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high-na euv 文章 進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區(qū)
韓國(guó)總統(tǒng)到訪之際,ASML與三星達(dá)成7.52億美元的芯片廠協(xié)議
- 周二,荷蘭科技巨頭ASML和三星(Samsung)簽署了一項(xiàng)價(jià)值約7億歐元的協(xié)議,將在韓國(guó)建設(shè)一家半導(dǎo)體研究廠。與此同時(shí),韓國(guó)總統(tǒng)尹錫悅(Yoon Suk Yeol)結(jié)束了這次以科技為重點(diǎn)的訪問(wèn)的第一天。尹錫悅是第一位到訪ASML高度安全的“無(wú)塵室”的外國(guó)領(lǐng)導(dǎo)人,這次到訪荷蘭的目的是在這兩個(gè)全球半導(dǎo)體大國(guó)之間結(jié)成“芯片聯(lián)盟”。他參觀了ASML的城市規(guī)模設(shè)施,該公司制造先進(jìn)的機(jī)器來(lái)制造半導(dǎo)體芯片,為從智能手機(jī)到汽車的一切提供動(dòng)力。ASML和三星后來(lái)同意“未來(lái)共同”投資該設(shè)施,該設(shè)施將“使用下一代EUV(極紫
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佳能押注納米壓印技術(shù) 價(jià)格比阿斯麥EUV光刻機(jī)“少一位數(shù)”
- 11月6日消息,日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography,NIL)這種新的芯片制造技術(shù),并計(jì)劃將新型芯片制造設(shè)備的價(jià)格定在阿斯麥最好光刻機(jī)的很小一部分,從而在光刻機(jī)領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻(EUV)技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示,該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟出一條道路?!斑@款產(chǎn)品的價(jià)格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù),”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔(dān)任佳能總裁,上一次退
- 關(guān)鍵字: 佳能 納米 壓印技術(shù) 阿斯麥 EUV 光刻機(jī)
納米壓?。阂粋€(gè)「?jìng)涮ァ棺呦颉概_(tái)前」的故事
- 佳能在 10 月 13 日宣布,正式推出納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備。對(duì)于 2004 年就開(kāi)始探索納米壓印技術(shù)的佳能來(lái)說(shuō),新設(shè)備的推出無(wú)疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個(gè)設(shè)備型號(hào)是 FPA-1200NZ2C,目前可以實(shí)現(xiàn)最小線寬 14nm 的圖案化,相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的 5 納米節(jié)點(diǎn)。佳能表示當(dāng)天開(kāi)始接受訂單,目前已經(jīng)向東芝供貨。半導(dǎo)體行業(yè)可謂是「苦光刻機(jī)久已」,納米壓印設(shè)備的到來(lái),讓期盼已久的半導(dǎo)體迎來(lái)一線曙光。那么什么是納米壓印技術(shù)?這種技術(shù)距離真的能夠取代光刻機(jī)嗎?納米壓印走向臺(tái)前想要
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EUV光刻技術(shù)仍需克服的三個(gè)缺點(diǎn)
- 光刻技術(shù)是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為:首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng);再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負(fù)性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上;最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。想要了解光刻技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體供需穩(wěn)定將會(huì)產(chǎn)生什么樣的影響,首先要了解的是大家經(jīng)常聽(tīng)到的 14 納米 DRAM、4 納米應(yīng)用處理器等用語(yǔ),要先說(shuō)明納米是什么意
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英特爾首次采用EUV技術(shù)的Intel 4制程節(jié)點(diǎn)已大規(guī)模量產(chǎn)
- 近日,英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)英特爾中國(guó)官微獲悉,近日,英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)悉,作為英特爾首個(gè)采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點(diǎn),Intel 4與先前的節(jié)點(diǎn)相比,在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動(dòng)著算力需求最高的應(yīng)用,如AI、先進(jìn)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用。英特爾“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃正在順利推進(jìn)中。目前,Intel 7和I
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俄羅斯7納米驚人突破 泄國(guó)產(chǎn)EUV曝光時(shí)間
- 俄羅斯企圖打破艾司摩爾(ASML)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備獨(dú)占地位!俄媒消息指出,俄羅斯號(hào)稱開(kāi)發(fā)出可取代曝光機(jī)的芯片制造工具,甚至發(fā)下豪語(yǔ),將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機(jī),還可擊敗ASML同類產(chǎn)品。俄國(guó)目前普遍使用20年前的65納米制程,正在興建28納米晶圓廠。俄羅斯國(guó)際新聞通訊社(俄新社)報(bào)導(dǎo),圣彼得堡理工大學(xué)研發(fā)出一種「國(guó)產(chǎn)曝光復(fù)合體」,可用于蝕刻生產(chǎn)無(wú)掩模芯片,將有助于解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權(quán)問(wèn)題。科學(xué)家表示,這款芯片制造設(shè)備成本為500萬(wàn)盧布(約臺(tái)幣161萬(wàn)元),而另一種工具的成本未知
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Intel 4技術(shù)在愛(ài)爾蘭大批量生產(chǎn),點(diǎn)燃?xì)W洲半導(dǎo)體制造能力
- DIGITAL-得益于ASML的芯片機(jī),英特爾在愛(ài)爾蘭的尖端技術(shù)生產(chǎn)點(diǎn)燃了歐洲革命。在英特爾位于愛(ài)爾蘭的最新制造工廠Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術(shù)領(lǐng)域掀起了波瀾,在愛(ài)爾蘭推出了英特爾4技術(shù)的大批量生產(chǎn),引發(fā)了一場(chǎng)歐洲革命。這標(biāo)志著極紫外光刻機(jī)(EUV)首次用于歐洲大規(guī)模生產(chǎn)。此舉鞏固了英特爾對(duì)快節(jié)奏生產(chǎn)戰(zhàn)略的承諾,并提升了歐洲的半導(dǎo)體制造能力。?這家科技巨頭在愛(ài)爾蘭、德國(guó)和波蘭的投資正在推動(dòng)整個(gè)歐洲大陸的尖端價(jià)值鏈。英特爾對(duì)可持續(xù)發(fā)展的執(zhí)著也體現(xiàn)在其愛(ài)爾蘭氣候行動(dòng)計(jì)
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在人工智能半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的情況下,美國(guó)加強(qiáng)了對(duì)芯片出口的控制
- 美國(guó)政府計(jì)劃修改對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)中國(guó)的出口限制。此舉旨在加強(qiáng)對(duì)芯片制造中使用的工具的控制,包括人工智能(AI)中使用的芯片。這些法規(guī)將與荷蘭和日本最近的法規(guī)保持一致,將限制使用光刻設(shè)備等芯片制造工具,并旨在彌補(bǔ)人工智能處理芯片出口限制中的一些漏洞。?這一法規(guī)的更新是在首次實(shí)施出口限制近一年后才開(kāi)始的。一些報(bào)告顯示,美國(guó)商務(wù)部一直在努力更新這些法規(guī)。據(jù)稱,美國(guó)提前向中國(guó)表明了即將改變限制措施,以避免華盛頓和北京之間關(guān)系的任何潛在關(guān)系。?加強(qiáng)對(duì)芯片制造工具的限制?荷蘭政府也對(duì)出口限
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用新型極紫外光刻膠材料推進(jìn)半導(dǎo)體工藝
- 新型極紫外光刻膠材料是不斷增強(qiáng)半導(dǎo)體技術(shù)的重要基石。
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臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那工廠導(dǎo)入首臺(tái) EUV 設(shè)備,預(yù)計(jì) 2025 年量產(chǎn) 4nm 芯片
- IT之家 8 月 22 日消息,法拉第未來(lái)在最新的季度報(bào)告中稱,其虧損有所縮小,并表示已經(jīng)進(jìn)入創(chuàng)收階段。該公司在截至 6 月 30 日的第二季度的虧損為 1.249 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 9.13 億元人民幣),即每股 10 美分,而去年同期的虧損為 1.417 億美元,即每股 44 美分。法拉第未來(lái)在本季度沒(méi)有報(bào)告任何收入??傔\(yùn)營(yíng)費(fèi)用從 1.375 億美元降至 4,940 萬(wàn)美元,主要是由于研發(fā)和管理費(fèi)用的減少。法拉第未來(lái)在給投資者的信中表示,公司計(jì)劃在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)將其制造團(tuán)隊(duì)擴(kuò)大兩倍
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 EUV
ASML:數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場(chǎng)
- 據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo),光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥(ASML)執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù),滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示,自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟,半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年,以超過(guò)50%幅度前進(jìn),不過(guò)速度可能會(huì)在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA(NA=0.55)EUV微影曝光設(shè)備(原型制作),
- 關(guān)鍵字: ASML NA EUV 光刻設(shè)備
與EUV相比,這一光刻技術(shù)更具發(fā)展?jié)摿?/a>
- 對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言,光刻技術(shù)和設(shè)備發(fā)揮著基礎(chǔ)性作用,是必不可少的。所謂光刻,就是將設(shè)計(jì)好的圖形從掩模版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術(shù)。光刻技術(shù)最先應(yīng)用于印刷工業(yè),之后長(zhǎng)期用于制造印刷電路板(PCB),1950 年代,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的興起,光刻技術(shù)開(kāi)始用于制造晶體管和集成電路(IC)。目前,光刻是 IC 制造過(guò)程中最基礎(chǔ),也是最重要的技術(shù)。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上,光刻技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了多個(gè)階段,接觸/接近式光刻、光學(xué)投影光刻、分步(重復(fù))投影光刻出現(xiàn)時(shí)間較早,集成電路生產(chǎn)主要采用掃描式光刻、浸沒(méi)式掃描光刻
- 關(guān)鍵字: EUV 光刻技術(shù)
high-na euv介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條high-na euv!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)high-na euv的理解,并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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