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第4講:SiC的物理特性

  • 與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯,比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料,具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比,4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度,可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比,物理特性相似,但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異,4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外,由
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第5講:SiC的晶體缺陷

  • SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷,其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(SF)、以及刃位錯(TED)、螺旋位錯(TSD)、基面位錯(BPD)和這些復(fù)合體的混合位錯。就密度而言,最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中,微管是1?10個/cm2,位錯的密度約為103~10?長達個/cm2。至今,與Si相
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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析,一文get√

  • 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路(HVIC)是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路,驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計?!陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
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6.6 kW車載電動汽車充電器設(shè)計

  • 我們采用單全橋LLC拓撲結(jié)構(gòu),以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390(U60)是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設(shè)備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設(shè)備,可以參考FAN7688的說明。有關(guān)該零件的更多詳細信息,請參閱數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說明。由于輸出電壓高(250?450 Vdc),同步整流器對整流器的幫助不大傳導(dǎo)損失。因此,我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動器。
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

  • 9 月 3 日消息,“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文,報道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時 4 年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu),目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
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國家隊加持,芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

  • 據(jù)南京發(fā)布近日消息,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時4年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開資料顯示,碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,元胞一致性較好、雪崩能量比較高;缺點是當(dāng)電流被
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

  • 8月29日上午,備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上,賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷,江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會;武漢市社會體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息;江夏區(qū)文化和旅游局(體育局)局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介,向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
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PCIM2024論文摘要|離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

  • 梗概隨著全球低碳化的進程,可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來越高,此種背景下,儲能系統(tǒng)的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動性,PCS作為儲能系統(tǒng)的核心裝置應(yīng)用廣泛。在工商業(yè)應(yīng)用里,存在單相負載與三相不平衡負載,為了滿足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制,三相四線變流器拓撲是非常必要的,常見的拓撲形式有以下幾種:a)三橋臂分裂電容式拓撲b) 平衡橋臂拓撲圖一分裂電容式拓撲,由于N線電流流過母線電容,電容容量需求增大,且直流電壓利用率較低,諧波畸變較大,抑制三相不平衡能力相對有限,平衡橋臂式拓撲通過硬件電路增強中
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新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期

  • 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱,擬將此前募投項目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進度均受到一定程度的影響,無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉,此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目,項目總投資約2.23億元,2022年開建,原計劃2024年建設(shè)完成。項目建成后,將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱,本次募投項目延期僅涉及項目進度的
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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計靈活性

  • Nexperia近日宣布,公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合,并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化,可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇,RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
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ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的車載Nch MOSFET,非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應(yīng)用!

  • ~符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101,有助于車載應(yīng)用的高效運行和小型化~全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻*1優(yōu)勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應(yīng)用。目前,3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開始銷售,未來會繼續(xù)擴大產(chǎn)品陣容。在汽車領(lǐng)域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也
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很基礎(chǔ)的MOS管知識

  • 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的,所以也叫場效應(yīng)三極管(FET),簡稱場效應(yīng)管。場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。在如果你在某寶里搜索“場效應(yīng)管”你會發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFE
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實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

  • 隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革,近幾年全球?qū)矣脙δ芟到y(tǒng)的需求量一直保持相當(dāng)程度的增長。2023年,全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達到了87.4億美元,預(yù)計2029年將達到498.6億美元,年復(fù)合增長率(CAGR)為33.68%(2023-2029);便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后,現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期,從未來看,預(yù)計在2027年便攜儲能市場將達到900億元;AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長,帶來了數(shù)字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求,現(xiàn)在單機3KW的Power也成為了標配。對于
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)(展位號:11號館D14)。屆時,將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體,展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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還分不清結(jié)型場效應(yīng)管與絕緣柵?看這一文就夠了,圖表展現(xiàn)

  • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo),而在 MOSFET 中,導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關(guān)鍵區(qū)別是,JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小,因為后者嵌入了絕緣體,因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具,具有低漏極電阻,而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”,
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