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第16講：SiC SBD的特性

  • SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  SBD  

ROHM開發(fā)出適用于AI服務器等高性能服務器電源的MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數(shù)據(jù)處理技術的進步和數(shù)字化轉型的加速，
  • 關鍵字： ROHM  AI服務器  服務器電源  MOSFET  

東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  柵極驅動  光電耦合器  

速看！SiC JFET并聯(lián)設計白皮書完整版

  • 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://m.ptau.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://m.ptau.cn/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯(lián)設計的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測試結果。演
  • 關鍵字： SiC  JFET  并聯(lián)設計  

碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來

  • 在這里，我們比較了碳化硅 （SiC） 與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅 （Si） 等傳統(tǒng)半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅 （SiC） 的出現(xiàn)徹底改變了這一領域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  電力電子  

800V與碳化硅成為新能源汽車電驅的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

  • 1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據(jù)賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2024年我國汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模，產(chǎn)銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車產(chǎn)銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
  • 關鍵字： 電驅  碳化硅  SiC  新能源汽車  800V  

格力：SiC工廠整套環(huán)境設備均為自主制造

  • 自央視頻官方獲悉，格力電器董事長董明珠在紀錄片中，再次回應外界對格力造芯片質(zhì)疑，并談到了格力建設的芯片工廠，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險，是作為中國制造企業(yè)的責任與擔當。格力做了亞洲第一座全自動化的碳化硅工廠，整個芯片的制造過程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過程中，格力解決了一個最大的問題。“傳統(tǒng)的芯片工廠用的環(huán)境設備都是進口的，比如恒溫狀態(tài)，而這正好是格力強項。所以我們自主制造了整套系統(tǒng)的環(huán)境設備，要比傳統(tǒng)的降溫模式更節(jié)能，而這可以降低企業(yè)的成本?！倍髦橐?/li>
  • 關鍵字： 格力電器  SiC  芯片工廠  

從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

  • 電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統(tǒng)硅技術，基于雙極結型晶體管（B
  • 關鍵字： SiC  Cascode  JFET  AC-DC  

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

開關性能大幅提升！M3S 與M2 SiC MOSFET直觀對比

  • 安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側重于探討專為低電池電壓領域的高速開關應用而設計的先進 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產(chǎn)品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎知識、M3S 技術和產(chǎn)品組合（三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術發(fā)展解析
  • 關鍵字： 電源轉換  電動汽車  MOSFET  

英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

  • ●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  SiC  200mm碳化硅  

三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術發(fā)展解析

  • SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實現(xiàn)高功率密度設計，有效應對關鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運行頻率更高，有助于實現(xiàn)高功率密度設計、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開關和導通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導率更優(yōu)，有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
  • 關鍵字： SiC  電源轉換  

英飛凌達成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

  • 英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200mm SiC技術的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運營官我們正在按計劃實施SiC產(chǎn)品
  • 關鍵字： 英飛凌  200mm  SiC  

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
  • 關鍵字： CoolSiC  MOSFET  

低壓電源MOSFET設計

  • 低壓功率MOSFET設計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用，即使電源電壓很低。關鍵功能包括以下內(nèi)容：　　低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關重要。由于其先進的結構和材料，低壓MOSFE
  • 關鍵字： 低壓電源  MOSFET  
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