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sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區(qū)
汽車(chē)啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案

- 為了限制油耗,一些汽車(chē)制造商在其新一代車(chē)型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車(chē)停下來(lái)時(shí),這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車(chē)踏板移向油門(mén)踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車(chē)及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 二極管 PCB 穩(wěn)壓器 P-FET
如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: 反向轉(zhuǎn)換器 FET 關(guān)斷電壓 緩沖 漏極電感
通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)
- 通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產(chǎn)品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。 目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如,羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
- 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī) SiC
SiC二極管 通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻
- 通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產(chǎn)品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。 目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如,羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
- 關(guān)鍵字: SiC 二極管
山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
- 在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上,最近開(kāi)始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開(kāi)始對(duì)外銷(xiāo)售的直徑2~4英寸(50mm~100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
- 關(guān)鍵字: SiC 晶圓
SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”?
- SiC企業(yè)不斷增多,成本不斷下降”一文中,作者根津在開(kāi)篇寫(xiě)道:“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?!边@是因?yàn)?,隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布,在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上,這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。 那么,在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場(chǎng),情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開(kāi)始增加的階段,仍屬于“下一代”,但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中,此類(lèi)產(chǎn)品已逐漸由
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級(jí)
- 經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級(jí)本電路是參照《無(wú)線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級(jí)純A類(lèi)分立件前級(jí)放大 ...
- 關(guān)鍵字: FET 甲類(lèi)前級(jí)
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增
- 在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。 據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng),至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè),未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字: GaN 半導(dǎo)體 SiC
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增
- 在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。 據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng),至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè),未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字: GaN 半導(dǎo)體 SiC
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