power-soi 文章 進入power-soi技術(shù)社區(qū)
Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化

- 關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制,因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率,同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應(yīng),并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù),可設(shè)計出無需光耦的高效率、高精度和
- 關(guān)鍵字: Power Integrations MOSFET
Power Integrations推出業(yè)界首款兼容高通公司Quick Charge 3.0技術(shù)的充電器接口IC

- 致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充電器接口IC產(chǎn)品系列的最新器件CHY103D,這是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所開發(fā)的Quick Charge (QC) 3.0協(xié)議的離線式AC-DC充電器IC。 與Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC開關(guān)IC一起使用,CHY103D器件可提供支持QC 3
- 關(guān)鍵字: Power Integrations CHY103D
IBM突破7納米制程瓶頸 或左右Power處理器發(fā)展
- IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測試芯片,延續(xù)了摩爾定律,突破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對于IBM而言,7納米制程技術(shù)的后續(xù)發(fā)展將會影響旗下Power系列處理器的規(guī)劃藍圖。 據(jù)The Platform網(wǎng)站報導(dǎo),7納米制程芯片背后結(jié)合了許多尚未經(jīng)過量產(chǎn)測試的新技術(shù),IBM與GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics)等合作伙伴,對何時能實際以7納米制程制作處理器與其他芯片并未提出時程表。 IBM這次利用矽鍺(silicon germanium)制造一部分的電
- 關(guān)鍵字: IBM Power
Leti從FD-SOI學(xué)到的一課:打造生態(tài)系統(tǒng)

- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的,至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出,“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說,我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 不過,位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
- 關(guān)鍵字: FD-SOI 物聯(lián)網(wǎng)
格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺
- 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝,以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng),為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個最佳解決方案。 雖然某些設(shè)備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求,但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
- 關(guān)鍵字: 格羅方德 FD-SOI
GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺,全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅),專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管, 目前并不為業(yè)內(nèi)看好,因為無論Intel還是三星、臺積電,22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管,也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實力欠佳,自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù),22nm上只能繼續(xù)改進平面型,20nm上努力了一陣放棄了,14nm索性直接借用三星的。
- 關(guān)鍵字: GlobalFoundries FD-SOI
Power Integrations新推出的HiperPFSTM-3功率因數(shù)校正IC可提高電源的輕載性能

- 致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出HiperPFSTM-3系列功率因數(shù)校正IC,新器件可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供高功率因數(shù)及高效率。該系列IC非常適合通用輸入下連續(xù)輸出功率要求達405 W以及高壓輸入下峰值功率要求達900 W的應(yīng)用,而且在10%負(fù)載點到滿載的范圍內(nèi)其效率均超過95%,空載功耗則低于60 mW。功率因數(shù)在20%負(fù)載點可輕松達到0.92以上。 高度集成的HiperPFS-3器件包含變頻CCM控制器、高壓功率MOSFET
- 關(guān)鍵字: Power Integrations HiperPFSTM-3
FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點?
- 身為記者,我有時候會需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關(guān)宣傳稿,然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator,F(xiàn)D-SOI)就是一個例子。 我從美國旅行到中國接著又到歐洲,在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過程中,發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個不容易了解的名詞,逐漸變得越來越“有形”。關(guān)于這個技術(shù),我在最近這幾個星期所收集到的隨機
- 關(guān)鍵字: 晶圓 FD-SOI
Power Integrations推出寬范圍CAPZero-2 IC,X電容安全放電可達6 μF
- 致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出其CAPZero系列創(chuàng)新的雙端子X電容放電IC的下一代器件 - CAPZero™-2 IC。CAPZero-2 IC涵蓋寬范圍的應(yīng)用和輸出功率,可提高設(shè)計的靈活性。由于涵蓋0.1 µF至6 µF的寬范圍X電容,并且額定1 kV的擊穿電壓可經(jīng)受6 kV的瞬態(tài)電壓,因此CAPZero-2 IC可耐受劇烈的輸入浪涌和電壓驟升。 CAPZero-2 IC是一種智能的高壓開關(guān)
- 關(guān)鍵字: Power Integrations CAPZero
國產(chǎn)POWER服務(wù)器來了,成就了誰?
- 近日,華勝天成的成員公司北京新云東方系統(tǒng)科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“新云東方”)宣布:基于安全可靠的IBM POWER微處理器以及AIX操作系統(tǒng)技術(shù)的新云東方全系列國產(chǎn)服務(wù)器上市。 簡單的新聞,信息量卻不小。 國產(chǎn)POWER服務(wù)器:背靠大樹好乘涼 從2013年8月OpenPOWER基金會成立,到2014年11月北京市經(jīng)信委、IBM、華勝天成就建立完整的可信高端計算系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈簽署三方合作諒解備忘錄,再到4月20日“新云東方”Power S
- 關(guān)鍵字: POWER 服務(wù)器
順勢而為:IBM向中國企業(yè)授權(quán)基礎(chǔ)技術(shù)
- 美國《紐約時報》網(wǎng)絡(luò)版撰文稱,由于中美兩國政府在網(wǎng)絡(luò)安全方面存在一些分歧,因此IBM選擇向中國部分企業(yè)授權(quán)了基礎(chǔ)技術(shù),希望以此適應(yīng)當(dāng)下的趨勢,更好地融入中國市場。 作為中國網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域的頂尖專家,沈昌祥對中國過度依賴美國科技的現(xiàn)狀發(fā)出了風(fēng)險警告。 但在去年12月,這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國科技行業(yè)的代表企業(yè)IBM展開了合作。根據(jù)北京市經(jīng)濟和信息化委員會的官方消息,沈昌祥的任務(wù)是幫助一家不知名的中國公司消化和整合IBM的技術(shù)。 過去16個月,IBM已經(jīng)同意向這家名叫華勝天成的
- 關(guān)鍵字: IBM Open Power
順勢而為:IBM向中國企業(yè)授權(quán)基礎(chǔ)技術(shù)
- 導(dǎo)語:美國《紐約時報》網(wǎng)絡(luò)版今天撰文稱,由于中美兩國政府在網(wǎng)絡(luò)安全方面存在一些分歧,因此IBM選擇向中國部分企業(yè)授權(quán)了基礎(chǔ)技術(shù),希望以此適應(yīng)當(dāng)下的趨勢,更好地融入中國市場。 以下為文章主要內(nèi)容: 作為中國網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域的頂尖專家,沈昌祥對中國過度依賴美國科技的現(xiàn)狀發(fā)出了風(fēng)險警告。 但在去年12月,這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國科技行業(yè)的代表企業(yè)IBM展開了合作。根據(jù)北京市經(jīng)濟和信息化委員會的官方消息,沈昌祥的任務(wù)是幫助一家不知名的中國公司消化和整合IBM的技術(shù)。 過去16個
- 關(guān)鍵字: IBM Open Power
power-soi介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條power-soi!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對power-soi的理解,并與今后在此搜索power-soi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對power-soi的理解,并與今后在此搜索power-soi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
