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功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%,三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

- IT之家 5 月 18 日消息,三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后,于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期,三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM,希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉,與上一代相比,新芯片的功耗降低了 23%,而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%,這意味著芯片尺寸比上一代更小,單個晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
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三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

- 三星電子今日宣布,研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?(CXL?)2.0的128GB DRAM。同時,三星與英特爾密切合作,在英特爾?至強(qiáng)?平臺上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月,三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM(內(nèi)存擴(kuò)展器)后,又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,預(yù)計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高達(dá)每秒35GB的帶寬??蓴U(kuò)展內(nèi)存(Memory Expander)“作
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SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

- 2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內(nèi)存)——HBM3*的技術(shù)界限,全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字節(jié))**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品,并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強(qiáng)調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后,又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品。”,“最近隨著人工智能聊天機(jī)器人(AI Chatbot)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,高端存儲器需求也隨之增長,公司將從今年下半年起將其推向市場,以滿足
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利基型DRAM市場Q2回穩(wěn)
- 據(jù)媒體報道,盡管消費(fèi)性電子應(yīng)用需求復(fù)蘇緩慢,但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出,第二季與客戶洽談合約價格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設(shè)計、制造與銷售公司,其產(chǎn)品包括利基型存儲器(Specialty DRAM)、行動存儲器(Mobile DRAM)以及編碼型閃存(Code Storage Flash Memory)。存儲器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價格上看,在NAND Flash方面,此前據(jù)TrendForce集邦咨詢3月30日調(diào)查指出,即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn),然需求端如服
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安謀科技與此芯科技攜手共建Arm PC SIG

- 近日,為更好地推動國內(nèi)Arm PC生態(tài)的發(fā)展,加深芯片、IP、操作系統(tǒng)間的產(chǎn)業(yè)鏈配合,此芯科技正式加入deepin社區(qū),并聯(lián)合安謀科技和deepin共建Arm PC SIG (Special Interest Group),進(jìn)一步推動Linux桌面操作系統(tǒng)在Arm平臺上的生態(tài)繁榮和技術(shù)創(chuàng)新。Arm PC生態(tài)欣欣向榮Arm架構(gòu)于2021年正式進(jìn)入了Arm v9時代,開啟了新的十年征程,來滿足行業(yè)對功能日益強(qiáng)大的安全、AI和無處不在的專用處理的需求。Arm v9架構(gòu)的推出給PC市場帶來了新的活力,同時也激發(fā)了
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PC需求崩了,芯片跟著遭殃
- MPU、DRAM 和 NAND 閃存的市場狀況陷入嚴(yán)重困境,半導(dǎo)體制造商的整合可能會發(fā)生。
- 關(guān)鍵字: PC
第二季DRAM均價跌幅收斂至10~15%,仍不見止跌訊號

- TrendForce集邦咨詢表示,由于部分供應(yīng)商如美光(Micron)、SK海力士(SK hynix)已經(jīng)啟動DRAM減產(chǎn),相較第一季DRAM均價跌幅近20%,預(yù)估第二季跌幅會收斂至10~15%。不過,由于2023下半年需求復(fù)蘇狀況仍不明確,DRAM均價下行周期尚不見終止,在目前原廠庫存水位仍高的情況下,除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生,后續(xù)合約價才有可能反轉(zhuǎn)。PC DRAM方面,由于買方已連續(xù)三季大減采購量,目前買方的PC DRAM庫存約9~13周,而PC DRAM原廠已進(jìn)行減產(chǎn),TrendForce集
- 關(guān)鍵字: DRAM 止跌 TrendForce
PC市場何時歸來?品牌庫存、兩大芯片廠是關(guān)鍵
- PC 產(chǎn)業(yè)究竟何時真正復(fù)蘇。
- 關(guān)鍵字: PC
DRAM市況何時回溫?存儲廠商這樣說
- 當(dāng)前,由于消費(fèi)電子市場需求持續(xù)疲弱,當(dāng)前存儲器賣方面臨庫存高企壓力,以DRAM和NAND Flash為主的存儲器產(chǎn)品價格持續(xù)下探。為避免存儲器產(chǎn)品再出現(xiàn)大幅跌價,多家供應(yīng)商已經(jīng)開始積極減產(chǎn),盡管2023年第一季價格跌幅將有所收斂,但集邦咨詢?nèi)灶A(yù)估當(dāng)季DRAM價格跌幅將達(dá)13~18%,NAND Flash均價跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展,近日,南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英:下半年市況將有所好轉(zhuǎn)南亞科總經(jīng)理李培英認(rèn)為,受高通貨膨脹與供應(yīng)鏈不順影響,今年上半年將是DRAM市況最差
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲
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