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吉利汽車與ST簽署SiC長期供應協(xié)議,深化新能源汽車轉型;成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室,推動雙方創(chuàng)新合作
- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(簡稱ST)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協(xié)議,在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定,意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件,幫助吉利提高電動車性能,加快充電速度,延長續(xù)航里程,深化新能源汽車轉型。此外,吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上,建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室,交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng))、
- 關鍵字: SiC ADAS 新能源汽車
構建新型能源體系,充電樁市場將迎來高增長
- 能源是人類生存和發(fā)展的重要物質基礎,能源轉型則是當今國際社會關注的焦點問題,隨著全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂,新能源市場的需求正在快速增長?! ‘斍叭蚱嚠a(chǎn)業(yè)電動化正在深度推進,在新能源革命浪潮下,新能源汽車產(chǎn)業(yè)成為各國重點發(fā)力方向。隨著新能源汽車技術的日趨成熟,充電基礎設施快速發(fā)展。近年來,我國已建成世界上數(shù)量最多、服務范圍最廣、品種類型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個私樁的測算,中國2023年增量市場的純電動車的車樁比已經(jīng)1:1,領先世界其它國家數(shù)倍
- 關鍵字: 充電樁 新能源汽車 SIC
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品,它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布,Nexperia正在滿足市場對采用D2
- 關鍵字: Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置,以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
- 關鍵字: SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器
多款車型相繼發(fā)布,SiC技術加速“上車”
- SiC技術似乎已成為蔚來旗下新車型標配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9,搭載了蔚來自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊,以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包,單顆電芯能量密度高達292Wh/kg,充電效率達到5C,呈現(xiàn)出來的效果就是充電5分鐘,續(xù)航255公里。近日,蔚來旗下又一款搭載SiC技術的車型正式發(fā)布,這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據(jù)悉,樂道全域采用900V高壓架構,包括電驅系統(tǒng)、熱泵空調、輔助加熱器(PTC)、車載充電機(OBC)、直流電壓變換器(DC-DC)均為900
- 關鍵字: Sic 新能源汽車 蔚來
英飛凌為小米新款SU7智能電動汽車供應一系列產(chǎn)品
- Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示,將為小米最近發(fā)布的SU7電動汽車供應碳化硅(SiC)功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如,基于該技術的牽引逆變器可以進一步增加電動汽車的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外,英飛凌還為小米電動汽車供應了一系
- 關鍵字: 英飛凌 小米 SU7 智能電動汽車 SiC
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定(UVLO)如何保護半導體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時,我們經(jīng)常使用簡化,如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作,而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時,接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
- 關鍵字: 欠電壓閉鎖,UVLO MOSFET,IC
中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線達產(chǎn)
- 近日,河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司(以下簡稱“中宜創(chuàng)芯”)SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線成功達產(chǎn),產(chǎn)品純度最高達到99.99999%,已在國內二十多家企業(yè)和研究機構開展試用和驗證。資料顯示,中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日,由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設立,總投資20億元,分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線。項目一期總投資6億元,年產(chǎn)能500噸,占地12000平方米,2023年6月20日開工建設,9月20日項目建成并試生產(chǎn),9月30日首批產(chǎn)品出爐。預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元,據(jù)悉
- 關鍵字: 中宜創(chuàng)芯 SiC
2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達91.7億美元
- TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示,盡管純電動汽車(BEV)銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應鏈,但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向,SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢,未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢,預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌,近期均報告了令人失望的銷售數(shù)據(jù),其中Tesla在1
- 關鍵字: SiC 功率器件 TrendForce
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