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SK海力士宣布全球首次向客戶提供“12層HBM4”樣品

  • 2025年3月19日,SK海力士宣布,推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4,并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。SK海力士強(qiáng)調(diào):“以引領(lǐng)HBM市場的技術(shù)競爭力和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),能夠比原計(jì)劃提早實(shí)現(xiàn)12層HBM4的樣品出貨,并已開始與客戶的驗(yàn)證流程。公司將在下半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備,由此鞏固在面向AI的新一代存儲器市場領(lǐng)導(dǎo)地位?!贝舜翁峁┑?2層HBM4樣品,兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率。其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。此產(chǎn)品首次實(shí)現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB(太字節(jié))以上數(shù)據(jù)的帶
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SK海力士完成90億美元收購 英特爾閃存業(yè)務(wù)塵埃落定

  • 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局加速重構(gòu)的背景下,韓國存儲巨頭SK海力士即將為英特爾NAND業(yè)務(wù)畫上句號。根據(jù)最新進(jìn)展,SK海力士將在未來幾周內(nèi)支付最后一筆22.4億美元款項(xiàng),標(biāo)志著歷時五年的90億美元收購案正式收官。這一交易不僅宣告了英特爾徹底退出閃存市場,更讓SK海力士在與三星的競爭中握有新籌碼。此次收購涵蓋英特爾大連工廠的NAND制造業(yè)務(wù)及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán),其固態(tài)硬盤部門則獨(dú)立為Solidigm子公司。值得關(guān)注的是,隨著最后階段資金到位,SK海力士將獲得大連工廠的完整技術(shù)控制權(quán)。集邦咨詢分析指出,此次整合有望推動S
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SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門轉(zhuǎn)向AI存儲器領(lǐng)域

  • 3月7日消息,近日,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報(bào)道,SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS(CMOS圖像傳感器)部門,該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲器領(lǐng)域。SK海力士稱其CIS團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。存儲和邏輯半導(dǎo)體高度融合的趨勢下,將CIS團(tuán)隊(duì)和存儲部門聚合為一個整體,才能進(jìn)一步提升企業(yè)的AI存儲器競爭力。
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SK海力士完成與英特爾的最終交割

  • SK海力士將于2025年3月(協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時間點(diǎn))支付收購尾款,完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成,將加強(qiáng)SK海力士在全球NAND閃存市場的地位,尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用,存儲需求正在不斷增長,HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士卻沒有停止擴(kuò)張的步伐,這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?!?2020年10月,SK海力士與英特爾達(dá)成協(xié)議,宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務(wù);· 2021年12月,第一階段的交易完成,SK海力士支付70億
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SK海力士正在開發(fā)低功耗LPDDR5M:能效提高8%

  • 2月28日消息,SK海力士正致力于開發(fā)新一代低功耗內(nèi)存LPDDR5M,其數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T相同,均為9.6Gbps,但在能效方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V,能效提高了8%。這一技術(shù)突破預(yù)計(jì)將廣泛應(yīng)用于具備設(shè)備端AI功能的智能手機(jī)中,使其在本地運(yùn)行密集型操作時消耗更少的電量,從而滿足設(shè)備制造商對高效能、低功耗的需求。業(yè)內(nèi)人士推測,SK海力士最快將于年內(nèi)推出LPDDR5M產(chǎn)品。與此同時,SK海力士在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的研發(fā)也取得了重要進(jìn)展
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三星、SK海力士計(jì)劃停用中國EDA軟件!

  • 2月17日消息,據(jù)韓國媒體報(bào)道,韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)軟件,以應(yīng)對美國可能出臺的新政策。這些政策可能會限制韓國半導(dǎo)體公司使用中國軟件,業(yè)界人士透露,SK海力士正在評估其使用的中國EDA軟件是否符合未來政策要求。EDA軟件被稱為“芯片之母”,是芯片設(shè)計(jì)和制造過程中不可或缺的工具,用于模擬各種電路設(shè)計(jì)并預(yù)測結(jié)果。目前,EDA市場主要由美國公司主導(dǎo),包括新思科技(Synopsys)、益華電腦(Cadence)和Siemens EDA,這些公司的市場占有率
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三星穩(wěn)坐全球前十大半導(dǎo)體品牌廠商第一!Intel跌至第五

  • 2月16日消息,據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint的最新報(bào)告,全球半導(dǎo)體市場(包括存儲產(chǎn)業(yè))在2024年預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇,全年?duì)I收同比增長19%,達(dá)到6210億美元。這一增長主要得益于人工智能技術(shù)需求的大幅增加,尤其是內(nèi)存市場和GPU需求的持續(xù)推動。從廠商來看,三星電子以11.8%的市場份額位居全球第一,隨后分別是SK海力士(7.7%)、高通(5.6%)、博通(5%)、英特爾(4.9%)、美光(4.8%)、英偉達(dá)(4.3%)、AMD(4.1%)、聯(lián)發(fā)科(2.6%)和西部數(shù)據(jù)(2.5%)。需要注意的是,此
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NAND閃存再減產(chǎn):三星、SK海力士將至少削減10%

  • 據(jù)報(bào)道,NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計(jì)劃。當(dāng)前,存儲器市場,尤其是NAND閃存領(lǐng)域,似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來,NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑,這一趨勢使得供應(yīng)商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價(jià)格疲軟無疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤空間,為此,三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實(shí)施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施,將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時,N
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三星、SK海力士將在2025Q1減產(chǎn):NAND閃存產(chǎn)量至少削減10%

  • 2月13日消息,據(jù)報(bào)道,NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計(jì)劃。其中三星在去年末已經(jīng)決定削減西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量,減少10%以上,另外還調(diào)低了韓國華城12號和17號生產(chǎn)線的產(chǎn)量,以進(jìn)一步降低整體產(chǎn)量。當(dāng)前,存儲器市場,尤其是NAND閃存領(lǐng)域,似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來,NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑,這一趨勢使得供應(yīng)商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價(jià)格疲軟無疑將進(jìn)一步
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NAND價(jià)格能否“觸底反彈”?

  • 全球NAND閃存價(jià)格已連續(xù)四個月下跌,為應(yīng)對這一不利局面,廠商開始減產(chǎn)以平衡供求,進(jìn)而穩(wěn)定價(jià)格。美光率先宣布將減產(chǎn),隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠的開工率,韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計(jì)劃削減產(chǎn)量。
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SK海力士發(fā)布2024財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告

  • 2024財(cái)年全年?duì)I收為66.1930萬億韓元,營業(yè)利潤為23.4673萬億韓元,凈利潤為19.7969萬億韓元·2024年第四季度營收為19.7670萬億韓元,營業(yè)利潤為8.0828萬億韓元,凈利潤為8.0065萬億韓元·隨著HBM、eSSD等面向AI的存儲器銷售增長,營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)下了季度和年度歷史新高·“以差別化的AI應(yīng)用產(chǎn)品競爭力、盈利為主的經(jīng)營活動,證實(shí)了穩(wěn)定盈利的可能性”2025年1月23日,SK海力士發(fā)布截至2024年12月31日的2024財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司2024財(cái)年?duì)I業(yè)收入為
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SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

  • 據(jù)韓媒報(bào)道,近日,SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認(rèn)證,連續(xù)多個以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求,預(yù)計(jì)SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產(chǎn)。據(jù)了解,SK海力士在2024年8月末宣布成功實(shí)現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內(nèi)存開發(fā)。SK海力士曾表示,1c工藝技術(shù)將應(yīng)用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群,進(jìn)一步鞏固其在內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。
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應(yīng)對降價(jià):三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存!

  • 1月13日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn),以此應(yīng)對全球NAND供應(yīng)過剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌,確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,截至2024年10月底,用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息,三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%,每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬片減少至約17萬片。此外,三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng),導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過類似的減產(chǎn)措施,當(dāng)時
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SK海力士宣布參展CES 2025,將展示122TB企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品

  • 1 月 3 日消息,SK 海力士今日宣布將參加于當(dāng)?shù)貢r間 1 月 7 日至 10 日在美國拉斯維加斯舉行的“國際消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會(CES 2025)”,屆時展示面向 AI 的存儲器技術(shù)實(shí)力。據(jù)了解,SK 海力士將在 CES2025 展出 HBM、企業(yè)級固態(tài)硬盤等面向 AI 的代表性存儲器產(chǎn)品,也將展示專為端側(cè) AI 優(yōu)化的解決方案和下一代面向 AI 的存儲器產(chǎn)品。目前,該公司已率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并向客戶供應(yīng) 12 層第五代 HBM(HBM3E),在此展會將展出公司去年 11 月宣布開發(fā)完成的 16 層第五代
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拆解華為Mate 70 存儲芯片來自SK海力士

  • 華為Mate 70系列旗艦手機(jī)12月4日正式開賣,研究公司TechInsights拆解后發(fā)現(xiàn),該款手機(jī)采用南韓SK海力士制造內(nèi)存芯片,主因在于美國禁止對中國大陸出口先進(jìn)芯片制造設(shè)備,而大陸制造的內(nèi)存芯片選擇受限?!赌先A早報(bào)》報(bào)導(dǎo),根據(jù)TechInsights的分析,華為Mate 70 Pro手機(jī)搭載SK海力士12GB低功耗行動DRAM及512GB NAND,高階款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析師崔貞東(Jeongdong
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sk海力士介紹

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