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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶?

  •   近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注,為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。   眾所周知,當(dāng)柵極長度逼近20nm大關(guān)時(shí),對(duì)電流控制能力急劇下降,漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時(shí)代續(xù)命的高招。   盡管FinFET與FD-SOI師出同門,但是,兩者卻被“陣營化”,F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。   今天我們就來談?wù)凢i
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SOI與finFET工藝對(duì)比 中國需要發(fā)展誰才正確

  • 中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后,如何踏實(shí)去干,去解決一個(gè)一個(gè)難題。任何進(jìn)步?jīng)]有捷徑,其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
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Power Integrations推出全新LinkSwitch-XT2離線反激式開關(guān)電源IC產(chǎn)品系列,可提供高精度及高效率

  •   致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者今日推出LinkSwitch?-XT2系列離線式小功率變換器IC,新器件可提供高精度、高效率以及出色的空載性能。LinkSwitch-XT2?IC適用于要求對(duì)輸出電壓和輸出電流提供精確調(diào)整的隔離及非隔離反激式應(yīng)用。新IC在寬輸入范圍設(shè)計(jì)中可提供6.1?W的輸出功率,在230?VAC敞開式應(yīng)用中可提供9.2?W的輸出功率。  LinkSwitch-XT2產(chǎn)品系列適用于反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),所實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)具有優(yōu)于+/-3%的輸出
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Power-One通信電源監(jiān)控系統(tǒng)通信協(xié)議破解[圖]

  • 通信電源通常被稱為通信系統(tǒng)的心臟,其工作不正常,將造成通信系統(tǒng)故障,甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)癱瘓。因此,為保證整個(gè)通信系統(tǒng)的暢通,節(jié)約人力成本和能源損耗,通信電源監(jiān)控系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。通信電源監(jiān)控系統(tǒng)對(duì)分布的通信電源設(shè)備和空...
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英飛凌Power PROFET?產(chǎn)品家族取代高電流繼電器和熔絲,助力實(shí)現(xiàn)新一代汽車配電架構(gòu)

  •   英飛凌科技股份公司助力打造經(jīng)濟(jì)型智能化分布式汽車整車配電網(wǎng)絡(luò)架構(gòu),近日推出全新超低電阻智能高邊開關(guān)產(chǎn)品家族 Power PROFET™。它們具備市場上同類產(chǎn)品最低的導(dǎo)通電阻和最高的能源效率,能夠取代電流高達(dá)40A DC配電盒和接線盒中的電磁繼電器和熔絲。   當(dāng)今整車網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)嚴(yán)重受限于繼電器和熔絲固有的缺陷,它們過于笨重,經(jīng)常需要更換,而且功能相當(dāng)有限。舉例來說,它們的開關(guān)壽命只有20萬次。Power PROFET開關(guān)可解決這些問題,帶來多重利益。它們的開關(guān)壽命達(dá)到100萬次,此外,它們
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P-DVD Power 評(píng)估板線路圖

BlueTooth Power 評(píng)估板線路圖

世強(qiáng)簽約美國著名電源轉(zhuǎn)換芯片產(chǎn)品供應(yīng)商Power Integrations

  •   11月9日,電源轉(zhuǎn)換芯片世界領(lǐng)導(dǎo)品牌PI(Power Integrations)與中國本土電子元件分銷企業(yè)世強(qiáng)(Sekorm)的授權(quán)代理簽約儀式,在深圳市世強(qiáng)先進(jìn)有限公司內(nèi)隆重舉行,簽約后世強(qiáng)將負(fù)責(zé)PI全線產(chǎn)品在中國區(qū)的分銷業(yè)務(wù)。世強(qiáng)董事長肖慶,PI總裁兼首席執(zhí)行官M(fèi)r. Balu Balakrishnan均出席會(huì)議并講話。     據(jù)悉,1986年成立的Power Integrations是電源轉(zhuǎn)換IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,西門子、華為、格力、微軟、ABB等企業(yè)均是其長期客戶。   
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Power Integrations推出全新LinkSwitch-TN2開關(guān)電源IC,可為非隔離離線式電源應(yīng)用提供極高的電壓調(diào)整精度

  •   致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出LinkSwitch?-TN2離線式開關(guān)電源IC,新器件適用于輸出電流在360 mA以內(nèi)的非隔離式電源應(yīng)用。LinkSwitch?-TN2器件可用來設(shè)計(jì)降壓、降壓-升壓或非隔離反激拓?fù)渥儞Q器,能實(shí)現(xiàn)高精度、高效率以及出色的空載性能。新器件集成了全新的安全保護(hù)特性,包括輸入和輸出過壓保護(hù)以及具有725 V擊穿電壓的高可靠性MOSFET,可提供強(qiáng)大的輸出短路和過熱保護(hù),防止輸入浪涌和電壓驟
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IBM投入10億美元推動(dòng)Linux和Power平臺(tái)的開源科技創(chuàng)

  • 日前,IBM在2013年LinuxCon大會(huì)上宣布將投資10億美元開發(fā)基于IBM Power Systems平臺(tái)的新一代Linux開源技術(shù),旨在幫助客戶構(gòu)建和部署更先進(jìn)的IT系統(tǒng),以應(yīng)對(duì)后
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新型智能手表顯示FD-SOI正當(dāng)時(shí)?

  •   在今年,業(yè)界對(duì)FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較,轉(zhuǎn)移到由產(chǎn)品與應(yīng)用所決定的技術(shù)競爭。   因?yàn)闆]有可見的終端產(chǎn)品能證明其號(hào)稱超低功耗的特色,全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator,F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑,例如:該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場上有實(shí)際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢何在?   終于,現(xiàn)在有實(shí)際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實(shí)證──是一只中國智慧型手機(jī)品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
  • 關(guān)鍵字: 智能手表  FD-SOI  

Power Integrations推出全新SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器,可支持多種IGBT模塊

  •   中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integration今日推出1SP0350V SCALE?-2單通道+15/-10 V即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器。1SP0350門極驅(qū)動(dòng)器非常適合要求高可靠性應(yīng)用的HVDC和軌道交通工業(yè)領(lǐng)域,并且可安全可靠地驅(qū)動(dòng)4500V Press-Pack IGBT和IEGT以及其他IGBT和IEGT產(chǎn)品。新驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations使用最廣的SCALE?-2芯片組,并且裝備了動(dòng)態(tài)高級(jí)有源鉗位(
  • 關(guān)鍵字: Power Integrations  IGBT  

RF-SOI在中國已建立起完整的生態(tài)系統(tǒng)

  •   日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會(huì)”上,SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱,RF-SOI生態(tài)系統(tǒng)現(xiàn)已建立完善,并成為天線調(diào)諧器與射頻開關(guān)的主流技術(shù),占據(jù)了95%的市場份額,該系統(tǒng)有利于IoT連接和5G的發(fā)展,為了更深層地與射頻前端器件結(jié)合,RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng)新和突破性的方案。        目前,RF-SOI技術(shù)主要應(yīng)用于智能手機(jī)、WiFi等無線通訊領(lǐng)域,具有性能高、成本低等優(yōu)勢。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱,國際上3G/4G手機(jī)用的射頻器件
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格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖

  •   格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上,12FDXTM提供全節(jié)點(diǎn)縮放和超低功耗,并通過軟件控制實(shí)現(xiàn)按需定制性能,專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。   隨著數(shù)以百萬計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn),世界正在逐步融合為一體,眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng),集成包括無線連接、非易失性存
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采用Zynq SoC實(shí)現(xiàn)Power-Fingerprinting 網(wǎng)絡(luò)安全性

  • 驅(qū)動(dòng)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 的“任意連接”實(shí)現(xiàn)了超高速增長,這不僅僅只是連接眾多迥然不同的設(shè)備。這還與跨各種廣泛應(yīng)用收集、分析和操作的數(shù)
  • 關(guān)鍵字: Zynq SoC  Power-Fingerprinting  網(wǎng)絡(luò)安全性  
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