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超過(guò)20kV:半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓
- 日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組,試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件,但超過(guò)20kV的尚為首次,“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。 該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如,日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV,因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱目前是使用3~4個(gè)數(shù)kV的GTO來(lái)確保耐壓的。如果使用耐壓超過(guò)20kV的SiC制PiN二極管,一個(gè)即可滿足要求。由此,轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: SIC 二極管 半導(dǎo)體
采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集
- 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人,可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積
- 關(guān)鍵字: IMEC SiC 生物電信號(hào)采集
用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路介紹
- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
- 關(guān)鍵字: VCA FET 幅度調(diào)制 乘法運(yùn)算
用SiC撬動(dòng)新能源、汽車電子新興市場(chǎng)
- 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域,很多半導(dǎo)體廠商都看好SiC技術(shù)的未來(lái),并積極投身其中,在08年收購(gòu)生產(chǎn)SiC晶圓的德國(guó)SiCrystal公司之后,羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系,并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn),羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
- 關(guān)鍵字: 羅姆 太陽(yáng)能 SiC
隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)
- 隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級(jí)聯(lián)功率級(jí)一般都含有大量功率 ...
- 關(guān)鍵字: 隔離式 FET 脈沖驅(qū)動(dòng)器
sic fet介紹
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