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Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化

  •   關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制,因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率,同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應(yīng),并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù),可設(shè)計出無需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations推出業(yè)界首款兼容高通公司Quick Charge 3.0技術(shù)的充電器接口IC

  •   致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充電器接口IC產(chǎn)品系列的最新器件CHY103D,這是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所開發(fā)的Quick Charge (QC) 3.0協(xié)議的離線式AC-DC充電器IC。   與Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC開關(guān)IC一起使用,CHY103D器件可提供支持QC 3
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IBM突破7納米制程瓶頸 或左右Power處理器發(fā)展

  •   IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測試芯片,延續(xù)了摩爾定律,突破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對于IBM而言,7納米制程技術(shù)的后續(xù)發(fā)展將會影響旗下Power系列處理器的規(guī)劃藍圖。   據(jù)The Platform網(wǎng)站報導(dǎo),7納米制程芯片背后結(jié)合了許多尚未經(jīng)過量產(chǎn)測試的新技術(shù),IBM與GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics)等合作伙伴,對何時能實際以7納米制程制作處理器與其他芯片并未提出時程表。   IBM這次利用矽鍺(silicon germanium)制造一部分的電
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課:打造生態(tài)系統(tǒng)

  •   今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的,至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出,“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說,我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。”        Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶   不過,位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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中國石墨烯技術(shù)重大突破——石墨烯層數(shù)可調(diào)控

  • 可控石墨烯薄膜制備方面取得新進展:設(shè)計了Ni/Cu體系,利用離子注入技術(shù)引入碳源,通過精確控制注入碳的劑量,成功實現(xiàn)了對石墨烯層數(shù)的調(diào)控,有助于實現(xiàn)石墨烯作為電子材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域真正的應(yīng)用。  
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哪些半導(dǎo)體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者?

  •   美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺,成為全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅),專為超低功耗芯片打造。        FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管,目前并不為業(yè)內(nèi)看好,因為無論Intel還是三星、臺積電,22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管,也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實力欠佳,自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù),22nm上只能繼續(xù)改進平面型,20nm上努力了一
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格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺

  •   格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝,以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng),為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個最佳解決方案。   雖然某些設(shè)備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求,但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

  •   GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺,全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅),專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管, 目前并不為業(yè)內(nèi)看好,因為無論Intel還是三星、臺積電,22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管,也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實力欠佳,自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù),22nm上只能繼續(xù)改進平面型,20nm上努力了一陣放棄了,14nm索性直接借用三星的。   
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只能FinFET或FD-SOI?二合一也行!

  •   在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠,必須要同時提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶,有越來越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。   例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露,該公司正在14至16奈米節(jié)點采用
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Power Integrations新推出的HiperPFSTM-3功率因數(shù)校正IC可提高電源的輕載性能

  •   致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出HiperPFSTM-3系列功率因數(shù)校正IC,新器件可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供高功率因數(shù)及高效率。該系列IC非常適合通用輸入下連續(xù)輸出功率要求達405 W以及高壓輸入下峰值功率要求達900 W的應(yīng)用,而且在10%負(fù)載點到滿載的范圍內(nèi)其效率均超過95%,空載功耗則低于60 mW。功率因數(shù)在20%負(fù)載點可輕松達到0.92以上。   高度集成的HiperPFS-3器件包含變頻CCM控制器、高壓功率MOSFET
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FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點?

  •   身為記者,我有時候會需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關(guān)宣傳稿,然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator,F(xiàn)D-SOI)就是一個例子。   我從美國旅行到中國接著又到歐洲,在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過程中,發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個不容易了解的名詞,逐漸變得越來越“有形”。關(guān)于這個技術(shù),我在最近這幾個星期所收集到的隨機
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Power Integrations推出寬范圍CAPZero-2 IC,X電容安全放電可達6 μF

  •   致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出其CAPZero系列創(chuàng)新的雙端子X電容放電IC的下一代器件 - CAPZero™-2 IC。CAPZero-2 IC涵蓋寬范圍的應(yīng)用和輸出功率,可提高設(shè)計的靈活性。由于涵蓋0.1 µF至6 µF的寬范圍X電容,并且額定1 kV的擊穿電壓可經(jīng)受6 kV的瞬態(tài)電壓,因此CAPZero-2 IC可耐受劇烈的輸入浪涌和電壓驟升。   CAPZero-2 IC是一種智能的高壓開關(guān)
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國產(chǎn)POWER服務(wù)器來了,成就了誰?

  •   近日,華勝天成的成員公司北京新云東方系統(tǒng)科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“新云東方”)宣布:基于安全可靠的IBM POWER微處理器以及AIX操作系統(tǒng)技術(shù)的新云東方全系列國產(chǎn)服務(wù)器上市。   簡單的新聞,信息量卻不小。   國產(chǎn)POWER服務(wù)器:背靠大樹好乘涼   從2013年8月OpenPOWER基金會成立,到2014年11月北京市經(jīng)信委、IBM、華勝天成就建立完整的可信高端計算系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈簽署三方合作諒解備忘錄,再到4月20日“新云東方”Power S
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順勢而為:IBM向中國企業(yè)授權(quán)基礎(chǔ)技術(shù)

  •   美國《紐約時報》網(wǎng)絡(luò)版撰文稱,由于中美兩國政府在網(wǎng)絡(luò)安全方面存在一些分歧,因此IBM選擇向中國部分企業(yè)授權(quán)了基礎(chǔ)技術(shù),希望以此適應(yīng)當(dāng)下的趨勢,更好地融入中國市場。   作為中國網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域的頂尖專家,沈昌祥對中國過度依賴美國科技的現(xiàn)狀發(fā)出了風(fēng)險警告。   但在去年12月,這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國科技行業(yè)的代表企業(yè)IBM展開了合作。根據(jù)北京市經(jīng)濟和信息化委員會的官方消息,沈昌祥的任務(wù)是幫助一家不知名的中國公司消化和整合IBM的技術(shù)。   過去16個月,IBM已經(jīng)同意向這家名叫華勝天成的
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順勢而為:IBM向中國企業(yè)授權(quán)基礎(chǔ)技術(shù)

  •   導(dǎo)語:美國《紐約時報》網(wǎng)絡(luò)版今天撰文稱,由于中美兩國政府在網(wǎng)絡(luò)安全方面存在一些分歧,因此IBM選擇向中國部分企業(yè)授權(quán)了基礎(chǔ)技術(shù),希望以此適應(yīng)當(dāng)下的趨勢,更好地融入中國市場。   以下為文章主要內(nèi)容:   作為中國網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域的頂尖專家,沈昌祥對中國過度依賴美國科技的現(xiàn)狀發(fā)出了風(fēng)險警告。   但在去年12月,這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國科技行業(yè)的代表企業(yè)IBM展開了合作。根據(jù)北京市經(jīng)濟和信息化委員會的官方消息,沈昌祥的任務(wù)是幫助一家不知名的中國公司消化和整合IBM的技術(shù)。   過去16個
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