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power-soi 文章 進(jìn)入power-soi技術(shù)社區(qū)
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm
- 在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過(guò)了20nm節(jié)點(diǎn),直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì)議上展示的投影片與評(píng)論指出,14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng),而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)
- 關(guān)鍵字: ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日,意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí),而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗,意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場(chǎng)的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺(tái)和設(shè)
- 關(guān)鍵字: ST 晶圓 FD-SOI
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
- 關(guān)鍵字: 門(mén)極驅(qū)動(dòng)光耦 隔離驅(qū)動(dòng)IGBT Power MOSFET
Power Integrations推出LYTSwitch LED驅(qū)動(dòng)器IC

- 高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)日前推出其最新的LED驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品系列,該系列器件針對(duì)消費(fèi)類(lèi)、商用及工業(yè)照明應(yīng)用而設(shè)計(jì)。新推出的LYTSwitch? IC產(chǎn)品系列能夠在燈管替換應(yīng)用和高棚燈照明中實(shí)現(xiàn)精確穩(wěn)壓和高效率,同時(shí)在可控硅調(diào)光燈泡應(yīng)用中提供出色的性能。
- 關(guān)鍵字: Power LED 驅(qū)動(dòng)器
Power Architecture?技術(shù)聯(lián)盟與國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)共建創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)

- Power.org技術(shù)聯(lián)盟近期在上海張江高科舉辦了2012年P(guān)ower Architecture亞洲年度會(huì)議,這是Power.org的會(huì)員公司及Power Architecture技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)首次在上海舉辦的技術(shù)大會(huì)。本屆會(huì)議關(guān)注Power Architecture 技術(shù)未來(lái)的發(fā)展方向和應(yīng)用前景,并特別針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)提出“倡導(dǎo)合作和本土創(chuàng)新”。
- 關(guān)鍵字: Power IBM 服務(wù)器
華潤(rùn)上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù),由華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí),達(dá)到更高的性價(jià)比,這在國(guó)內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤(rùn)上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù),具備了根據(jù)市場(chǎng)需求持續(xù)開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
- 關(guān)鍵字: 華潤(rùn)微電子 半導(dǎo)體 SOI
華潤(rùn)上華200V SOI工藝開(kāi)發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺(tái)階
- 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù),由華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí),達(dá)到更高的性價(jià)比,這在國(guó)內(nèi)尚屬首家。
- 關(guān)鍵字: 華潤(rùn)上華 SOI CDMOS
電源管理趨勢(shì)專訪
- 1. 您眼中的2012年電源管理市場(chǎng)是怎樣的? 下半年的市場(chǎng)會(huì)有大幅增長(zhǎng)嗎?
2011 年對(duì)凌力爾特 (Linear Technology) 來(lái)說(shuō)是非常成功的一年。2012 年,我們滿懷期待能在中國(guó)和全球不斷獲得機(jī)會(huì)。目前,公司已推出針 - 關(guān)鍵字: Trends Q&A Management Power Product China Electronic Linear
意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布,引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)的半導(dǎo)體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消費(fèi)者對(duì)智能手機(jī)和平板電腦的期望越來(lái)越高,要求既能處理精美的圖片,支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能,同時(shí)又不能犧牲電池壽命。在設(shè)
- 關(guān)鍵字: 意法 芯片 FD-SOI
power-soi介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)power-soi的理解,并與今后在此搜索power-soi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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