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進軍全球5G芯片市場，臺積電7納米EUV工藝聯(lián)發(fā)科M70明年發(fā)
- 聯(lián)發(fā)科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片，代號為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現(xiàn)身市場的動作，臺面上或是為公司將積極進軍全球5G芯片市場作熱身，但臺面下，已決定采用臺積電7納米EUV制程技術(shù)設(shè)計量產(chǎn)的M70 5G Modem芯片解決方案，卻是聯(lián)發(fā)科為卡位臺積電最新主力7納米制程技術(shù)產(chǎn)能，同時向蘋果(Apple)iPhone訂單招手的關(guān)鍵大絕，在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺積電7納米制程技術(shù)猶疑之間，聯(lián)發(fā)科已先一步表達忠誠，而面對高通、蘋果專利訟訴
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中芯1.2億美元下單最先進EUV光刻機 如何躲過《瓦森納協(xié)定》的？
- 據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話稱，中國芯片加工企業(yè)中芯國際(SMIC)向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購了首臺最先進的EUV(極紫外線)光刻機，價值1.2億美元。目前，業(yè)內(nèi)已達成共識，必須使用EUV光刻機才能使半導(dǎo)體芯片進入7nm，甚至5nm時代。今天，中芯國際方面對觀察者網(wǎng)表示，對此事不做評論。 消息稱，這臺幾乎相當(dāng)于中芯國際去年全部凈利潤的設(shè)備，將于2019年前交付?！ SML發(fā)言人對《日經(jīng)亞洲評論》表示，該企業(yè)對包括中國客戶在內(nèi)
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中芯1.2億美元下單最先進EUV光刻機,后續(xù)還得解決這些問題…
- 據(jù)知情人士透露，中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經(jīng)訂購了一臺EUV設(shè)備，在中美兩國貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進也最昂貴的芯片制造設(shè)備。 中芯國際的首臺EUV設(shè)備購自荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML，價值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺積電等市場領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的雄心壯志，也保證了在最先進的光刻設(shè)備方面的供應(yīng)。目前包括英特爾、三星、臺積電等巨頭都在購買該設(shè)備，以確保
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ASML載具供應(yīng)商家登精密談中國EUV的發(fā)展，面臨諸多挑戰(zhàn)
- 載具對于曝光機發(fā)揮保護、運送和存儲光罩等功能十分重要。家登精密多年來致力于研究曝光機載具，并為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。 我們主要研究EUV的配套技術(shù)，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進階的突破口。隨著5nm技術(shù)的升級，EUV的重要性逐漸凸顯出來，而載具的研究也越發(fā)緊迫。過去幾年，家登精密一直專心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達到國際先進水平，這是一個值得自豪的成績。未來，7nm工藝逐漸向5nm升級，技術(shù)的研究會越來越困難
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日媒：三星最高利潤背后的危機感
- 韓國三星電子2017財年(截至2017年12月)合并營業(yè)利潤創(chuàng)下歷史新高，但其危機感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財報顯示，營業(yè)利潤同比增長83%，其中僅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍，約合3.5萬億日元，顯著依賴市場行情，因此危機感增強。3大主要部門面臨著半導(dǎo)體增長放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營團隊的領(lǐng)導(dǎo)下，將智能手機和電視機的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財年將成為試金石。 三星整體的營業(yè)利潤為53.65萬億韓元，時隔4年再創(chuàng)歷史新高。其中，半導(dǎo)體部門的服務(wù)器和智能手機存儲銷量堅挺，
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EUV微影前進7nm制程，5nm仍存在挑戰(zhàn)
- EUV微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點。 不過，根據(jù)日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。 極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點。 不過，根據(jù)日前在美國加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示，實現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
- 關(guān)鍵字： EUV 7nm
4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET
- 晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報道稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來似乎較占上風(fēng)。 Android Authority報導(dǎo)，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術(shù)來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的EUV， 才能準確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時，就會率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競
- 關(guān)鍵字： 4nm EUV
EUV面臨的問題和權(quán)衡
- 新的光刻工具將在5nm需要，但薄膜，阻抗和正常運行時間仍然存在問題。 Momentum正在應(yīng)用于極紫外(EUV)光刻技術(shù)，但這個談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前，仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。 EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段。 如今，GlobalFoundries，英特爾，三星和臺積電相互競爭，將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
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