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汽車(chē)啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案

為了限制油耗，一些汽車(chē)制造商在其新一代車(chē)型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車(chē)停下來(lái)時(shí)，這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車(chē)踏板移向油門(mén)踏板時(shí)，就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車(chē)及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
關(guān)鍵字： MOSFET 二極管 PCB 穩(wěn)壓器 P-FET

如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：反向轉(zhuǎn)換器 FET 關(guān)斷電壓緩沖漏極電感

在光伏逆變器中運(yùn)用SiC BJT實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)易的...
關(guān)鍵字：光伏逆變器 SiC BJT

通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)

　　通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。　　比如，羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC

SiC二極管通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻

　　通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。　　比如，羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
關(guān)鍵字： SiC 二極管

新日本無(wú)線新推出粗銅線絲焊類(lèi)型的音頻SiC-SBD

新日本無(wú)線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專(zhuān)長(zhǎng)于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
關(guān)鍵字：新日本無(wú)線 SiC-SBD MUSES

美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統(tǒng)性能

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽(yáng)能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
關(guān)鍵字：美高森美 SiC

功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場(chǎng)上或許就可以穩(wěn)定采購(gòu)到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時(shí)GaN類(lèi)功率元件 ...
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 SiC GaN

山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

　　在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開(kāi)始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。　　山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開(kāi)始對(duì)外銷(xiāo)售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
關(guān)鍵字： SiC 晶圓

PV逆變器應(yīng)用升溫，推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展

碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽(yáng)能（PV）逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
關(guān)鍵字： PV 逆變器 SiC 功率元件

SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開(kāi)篇寫(xiě)道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因?yàn)?，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場(chǎng)，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開(kāi)始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類(lèi)產(chǎn)品已逐漸由
關(guān)鍵字： SiC GaN

經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級(jí)

經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級(jí)本電路是參照《無(wú)線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級(jí)純A類(lèi)分立件前級(jí)放大 ...
關(guān)鍵字： FET 甲類(lèi)前級(jí)

GT推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長(zhǎng)技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。在其初步階段，SiClone100主要針對(duì)本身已經(jīng)擁有熱場(chǎng)、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開(kāi)始量產(chǎn)的客戶(hù)。
關(guān)鍵字： GT SiC 晶體

未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

　　在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC

未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

　　在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC