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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴苛應(yīng)用條件下
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路
- Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業(yè)務(wù)、設(shè)計服務(wù)團隊之后，這次延攬建廠、廠務(wù)人才并將目標鎖定半導(dǎo)體設(shè)備商，Global Foundries預(yù)計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設(shè)備龍頭應(yīng)用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運干部，兩人都熟稔晶圓廠設(shè)備系統(tǒng)與IBM技術(shù)平臺。 Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 晶圓 半導(dǎo)體設(shè)備 SOI
Global Foundries志在英特爾 臺廠不是主要對手
- Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來將持續(xù)延攬來自各界半導(dǎo)體好手加入壯大軍容，同時他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實對準英特爾(Intel)。 競爭對手臺積電45/40
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 40納米 晶圓代工 SOI
英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊
- 新聞事件： 韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 事件影響： 將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場 LS預(yù)計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 合
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術(shù) SOI
新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)
- 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
- 關(guān)鍵字： SOI 器件
新型節(jié)能照明電源的控制技術(shù)(07-100)
- 用于建筑照明方面的電力管理解決辦法，如電感熒光燈，電子熒光燈，緊湊型熒光燈(CFL)，鹵素?zé)艨刂萍呻娐芬约案邏簹怏w放電燈(H1D)技術(shù)等, 用于范圍寬廣的居民區(qū)、商業(yè)和汽車中，減少了它們所需要的電力,在節(jié)能方面向前邁進了巨大的一步。其控制集成電路中的自適應(yīng)控制技術(shù)和高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)是其中的一部分,獲得了廣泛應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： The control technology of new illuminate power
ST展示綠色電源理念，太陽能LED街燈吸引眼球
- ST（意法半導(dǎo)體）于2月26至27日亮相深圳IIC-China 2009，集中演示基于“Green Power”理念的系列節(jié)能產(chǎn)品及解決方案。三十余款產(chǎn)品的現(xiàn)場演示展示意法半導(dǎo)業(yè)界最領(lǐng)先的電源管理解決方案，體現(xiàn)意法半導(dǎo)體致力于幫助客戶減少環(huán)境影響的承諾。 照片1 ST展位 其中，太陽能發(fā)光二極管（Solar LED）街燈格外引人注目，該產(chǎn)品是是意法半導(dǎo)體大中國區(qū)多元市場技術(shù)應(yīng)用中心研發(fā)的獨特解決方案，據(jù)該中心的高級應(yīng)用工程師史建忠介紹說，該方案由兩個模塊構(gòu)成：一個85W太陽能
- 關(guān)鍵字： ST IIC Green Power 電源管理
Boston-Power與金山電池結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴
- 快速擴展的新一代鋰離子電池供應(yīng)商 Boston-Power 公司宣布與金山電池國際有限公司 (GP Batteries) 結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。通過這項合作關(guān)系，可充電鋰離子電池Sonata的批量生產(chǎn)將可以大幅擴展。該協(xié)議的詳情并沒有對外公布。 金山電池國際有限公司是大中國區(qū)領(lǐng)先的消費產(chǎn)品電池制造商，是金山工業(yè)集團 (Gold Peak Industries) 的成員，后者于1964年成立，為香港上市公司 (SEHK:40)，在世界各地都設(shè)有辦事處。 根據(jù)這項五年協(xié)議，金山電池將臺
- 關(guān)鍵字： Boston-Power 金山電池 可充電鋰離子電池
Mouser提供備有的FCI的高速電纜和電源電纜組件
- 近日，Mouser電子公司宣布它首次備有FCI的高速電纜和電源電纜組件，F(xiàn)CI是一家在廣泛的消費電子和工業(yè)應(yīng)用方面領(lǐng)先的設(shè)計商、制造商和創(chuàng)新、高品質(zhì)電氣和電子互連系統(tǒng)的供應(yīng)商。FCI的互連器件包括為音頻/視頻連接器、cardedge連接器、背板連接器、D- Sub連接器、端子、I/O連接器、IC連接器、元器件連接器、矩形連接器、電源連接器、SMT連接器、FFC/FPC、電信連接器、以太網(wǎng)連接器、終端連接器、USB和火線連
- 關(guān)鍵字： Mouser FCI USB+Power PwrBlade PwrTwin Blade Power D-sub
用IC激發(fā)汽車電子的創(chuàng)新
- 訪NXP 高級副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires 當(dāng)人們在逐步習(xí)慣使用車用遙控門鎖（Remote Keyless Entry）打開車門的時候，也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動金屬鑰匙。將來，被稱作“駛向未來的鑰匙”的智能鑰匙又會怎樣簡化汽車的駕乘？ 智能鑰匙其實是采用了NFC(近距離無線通信)、GPS無線技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡?？梢酝ㄟ^顯示屏直觀地顯示汽車停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息，并且可以打造成一個非接觸式支付的多功能錢包。智能鑰匙通過無線網(wǎng)絡(luò)將駕
- 關(guān)鍵字： RKE NXP NFC 磁阻傳感器 車載網(wǎng)絡(luò) SOI
美法院判決Power Integrations應(yīng)獲的損害賠償金降低82%
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布，審理該公司與Power Integrations之間專利侵權(quán)訴訟案的法院已把陪審團裁定對 Power Integrations的損害賠償金從約3400萬美元降到約600萬美元。 法院同時裁定重審飛兆半導(dǎo)體公司是否蓄意侵犯Power Integrations公司所宣稱之專利。裁決結(jié)果于周五在美國特拉華州地方法院宣布。 雖然飛兆半導(dǎo)體之小部份產(chǎn)品受到永久禁令裁決，但該公司表示因為早在2007年就已主動停止這些產(chǎn)品在美國的
- 關(guān)鍵字： 飛兆半導(dǎo)體 Power Integrations 專利
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