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汽車(chē)啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案

  • 為了限制油耗,一些汽車(chē)制造商在其新一代車(chē)型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車(chē)停下來(lái)時(shí),這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車(chē)踏板移向油門(mén)踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車(chē)及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: 反向轉(zhuǎn)換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

在光伏逆變器中運(yùn)用SiC BJT實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

  • 最近,碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命,生產(chǎn)出一款可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)易的...
  • 關(guān)鍵字: 光伏逆變器  SiC  BJT  

通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)

  •   通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產(chǎn)品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。   比如,羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
  • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  SiC  

SiC二極管 通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻

  •   通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產(chǎn)品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。   比如,羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
  • 關(guān)鍵字: SiC  二極管  

新日本無(wú)線新推出粗銅線絲焊類(lèi)型的音頻SiC-SBD

  • 新日本無(wú)線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode),粗銅線有利于降低損耗提高效率,SiC-SBD專(zhuān)長(zhǎng)于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作,再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
  • 關(guān)鍵字: 新日本無(wú)線  SiC-SBD  MUSES  

美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統(tǒng)性能

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列,推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列,新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽(yáng)能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字: 美高森美  SiC  

功率半導(dǎo)體的革命:SiC與GaN的共舞(二)

  • GaN和SiC將區(qū)分使用  2015年,市場(chǎng)上或許就可以穩(wěn)定采購(gòu)到功率元件用6英寸SiC基板。并且,屆時(shí)GaN類(lèi)功率元件 ...
  • 關(guān)鍵字: 功率  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

  •   在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上,最近開(kāi)始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。   山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開(kāi)始對(duì)外銷(xiāo)售的直徑2~4英寸(50mm~100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
  • 關(guān)鍵字: SiC  晶圓  

PV逆變器應(yīng)用升溫,推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展

  • 碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽(yáng)能(PV)逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳...
  • 關(guān)鍵字: PV  逆變器  SiC  功率元件  

SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”?

  •   SiC企業(yè)不斷增多,成本不斷下降”一文中,作者根津在開(kāi)篇寫(xiě)道:“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?!边@是因?yàn)?,隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布,在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上,這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。   那么,在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場(chǎng),情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開(kāi)始增加的階段,仍屬于“下一代”,但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中,此類(lèi)產(chǎn)品已逐漸由
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級(jí)

  • 經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級(jí)本電路是參照《無(wú)線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級(jí)純A類(lèi)分立件前級(jí)放大 ...
  • 關(guān)鍵字: FET  甲類(lèi)前級(jí)  

GT推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

  • GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克:GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長(zhǎng)技術(shù),能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊,可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段,SiClone100主要針對(duì)本身已經(jīng)擁有熱場(chǎng)、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開(kāi)始量產(chǎn)的客戶(hù)。
  • 關(guān)鍵字: GT  SiC  晶體  

未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

  •   在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。   據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng),至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè),未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
  • 關(guān)鍵字: GaN  半導(dǎo)體  SiC  

未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

  •   在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。   據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng),至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè),未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
  • 關(guān)鍵字: GaN  半導(dǎo)體  SiC  
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