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SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計

  • SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計, 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體
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Microsemi公司推出工業(yè)級碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品

  • 　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該功率模塊系列還擴(kuò)展了溫度范圍，以滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。 　　SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場強(qiáng)度和更好的熱傳導(dǎo)性
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eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

  • 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
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正確的同步降壓FET時序設(shè)計

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階...
  • 關(guān)鍵字： 同步降壓  FET  時序設(shè)計  

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立 難分高下

  • 　　進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 　　SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場;進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
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電源設(shè)計小貼士46：正確地同步降壓FET時序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低...
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飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案

  • 為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進(jìn)行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計性能，設(shè)計的復(fù)雜程度就會提高，同時還會導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。
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電源設(shè)計：正確地同步降壓 FET 時序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低...
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羅姆在“功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革

  • 為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。
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德州儀器推出最靈活PFET高側(cè)負(fù)載開關(guān)

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： TI  TPS27081A  FET  

將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

  • 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
  • 關(guān)鍵字： FET  光電  電位器  光耦    

基于優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

  • 　在計算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計人員開始認(rèn)識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： 改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  基于  

開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件

  • 進(jìn)入21世紀(jì)，開關(guān)電源技術(shù)將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
  • 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源  轉(zhuǎn)換器  碳化硅（SiC）  

設(shè)計主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關(guān)

  • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合，包括電池供電存儲器電...
  • 關(guān)鍵字： 主電源  備用電源  FET-OR  

英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗。
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