power-soi 文章進(jìn)入power-soi技術(shù)社區(qū)

格羅方德半導(dǎo)體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖

　　格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。　　隨著數(shù)以百萬計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲(chǔ)器以及電源管理等在內(nèi)的越來越多的組件，
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格羅方德半導(dǎo)體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計(jì)劃以加快未來互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新

　　格羅方德半導(dǎo)體今日宣布一項(xiàng)全新合作伙伴計(jì)劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個(gè)FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計(jì)劃，為希望實(shí)現(xiàn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。　　通過格羅方德半導(dǎo)體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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Power 9將為IBM拉攏更多合作伙伴？

　　IBM于年度Hot Chips技術(shù)大會(huì)上介紹Power 9處理器的更多細(xì)節(jié)，它可望成為一款突破性的晶片，催生系統(tǒng)廠商與加速器供應(yīng)商建立新的夥伴關(guān)系，　　IBM首度于上周在美國矽谷舉行的年度Hot Chips技術(shù)大會(huì)上介紹Power 9處理器的更多細(xì)節(jié)，它可望成為一款突破性的晶片，催生系統(tǒng)廠商與加速器供應(yīng)商建立新的夥伴關(guān)系，并重新點(diǎn)燃IBM陣營與對(duì)手Intel在高階伺服器市場(chǎng)的戰(zhàn)火。　　采用14奈米制程的Power 9是在今年3月首度被提及，在正熱門的加速器應(yīng)用領(lǐng)域采取了大膽、在某種程度上又有些
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工信部副部長會(huì)見IBM副總裁加強(qiáng)Power技術(shù)領(lǐng)域合作

　　記者從8月26日工信部獲悉，8月25日，工業(yè)和信息化部副部長懷進(jìn)鵬會(huì)見美國IBM公司全球高級(jí)副總裁羅思民，就進(jìn)一步加強(qiáng)Power技術(shù)領(lǐng)域合作交換意見。　　懷進(jìn)鵬對(duì)IBM公司與中國業(yè)界在Power芯片、服務(wù)器系統(tǒng)和軟件服務(wù)領(lǐng)域合作取得的積極進(jìn)展表示贊賞，希望IBM公司繼續(xù)秉持開放合作的態(tài)度，深化與中國業(yè)界在技術(shù)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系建設(shè)方面的合作，服務(wù)經(jīng)濟(jì)社會(huì)信息化發(fā)展，實(shí)現(xiàn)雙方互利共贏。　　工業(yè)和信息化部電子信息司司長刁石京、信息化和軟件服務(wù)業(yè)司司長謝少鋒、國際合作司副司長程建軍等參加會(huì)見。
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Power Integrations任命Thomas Simonis為大功率產(chǎn)品業(yè)務(wù)副總裁

　　高壓IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今天宣布任命Thomas Simonis為公司大功率產(chǎn)品業(yè)務(wù)副總裁，負(fù)責(zé)產(chǎn)品管理、研發(fā)和營銷。Simonis先生在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及半導(dǎo)體領(lǐng)域從業(yè)超過25年，加入Power Integrations之前，他先后在ATB、CPM和Infineon等數(shù)家知名公司擔(dān)任技術(shù)及業(yè)務(wù)管理職務(wù)，是一名業(yè)內(nèi)資深人士。Simonis先生是從退休的Wolfgang Ademmer手中接任該職的，Wolfgang Ademmer于20
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問世

　　Samsung Foundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)??。　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時(shí)表示，該
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Power Integrations推出可控硅調(diào)光LYTSwitch-7 LED驅(qū)動(dòng)器IC，可將BOM元件數(shù)減少40%

　　高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出適合于單級(jí)非隔離降壓式可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應(yīng)用。在LYTSwitch-7的設(shè)計(jì)中只需采用一個(gè)簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調(diào)光器的要求。另外，設(shè)計(jì)中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標(biāo)準(zhǔn)電感。LYTSwitch-7的
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中晟宏芯拿到Power 8架構(gòu)和指令集永久授權(quán)

　　中國政府日漸寬松的安全政策，令I(lǐng)BM可以通過將專利授權(quán)給中國廠商的方式，間接進(jìn)入對(duì)外資IT企業(yè)來說門檻頗高的政府部門和工業(yè)核心領(lǐng)域的服務(wù)器市場(chǎng) 　　6月22日，蘇州中晟宏芯信息科技有限公司(下稱“中晟宏芯”)對(duì)外公布，該公司已拿到IBM服務(wù)器處理器芯片Power 8芯片架構(gòu)和指令系統(tǒng)的永久授權(quán)，并可以基于該芯片進(jìn)行自主創(chuàng)新。所謂“指令系統(tǒng)”，是指用來計(jì)算和控制計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的一套指令的集合。　　中晟宏芯成立于2013年，其員工主要來自中科院計(jì)算所和IB
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！

　　產(chǎn)業(yè)資深顧問Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢(shì)… 　　半導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示，在制程微縮同時(shí)，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮減時(shí)，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會(huì)降低，帶來較高的閘成本。　　
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Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開發(fā)

　　Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。　　Globalfoundries聲稱其針對(duì)不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺(tái)四種制程，能提
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RF-SOI技術(shù)：加強(qiáng)5G網(wǎng)絡(luò)和智能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

　　今天的智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關(guān)、可調(diào)諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動(dòng)設(shè)備調(diào)整和獲取蜂窩信號(hào)——在更廣泛的區(qū)域?yàn)闊o線設(shè)備提供持續(xù)強(qiáng)勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接?！　∫苿?dòng)市場(chǎng)對(duì)RF SOI的追捧持續(xù)升溫，因?yàn)樗愿咝詢r(jià)比實(shí)現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個(gè)雙贏的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機(jī)和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時(shí)有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！　?/li>
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
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FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎？

　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢(shì)待發(fā)。也許還得經(jīng)過幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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Power Integrations推出InnoSwitch-CE開關(guān)電源IC，可提高效率和待機(jī)功耗性能

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch?-CE IC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC的子系列。InnoSwitch-CE IC適用于TEC法規(guī)相關(guān)的消費(fèi)電子應(yīng)用(TEC法規(guī)是由政府認(rèn)定的重要總能耗法規(guī))。　　InnoSwitch IC采用了名為FluxLink?的磁感耦合技術(shù)，該技術(shù)由Power Integrations發(fā)明，可在省去不可靠的光耦器
關(guān)鍵字： Power Integrations InnoSwitch