷售單價持續(xù)下降，然而各家廠商策略性地將跌幅最大的標(biāo)準(zhǔn)型存儲器產(chǎn)能轉(zhuǎn)往毛利較高、價格較穩(wěn)定的服務(wù)器存儲器及移動存儲器領(lǐng)域，配合位元顆粒仍持續(xù)成長，整體DRAM營收規(guī)模尚未出現(xiàn)大幅的縮減。 DRAMeXchange最新報告顯示，第三季DRAM總產(chǎn)值小幅衰退1.2%，移動存儲器占總營收比重從第二季的33.7%，大幅提升至第三季的40%。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第
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全球第二！SK海力士追上三星、量產(chǎn)20納米DRAM
- SK海力士終于趕上三星電子，成為全球第二家成功量產(chǎn)20奈米DRAM的廠商。該公司也力拼3D NAND Flash研發(fā)，期盼能在明年量產(chǎn)48層3D NAND。 BusinessKorea 15日報導(dǎo)，SK海力士人員受訪表示，該公司引入20奈米DRAM制程，過程雖有困難，但已經(jīng)穩(wěn)定，開始寄送樣品給客戶、進(jìn)入量產(chǎn)。據(jù)此而言，SK海力士是世界第二家量產(chǎn)20奈米DRAM的業(yè)者。三星首開先例，去年3月就量產(chǎn)20奈米DRAM。 SK海力士也宣布3D NAND研發(fā)計畫，社長樸星昱(Park Sung-wo
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