pc dram 文章進(jìn)入pc dram技術(shù)社區(qū)

2024年成為傳統(tǒng)PC向AI PC的重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)

與普通 PC 相比，AI PC 將溢價(jià) 10%-15%。
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技術(shù)解析：為何強(qiáng)大如PC的手機(jī)卻無(wú)需風(fēng)扇散熱

對(duì)不起，我錯(cuò)過(guò)了你的電話，但我的手機(jī)過(guò)熱了，又關(guān)機(jī)了。
關(guān)鍵字：手機(jī) PC 風(fēng)扇散熱高通

IDC：2023年亞太區(qū)PC市場(chǎng)衰退16.1%

根據(jù)IDC最新「全球個(gè)人運(yùn)算裝置季度追蹤報(bào)告」研究顯示，亞太地區(qū)（包括日本和中國(guó)）的傳統(tǒng) PC 市場(chǎng)（桌面計(jì)算機(jī)、筆記本電腦和工作站）2023 年出貨量衰退 16.1%，至 9,740 萬(wàn)臺(tái)。由于需求疲軟和經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇緩慢，預(yù)計(jì)2024年出貨量不會(huì)大幅反彈。家用PC市場(chǎng)衰退17.4%至4850萬(wàn)臺(tái)。桌面計(jì)算機(jī)出貨量年減 22.0%，家用筆記本電腦出貨量較去年同期下降 15.8%。通貨膨脹和利率上升導(dǎo)致購(gòu)買(mǎi)力疲軟，而消費(fèi)者支出重點(diǎn)的轉(zhuǎn)變進(jìn)一步影響了需求。商用PC市場(chǎng)則衰退14.8%至4,880萬(wàn)臺(tái)。民營(yíng)企業(yè)
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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又一存儲(chǔ)大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)

韓國(guó)媒體 TheElec報(bào)道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲(chǔ)器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來(lái)。而經(jīng)過(guò)測(cè)試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲(chǔ)器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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英特爾酷睿Ultra通過(guò)全新英特爾vPro平臺(tái)將AI PC惠及企業(yè)

標(biāo)全新英特爾vPro平臺(tái)發(fā)布，AI PC 商用版來(lái)了英特爾vPro平臺(tái)煥新登場(chǎng)，百款商用AI PC即將上市
關(guān)鍵字：英特爾酷睿Ultra vPro AI PC

三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時(shí)代的更高要求

三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。 &n
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Gartner：2024年全球AI PC和生成式AI智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到2.95億臺(tái)

· 2024年AI PC出貨量將占到PC總出貨量的22%· 生成式AI智能手機(jī)出貨量將占到基礎(chǔ)和高級(jí)智能手機(jī)出貨量的22%· 2024年P(guān)C出貨量將增長(zhǎng)3.5%，智能手機(jī)出貨量將增長(zhǎng) 4.2% 根據(jù)Gartner公司的最新預(yù)測(cè)，到2024年底，人工智能（AI）個(gè)人電腦（PC）和生成式
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Cirrus Logic、英特爾和微軟聯(lián)手推出全新參考設(shè)計(jì)，打造“超酷、安靜和高性能”的PC

美國(guó)德克薩斯州奧斯汀，2024年2月22日-- Cirrus Logic (納斯達(dá)克代碼：CRUS)近日宣布與英特爾和微軟在全新的PC參考設(shè)計(jì)上進(jìn)行合作。該設(shè)計(jì)將采用Cirrus Logic的高性能音頻和電源技術(shù)以及英特爾即將推出的代碼為L(zhǎng)unar Lake的客戶端處理器。除了為筆記本電腦創(chuàng)造更豐富、更沉浸式的音頻體驗(yàn)外，此次合作還將減少發(fā)熱，延長(zhǎng)電池壽命，并實(shí)現(xiàn)更小、更輕薄的設(shè)計(jì)。該參考設(shè)計(jì)采用Cirrus Logic的CP9314高效功率轉(zhuǎn)換器、低功耗CS42L43
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局

從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線寬來(lái)提高集成度
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芯片巨頭 AMD 強(qiáng)勢(shì)復(fù)蘇，PC 和服務(wù)器市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁

IT之家 2 月 8 日消息，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Mercury Research 的最新數(shù)據(jù)，芯片巨頭 AMD 在 2023 年第四季度表現(xiàn)強(qiáng)勁，服務(wù)器和個(gè)人電腦市場(chǎng)份額均取得顯著增長(zhǎng)，成為業(yè)界復(fù)蘇的領(lǐng)頭羊之一。圖源 PixabayAMD 在電子郵件中引用 Mercury Research 的數(shù)據(jù)指出，其服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的收入份額均同比大幅提升。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為，AMD 的成功主要?dú)w功于第四代 EPYC 和 Ryzen 7000 系列處理器的強(qiáng)勁需求。具體來(lái)看，在個(gè)人電腦市場(chǎng)，AMD
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美光內(nèi)存與存儲(chǔ)是實(shí)現(xiàn)數(shù)字孿生的理想之選

據(jù) IDC 預(yù)測(cè)，從 2021 年到 2027 年，作為數(shù)字孿生的新型物理資產(chǎn)和流程建模的數(shù)量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產(chǎn)行為中的關(guān)鍵要素?cái)?shù)字化并非一種全新概念，但數(shù)字孿生技術(shù)從精確傳感到實(shí)時(shí)計(jì)算，再到將海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)為深度洞察，從多方面進(jìn)一步推動(dòng)了設(shè)備和運(yùn)營(yíng)系統(tǒng)優(yōu)化，從而實(shí)現(xiàn)擴(kuò)大規(guī)模并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。此外，啟用人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí) (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產(chǎn)品缺陷，實(shí)現(xiàn)出色的整體設(shè)備效率 (OEE)。當(dāng)我們了解了上述需求的復(fù)雜性和面臨的挑戰(zhàn)，就能意識(shí)到內(nèi)存與存儲(chǔ)對(duì)于實(shí)現(xiàn)數(shù)字孿
關(guān)鍵字：數(shù)字孿生 DRAM 機(jī)器學(xué)習(xí)

到底什么是AI PC、AI手機(jī)？

AI PC 和 AI 手機(jī)出現(xiàn)的來(lái)龍去脈。
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PC市場(chǎng)，2023全年崩盤(pán)

不過(guò)，PC 市場(chǎng)將在 2024 年恢復(fù)年度增長(zhǎng)。
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)

三星稱其已經(jīng)在美國(guó)硅谷開(kāi)設(shè)了一個(gè)新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機(jī)構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開(kāi)發(fā)。該機(jī)構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門(mén)美國(guó)分部（DSA）的硅谷總部之下運(yùn)營(yíng)，由三星設(shè)備解決方案部門(mén)首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場(chǎng)份額超過(guò)東芝以來(lái)，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場(chǎng)份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開(kāi)發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們?cè)谶@一領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存 DRAM 芯片美光