high-na euv 文章進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區(qū)

年底沖刺，美日韓政府半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)布大動(dòng)作

ASML 成贏家。
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韓國(guó)總統(tǒng)到訪之際，ASML與三星達(dá)成7.52億美元的芯片廠協(xié)議

周二，荷蘭科技巨頭ASML和三星（Samsung）簽署了一項(xiàng)價(jià)值約7億歐元的協(xié)議，將在韓國(guó)建設(shè)一家半導(dǎo)體研究廠。與此同時(shí)，韓國(guó)總統(tǒng)尹錫悅（Yoon Suk Yeol）結(jié)束了這次以科技為重點(diǎn)的訪問(wèn)的第一天。尹錫悅是第一位到訪ASML高度安全的“無(wú)塵室”的外國(guó)領(lǐng)導(dǎo)人，這次到訪荷蘭的目的是在這兩個(gè)全球半導(dǎo)體大國(guó)之間結(jié)成“芯片聯(lián)盟”。他參觀了ASML的城市規(guī)模設(shè)施，該公司制造先進(jìn)的機(jī)器來(lái)制造半導(dǎo)體芯片，為從智能手機(jī)到汽車的一切提供動(dòng)力。ASML和三星后來(lái)同意“未來(lái)共同”投資該設(shè)施，該設(shè)施將“使用下一代EUV（極紫
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紐約州宣布聯(lián)合IBM、美光等公司，斥資100億美元建立研發(fā)中心

據(jù)IBM官網(wǎng)消息，美國(guó)紐約州州長(zhǎng)宣布與IBM、美光以及其他行業(yè)參與者合作，投資100億美元在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設(shè)下一代 High-NA EUV 半導(dǎo)體研發(fā)中心。IBM稱，這將是北美第一個(gè)也是唯一一個(gè)擁有高數(shù)值孔徑極紫外光刻(高NA EUV)系統(tǒng)的公共研發(fā)中心，可為開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)小于2nm的節(jié)點(diǎn)芯片鋪平道路。
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佳能押注納米壓印技術(shù) 價(jià)格比阿斯麥EUV光刻機(jī)“少一位數(shù)”

11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術(shù)，并計(jì)劃將新型芯片制造設(shè)備的價(jià)格定在阿斯麥最好光刻機(jī)的很小一部分，從而在光刻機(jī)領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻（EUV）技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟出一條道路?！斑@款產(chǎn)品的價(jià)格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù)，”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔(dān)任佳能總裁，上一次退
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納米壓?。阂粋€(gè)「?jìng)涮ァ棺呦颉概_(tái)前」的故事

佳能在 10 月 13 日宣布，正式推出納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備。對(duì)于 2004 年就開(kāi)始探索納米壓印技術(shù)的佳能來(lái)說(shuō)，新設(shè)備的推出無(wú)疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個(gè)設(shè)備型號(hào)是 FPA-1200NZ2C，目前可以實(shí)現(xiàn)最小線寬 14nm 的圖案化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的 5 納米節(jié)點(diǎn)。佳能表示當(dāng)天開(kāi)始接受訂單，目前已經(jīng)向東芝供貨。半導(dǎo)體行業(yè)可謂是「苦光刻機(jī)久已」，納米壓印設(shè)備的到來(lái)，讓期盼已久的半導(dǎo)體迎來(lái)一線曙光。那么什么是納米壓印技術(shù)？這種技術(shù)距離真的能夠取代光刻機(jī)嗎？納米壓印走向臺(tái)前想要
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EUV光刻技術(shù)仍需克服的三個(gè)缺點(diǎn)

光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。想要了解光刻技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體供需穩(wěn)定將會(huì)產(chǎn)生什么樣的影響，首先要了解的是大家經(jīng)常聽(tīng)到的 14 納米 DRAM、4 納米應(yīng)用處理器等用語(yǔ)，要先說(shuō)明納米是什么意
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英特爾首次采用EUV技術(shù)的Intel 4制程節(jié)點(diǎn)已大規(guī)模量產(chǎn)

近日，英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)英特爾中國(guó)官微獲悉，近日，英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)悉，作為英特爾首個(gè)采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點(diǎn)，Intel 4與先前的節(jié)點(diǎn)相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動(dòng)著算力需求最高的應(yīng)用，如AI、先進(jìn)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用。英特爾“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃正在順利推進(jìn)中。目前，Intel 7和I
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俄羅斯7納米驚人突破泄國(guó)產(chǎn)EUV曝光時(shí)間

俄羅斯企圖打破艾司摩爾（ASML）先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備獨(dú)占地位！俄媒消息指出，俄羅斯號(hào)稱開(kāi)發(fā)出可取代曝光機(jī)的芯片制造工具，甚至發(fā)下豪語(yǔ)，將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機(jī)，還可擊敗ASML同類產(chǎn)品。俄國(guó)目前普遍使用20年前的65納米制程，正在興建28納米晶圓廠。俄羅斯國(guó)際新聞通訊社（俄新社）報(bào)導(dǎo)，圣彼得堡理工大學(xué)研發(fā)出一種「國(guó)產(chǎn)曝光復(fù)合體」，可用于蝕刻生產(chǎn)無(wú)掩模芯片，將有助于解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權(quán)問(wèn)題。科學(xué)家表示，這款芯片制造設(shè)備成本為500萬(wàn)盧布（約臺(tái)幣161萬(wàn)元），而另一種工具的成本未知
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Intel 4技術(shù)在愛(ài)爾蘭大批量生產(chǎn)，點(diǎn)燃?xì)W洲半導(dǎo)體制造能力

DIGITAL-得益于ASML的芯片機(jī)，英特爾在愛(ài)爾蘭的尖端技術(shù)生產(chǎn)點(diǎn)燃了歐洲革命。在英特爾位于愛(ài)爾蘭的最新制造工廠Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術(shù)領(lǐng)域掀起了波瀾，在愛(ài)爾蘭推出了英特爾4技術(shù)的大批量生產(chǎn)，引發(fā)了一場(chǎng)歐洲革命。這標(biāo)志著極紫外光刻機(jī)（EUV）首次用于歐洲大規(guī)模生產(chǎn)。此舉鞏固了英特爾對(duì)快節(jié)奏生產(chǎn)戰(zhàn)略的承諾，并提升了歐洲的半導(dǎo)體制造能力。?這家科技巨頭在愛(ài)爾蘭、德國(guó)和波蘭的投資正在推動(dòng)整個(gè)歐洲大陸的尖端價(jià)值鏈。英特爾對(duì)可持續(xù)發(fā)展的執(zhí)著也體現(xiàn)在其愛(ài)爾蘭氣候行動(dòng)計(jì)
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在人工智能半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的情況下，美國(guó)加強(qiáng)了對(duì)芯片出口的控制

美國(guó)政府計(jì)劃修改對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)中國(guó)的出口限制。此舉旨在加強(qiáng)對(duì)芯片制造中使用的工具的控制，包括人工智能（AI）中使用的芯片。這些法規(guī)將與荷蘭和日本最近的法規(guī)保持一致，將限制使用光刻設(shè)備等芯片制造工具，并旨在彌補(bǔ)人工智能處理芯片出口限制中的一些漏洞。?這一法規(guī)的更新是在首次實(shí)施出口限制近一年后才開(kāi)始的。一些報(bào)告顯示，美國(guó)商務(wù)部一直在努力更新這些法規(guī)。據(jù)稱，美國(guó)提前向中國(guó)表明了即將改變限制措施，以避免華盛頓和北京之間關(guān)系的任何潛在關(guān)系。?加強(qiáng)對(duì)芯片制造工具的限制?荷蘭政府也對(duì)出口限
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用新型極紫外光刻膠材料推進(jìn)半導(dǎo)體工藝

新型極紫外光刻膠材料是不斷增強(qiáng)半導(dǎo)體技術(shù)的重要基石。
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ASML今年將推出創(chuàng)紀(jì)錄的EUV光刻機(jī)，價(jià)值3億美元

ASML 即將推出 NA 為 0.55，分辨率達(dá)到 8nm 的 EUV 設(shè)備。
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臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那工廠導(dǎo)入首臺(tái) EUV 設(shè)備，預(yù)計(jì) 2025 年量產(chǎn) 4nm 芯片

IT之家 8 月 22 日消息，法拉第未來(lái)在最新的季度報(bào)告中稱，其虧損有所縮小，并表示已經(jīng)進(jìn)入創(chuàng)收階段。該公司在截至 6 月 30 日的第二季度的虧損為 1.249 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 9.13 億元人民幣），即每股 10 美分，而去年同期的虧損為 1.417 億美元，即每股 44 美分。法拉第未來(lái)在本季度沒(méi)有報(bào)告任何收入?？傔\(yùn)營(yíng)費(fèi)用從 1.375 億美元降至 4,940 萬(wàn)美元，主要是由于研發(fā)和管理費(fèi)用的減少。法拉第未來(lái)在給投資者的信中表示，公司計(jì)劃在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)將其制造團(tuán)隊(duì)擴(kuò)大兩倍
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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場(chǎng)

據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì)在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
關(guān)鍵字： ASML NA EUV 光刻設(shè)備